car. 8) RESONANCIA SERIE Y PARALELO 85 En resonancia, ls tres ramas del cireuito paraielo de la Fig. 89 almacenan una energie constante. Teniendo en euenta que cuando la intensidad de corriente por ta bobina ® Wea 6 maxima Ia tensién en el condensador es aula, y viceversa, podremos escribir $1/2,, = 4CV3,,. Es decir, R Fig.t9 = = ocr LUGARES GEOMETRICOS DE IMPEDANCIAS Bl estudio de fos cireuitos que tienen un elemento variable se simplifica mucho mediante el andli- sis de los lugares geométricos de impedancias. Como I = VY y, normalmente, Ves constante, el lugar geométrico de ¥ proporciona la variacién de la intensidad I con el elemento variable del cireuito, i circuito serie de la Fig. 8-10(2) tiene una resistencia hja y una reactancia variable que podemos suponer toma valores cualesquiera, positivos o negatives. Si consideramas el plano Z. con los ejes car- tesianos R y X, el lugar geométrico de la impedancia Z, para el circuito dado, es una recta paralela al eje X que corta al eje Ren R,, como indica la Figura 8-10(6), ze en tee an, @ (Piano z © Pano ¥ Fig. s0 En el plano Y, formado por los ejes cartesianos G y B, podemos determinar el ugar geométrico de in admitancia, Como Z= i ~ Rt = og w Racionalizando ¢ igualando las pactes reales de (/), ¢ B= aTE o bien G- GIR, +BY = 0 a Sumando 1/42} a ambos miembros de (2) y simplicando resulta, (nae) + = (ete) “ Esta Ecuacién (3) representa una circunferencia, es decir, el lugar geométrico de ¥ es una circunferen- cia con centro el punto {1/2R,, 0) radio U/2R,- [ease Figura 8-10]86 RESONANCIA SERIE Y PARALELO car. 8 A cada punto del lugar geométrico de Z Ie corresponde un punto del lugar geométrico de Y. Los ‘puntos del lugar de Z por encima del eje & se corresponden con los puntos de la semicircunferencia por debajo del eje G en el plano Y. A} punto +20 del lugar de Z le correspond cl origen del plano Y. Andlo- igamente, los puntos del lugar geamétrico de Z, por debajo del ee R se corresponden con los puntos de la semicircunferencia por encima del eje G en el plano Y. Al punto —a0 del lugar de Z le corresponde el origen en cl plano ¥, Conviene observar las posiciones relativas de Z, e Y,. Las distancias de Z, e Y, 4 los origenes respectivos son distintas, mientras que los éngulos que forman con el eje horizontal son iguales y de signo contrario. En el caso de una reactancia inductiva fja y una resistencia variable, como indica la Fig. 8-11(a), ‘el lugar geométrica de Z es una semirrecta horizontal situada en el primer cuadrante del plano Z una distancia X= X,, del origen. Por el mismo procedimiento que antes se obtiene la ecuaciéa del lugar geométrico de ¥ Gt B+IOXy = (AXP w FI hugar geométrico de ¥ es, pues, una circunferencia de centro (0, ~1/2X;,) y radio 1/2, en el pla- no ¥. [Véase Fig. 8-t1(c)] Sin embargo, como el lugar geométrico de Z, en la Fig, 8-11(6), 6s una se- mirrecta del primer cuzdrante del plano Z el transformado del lugar geométrico de Z, para este circuito, ce Gnicamente Te semicircunferencia del cvarto cuadrante del plano Y. Aumento de R © (0) Plano Z (4) Plano ¥ Figs En el caso de una reactancia capacitiva fija en serie eon una resistencia variable, como indica ta Fig. $-12(a), el lugar geométrico de Z es una semirrecta horizontal situada en el cuarto cuadrante de! plano Z a una distancia V = 2c, del origen, [Véase Fig. 8-12(6)] Por.e! mismo procedimiento que lntes se oBtiene la ecuacién del lugar geométrico de ¥ @ + (B-U2Xe" = (RX @ El lugar geométrico de ¥ e3, pues, una semicitcunferencia de centro (0, 1/2Xc,) y radio W72Xe,, situada en el primer cuadrante del plano Y. [Véase Figura 8-12(c).] (Plano ¥ Pig setcar. 8] RESONANCIA SERIE Y PARALELO. 37 LUGARES GEOMETRICOS DE INTENSIDADES DE CORRIENTE, Consideremos el cirevito paraleto de la Fig. 8-13(a) con una rama constituida por Ia resistencia Ry y reactancia jX, jas, y una resistencia 2, fija y reactancia ~Xc Variable en la otra. La admitancia total de las dos ramas en paralelo es Yr = Wt ¥e ‘Sumando ef tugar de ¥, de la segunda rama al punto fijo Y, se obtiene el lugar de ¥, como muestra la Figura 8-13(6), @ o o Figs La intensidad de corriente viene dada por 1 = VY y, en la Fig. 8-13(c), puede observarse eémo al sumar Is intensidad fja I; a la corriente variable Iz se obtiene el lugar geométrico de la intensidad (otal, Este diagrama muestra que existen dos valores de C para tos cuales la intensidad de cortiente total std en fase con la tension V. Examinando la Fig. §-13(c) se desprende cémo se puede dar el caso de que no exista ningin valor de C para el que el circuito entre en resonancia. Si el radio, 1/2R,, de la semicircunferencia del gar es tal que la curva no corta al eje V, no exists ningiin valor de C que produzca resonancia. En los pro- blemas que siguen veremos més aplicaciones de estos diagramas de lugares geométricos. Problemas resueltos 8&1 Enuncireuito serie REC, R = 10 ohmios, L — 5 milibenrios y C = 12,5 microfaradios. Deducie la variacién del médulo y del argumento de la impedancia del circuito en funcién de a en el i- terval Oar a 1,200 = oy = UVES = UV EXTOHGERITH = 4000 rad/s sgl = 4000(5 « 10-8) " § y wa Moo = 144000128 10-) = 20.0 Zy = 4 iXy—Xey) = 10+ j(20~20) = 10/02 Ay = OL y Xe% IC, con lo que Xue, = wero ¥ KeKey ‘dremos caleular los valores de Xq, Xe y Z path otras fretueacas. En la Fig. 8:14(c)se da una tabla de eactanciascimpedancis, y en la Fig. 81 pedido. to. Por consiguiente, po: (6) se encuentra el diagrama