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ETAGE AMPLIFICATEUR A

TRANSISTOR-EMETTEUR
COMMUN

Réalisé par :
MAROUANE KHATRI
MOHAMED LOB
YASSINE LAFRYHI

G : 3B
I- BUT :
Le but de ce TP est d'étudier les paramètres caractéristiques
du transistor NPN en montage émetteur commun et de
déterminer le domaine de fréquences dans lequel le montage joue
le rôle d'amplificateur.

II- GENERALITES :
II-1- Définition :
Un transistor bipolaire est constitué par la juxtaposition de
deux jonctions P-N. Il en résulte deux types de transistor : le
transistor NPN et le transistor PNP.

La région centrale est appelée base (B). Les deux autres


régions de même type sont appelées collecteur (C) et émetteur
(E). Ces deux régions ne sont pas identiques : l'émetteur est plus
dopé que le collecteur, la surface de la jonction collecteur-base
est plus grande que celle de la jonction émetteur-base.
II-2- Symboles graphiques :
Deux symboles graphiques sont couramment utilisés :

NPN :
PNP :

La flèche indique le sens conventionnel de circulation du


courant émetteur (de la région P vers la région N).
II-3- Montages possibles :
Il existe trois types de montages fondamentaux à transistor :
Émetteur commun

Collecteur commun

Base commune
II-4- Notations et conventions de signe :
- Relation entre courants : IE = IB + IC
- Relation entre tensions : VCE = VBE + VCB
II-5- Polarisation :
La polarisation d'un transistor a pour but l'obtention des
conditions de fonctionnement correspondant au régime statique.
Le point de fonctionnement correspond aux grandeurs IC0, IB0,
VBE0 et VCE0. Parmi les procédés de polarisation, on trouve
polarisation par pont (Figure 1) qu'on va employer dans ce TP.

Figure 1
II-6- Paramètres hybrides dynamiques :
Soit le schéma équivalent du transistor monté en émetteur
commun.

III- Paramètres caractéristiques du


montage à étudier :
III-1- Montage à étudier :

Figure 2
Les capacités C1 et C2 : Capacités de couplage, isolent le
transistor du point de vue statique.
La capacité CE : capacité de découplage, court-circuite la
résistance RE en régime dynamique.
La résistance RE : permet la stabilité en température pour le
point de fonctionnement.
IV- Travail théorique :
MANIPULATION
I- Étude statique :
En régime continu les capacités jouent le rôle d'un
interrupteur ouvert.
Ainsi le schéma du montage de la Figure 2 devient comme suit :

Figure 3

- Réaliser le montage de la Figure 3 :

Réalisation :
- Mesurer les valeurs expérimentales du point de
fonctionnement : IB0, lC0, VBE0 , et VCE0 :
Mesure :

IB0 = 66.4 uA
lC0 = 9.05 mA
VBE0 = 0.66 V
VCE0 = 4.29 V

- Déterminer le gain en courant statique en déduire la valeur du


paramètre hybride h On montre que : h11 :

𝑰𝑪𝟎 𝟗. 𝟎𝟓 × 𝟏𝟎𝟑
𝜷= = = 𝟏𝟑𝟔. 𝟐𝟗
𝑰𝑩𝟎 𝟔𝟔. 𝟒

𝟐𝟔𝜷 𝟐𝟔 × 𝟏𝟑𝟔. 𝟐𝟗
𝒉𝟏𝟏 = = 4𝟑
= 𝟑𝟖𝟖. 𝟔𝟗𝟗 𝒎𝑨4𝟏
𝑰𝑬 𝟗. 𝟎𝟓 + (𝟔𝟔. 𝟒 × 𝟏𝟎 )
II- Étude dynamique :
- Réaliser le montage de la Figure 2 :
Réalisation :

II-1- Mesurer la tension d'entrée Ve Qui


produit la distorsion en sortie :
Mesure :
VE = 11 mV
II-2- prendre un signal d'entrée :
- Mesurer le gain en tension AV :
Mesure :
𝑽𝑺 𝟏. 𝟔
𝑨𝑽 = = = 𝟏𝟒𝟓. 𝟒𝟓
𝑽𝑬 𝟏𝟏 × 𝟏𝟎4𝟑

II-3- Mesure de l'impédance d'entrée


Ze:
On place une résistance R de valeur connue (exp. 500 Ω)
entre le générateur et l'entrée de l'étage. On mesure V1 et V2
Mesure :
V1 = 12 mV
V2 = 5.2 mV

Puis on déduit la valeur de Ze.

𝑽𝟐 × 𝑹 𝟓. 𝟐 × 𝟓𝟎𝟎
𝒁𝑬 = = = 𝟑𝟖𝟐. 𝟑𝟓 𝛀
𝑽𝟐 − 𝑽𝟏 𝟏𝟐 − 𝟓. 𝟐

II-4- Mesure de l'impédance de sortie


Zs:
La sortie de l'amplificateur est équivalente à une source de
tension VS0 en série avec l'impédance de sortie Zs.
- Prendre Ru = 500Ω.
- Mesurer VSO puis VS et déterminer Zs. Comparer avec la valeur
théorique.

II-5- Courbe de réponse en fonction de


la fréquence :