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dispositivo preferido
Caracteristicas http://onsemi.com
Características térmicas
2N6052G
Característica Símbolo Max Unidad
AYYWW
21
La resistencia térmica, Junction-a-Case R JC 1.17 °C/W MEX
Destaca que supera la clasificación máxima puede dañar el dispositivo. Las clasificaciones máximas calificaciones son sólo de
A-204AA (A-3)
estrés. La operación funcional por encima de las condiciones de funcionamiento recomendada no está implícita. La exposición
prolongada a tensiones por encima de las condiciones de funcionamiento recomendados puede afectar a la fiabilidad del
CASO 1-07
dispositivo. ESTILO 1
1. Indica JEDEC datos registrados.
160
2N6052 = Dispositivo Código G
140 = Pb-libre Paquete A
= Lugar Código YY
120
Año =
PD, la disipación de energía (vatios)
WW = Trabajo Semana
100
MEX = País de Orgin
80
60
INFORMACIÓN SOBRE PEDIDOS
40
Dispositivo Paquete Envío
20
2N6052G A-3 (libre de 100 Unidades / Bandeja
plomo)
00
25 50 75 100 125 150 175 200
* Para obtener información adicional acerca de nuestra estrategia y de soldadura libre de plomo detalles, por favor descargar el ON Semiconductor soldadura y técnicas de montaje Manual de Referencia,
SOLDERRM / D.
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iii
SOBRE LAS CARACTERÍSTICAS ( Nota 3)
h FE -
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DC ganancia de corriente
(YO C = 6.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc) (I C = 12 750 18.000 -
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iii
Adc, V CE = 3,0 Vdc) 100
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iii
Colector-emisor Voltaje de saturación V CE (sat) Vdc
(YO C = 6.0 Adc, me B = 24 mAcc) (I C = 12 - 2.0
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iii
Adc, me B = 120 mAcc) 3.0
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iii
Base-emisor Voltaje de saturación (YO C = 12 Adc, me B = 120 mAcc) V BE (sat) - 4.0 Vdc
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Base-emisor En Voltaje (YO C = 6.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc) V Estar en) - 2.8 Vdc
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Las características dinámicas
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Magnitud del Emisor Común pequeña señal de cortocircuito Corriente directa Relación de | h Fe | 4.0 - megahercio
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transferencia (YO C = 5.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc, f = 1,0 MHz)
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La capacitancia de salida (V CB = 10 Vcc, lo E = 0, f = 0,1 MHz) do transmisión exterior - 500 pF
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Señal pequeña ganancia de corriente (YO C = 5.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc, f = 1,0 kHz) h Fe 300 - -
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iii
2. Indica JEDEC datos registrados.
3. Prueba de pulso: ancho de pulso = 300 s, Ciclo = 2,0%.
V CC 10
R B & R do Variarse para obtener niveles de corriente deseado D 1 Deben ser del tipo de - 30 V
2N6059
recuperación rápido, por ejemplo: 1N5825 utilizada anteriormente me segundo ≈ 100
5.0 2N6052
mA MSD6100 que se utiliza por debajo segundo ≈ 100 mA
R do
ALCANCE ts
GESTO DE DESAPROBACIÓN
V2 R segundo
2.0
aprox tF
μ
t, TIME (s ??)
+ 8,0 V
re 1 1.0
51 ≈ 5,0 k ≈ 50
0
tr
V1 0.5
+ 4,0 V
aprox
- 8,0 V t d @ V BE (off) = 0
25 s
para td y tr, D1 se desconecta y V2 = 0
0.2
t r, t F ≤ 10 ns
T J = =25250
° do
I B1 = yo B2
CICLO DE = 1,0%
0.1 V CC = 30 VI DO/ yo B
0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20
Para circuito de prueba NPN inversa de diodo y de tensión polaridades.
yo DO, Colector de corriente (AMP)
http://onsemi.com
2
2N6052
1.0
0.7
D = 0,5
0.5
r (t), EFICAZ térmicos transitorios
0.3
0.2
RESISTENCIA (normalizado)
0.2
0.1
PAG( pk)
R JC ( t) = r (t) R JC
0.1
0.05 R JC = 1.17 ° CURVAS C / W MAX D son
0.07
aplicables para el tren de pulso de potencia
0.02
0.05
muestra el tiempo LEA en t 1 t1t2
0.03 0.01
T J (pk) - T C = PAG( pk) JC ( t)
solo CICLO DE TRABAJO, D = t 1 / t 2
0.02
pulso
0.010.01
0.02 0.03 0,05 0,1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5,0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, tiempo (ms)
Hay dos limitaciones en la capacidad de un transistor de potencia: ACTIVA-REGIÓN área de operación segura
temperatura media de unión y segunda avería. Seguros curvas de área
de operación que indican do - V CE 0,1 ms
límites del transistor que debe ser observada para un funcionamiento fiable; es
decir, el transistor no debe ser sometido a una mayor disipación de las curvas IC, colector de corriente (AMP)
indican. Los datos de las Figuras 5 y 6 se basa en T J (pk) = 200 C; T do es variable 5.0 0,5 ms
1,0 ms
dependiendo de las condiciones. límites segundo pulso de ruptura son válidos
2.0 5,0 ms
para ciclos de trabajo a 10% proporcionado T J (pk)
1.0 T J = 200 ° do
20 10
200 C; T J (pk) puede ser calculado a partir de los datos en la Figura 4. A 0.5
SEGUNDO desglose limitado vinculación
temperaturas altas de casos, las limitaciones térmicas reducirán la potencia que puede
0.2 del alambre LIMITED desajuste térmico
ser manejado a valores menores que las limitaciones impuestas por segunda avería. dc
@TC = 25 ° C (impulso único)
0.1
0.05
10 20 30 50 70 100
Figura 5.
3000 500
HFE, PEQUEÑA SEÑAL DE CORRIENTE DE GANANCIA
2000 T J = 25 ° do
300
1000
C, capacitancia (pF)
500 200 do ib
VI C = 5.0 A
100
100
T C = 25 ° CV CE = 3.0
70
50
30 50
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1,0 2,0 5.0 10 20 50 100
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3
2N6052
20000
10.000 t J = 150 ° do
5000
1000 - 55 ° do
500
300
200
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5,0 V CE = 3,0 V10 20
3.0
do
2.6
VCE, tensión colector-emisor (voltios)
2.2
1.8
1.4
1.0
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 12 A 50
3.0
2.5
V, voltaje (VOLTIOS)
2.0
V BE @ V CE = 3,0 V
1.0
0,5 T J = 25 ° do
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20
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4
2N6052
A-204 (A-3)
CASO NÚMERO
1-07 Z
NOTAS:
UN 1. Acotación y tolerancia POR ANSI Y14.5M de 1982.
ON Semiconductor y son marcas comerciales registradas de semiconductores Componentes Industries, LLC (SCILLC). SCILLC se reserva el derecho a realizar cambios sin previo aviso
a cualquiera de los productos del presente documento. SCILLC ofrece ninguna garantía, representación o garantía respecto a la idoneidad de sus productos para un fin concreto, ni tampoco asume SCILLC cualquier responsabilidad que surja de la
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