CIRCUITOS FET EN LOS CIRCUITOS

INTEGRADOS

Jhojan Felipe Mamani Villanueva

TRABAJO DE INVESTIGACION

AUTOR PRINCIPAL

Jhojan Felipe Mamani

Villanueva

TUTORES ASOCIADOS

Ing. Moises Hernan Villagra

Romero

Arequipa-Perú

2018
AGRADECIMIENTOS
Quiero expresar mi sincero agradecimiento a todos los docentes de la escuela de Ing.

Electrónica que, nos apoyan y alientan a la investigación y constante actualización en

temas de nuestra competencia. Así como a mis padres que me apoyaron en todo

momento en mi vida académica.

INDICE:

INTRODUCCION…………………………………………………………………………………………………….………1

OBJETIVOS……………………………………………………………………………………………………………………2

ASPECTOS TEORICOS…………………………………………………………………………………………………….3

TRANSISTOR FET………………………………………………………………………………………………..3

EXPLICACIÓN DE LA COMBINACIÓN DE PORTADORES ………………………………………3

EXPLICACIÓN DE SUS ELEMENTOS O TERMINALES…………………………………………………5

FUNDAMENTO DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO…………………………………6

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)…..7

ZONA ÓHMICA O LINEAL……………………………………………………………………….7

ZONA DE SATURACIÓN………………………………………………………………………….7

ZONA DE CORTE…………………………………………………………………………………….7

PARAMETROS DEL FET………………………………………………………………………………………9

TÉCNICAS DE MANUFACTURA………………………………………………………………………….10

TRANSISTOR DE UNION DE EFECTO DE CAMPO(FET)……………………………………….13

EXPLICACIÓN DE SU ENCAPSULADO E IDENTIFICACIÓN DE SUS TERMINALES….16

AMPLIFICADOR BUFFER…………………………………………………………………………………..18

BUFFER DE CORRIENTE………………………………………………………………………..18

BUFFER DE VOLTAJE…………………………………………………………………………….19

IMPLEMENTACIONES………………………………………………………………………………………20

BUFFER DE VOLTAJE…………………………………………………………………………….20

OPERACIONAL………………………………………………………………………….20

TRANSISTORES………………………………………………………………………….20

AMPLIFICADORES…………………………………………………………………………………………….21

AMPLIFICADORES RF……………………………………………………………………………21

FUNCIONES DE LOS AMPLIFICADORES RF……………………………………………22

CARACTERISTICAS DE UN AMPLIFICADOR RF……………………………………...23

PARTES DE UN AMPLIFICADOR RF……………………………………………………….25

FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS…………………………………………….26

 TECNOLOGÍA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS

MICROELECTRÓNICA ………………………………………………………………………………….27

APLICACIONES DEL TRANSISTOR MOSFET ………………………………………………………………30

APLCACIONES DE LA TECNOLOGIA CMOS………………………………………………………………30

CONCLUSIONES…………………………………………………………………………………………………………32

BIBLIOGRAFIA…………………………………………………………………………………………………………….33
 1

INTRODUCCION
A lo largo de la carrera de Ing. Electrónica, desarrollamos muchos cursos acerca de

como controlar un determinado sistema(mecánico, hidraulico,etc.) por medio de

componentes electrónicos; dichos cursos, se desarrolla en gran parte de forma teórica

y muy poco de forma práctica debido generalmente a la indisposición de los

laboratorios adecuados por lo que se limita a analizar el comportamiento de dios

componentes lo más superfluamente posible; dicho esto, es muy poca la información

que podemos obtener sobre la integración de dichos componentes para el control

automatizado, por consiguiente, esta investigación tratara de circuitos FET en los

circuitos integrados. Se escogió este tema porque es indispensable saber que tipos de

circuitos conforman un integrado y así poder comprender mejor el funcionamiento de

estos, tanto de forma individual como en conjunto.

 2

OBJETIVOS
En una primera parte, se rocara el tema de funcionamiento de los FET, analizaremos los
diferentes tipos de FET que existen actualmente.

Posteriormente, veremos las principales aplicaciones de los FET en la industria.

 3

ASPECTOS TEORICOS:
TRANSISTOR FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así

porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos

polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran

número de aplicaciones, pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra

su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que

pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de

cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Explicación de la combinación de portadores.

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los

electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del

mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el

surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta,

esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los

huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N,

fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

 4

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se

aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así

como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer

una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos

sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el

transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia

decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la

instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los

proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.

 5

Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó

n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material

que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas

conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source),

más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

 6

Fundamento de transistores de efecto de campo

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con

purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se

muestran en la tabla.

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal

forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. La zona

n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la

longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión

inversa (tensión de puerta).

 7

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia

variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la

resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta

como una fuente de corriente gobernada por VGS.

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

 8

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden

intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se

trata de un dispositivo simétrico).

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo

que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

 9

Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable

que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de

puerta.

Ecuación de Shockley:

Donde:

• Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET.

• IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar

VDS, cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 voltios.

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la

puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente

de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)

 10

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el

gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos

escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta

forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de

la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en la

realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy

grande). El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y

es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias

de valor de Vgs de 1 voltio.

TÉCNICAS DE MANUFACTURA.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material

semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio)

con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente

eléctrica mediante una corriente de control, mucho menor.

 11

El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,

partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John

Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.

En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer

transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de

fabricación, su comercialización a gran escala.

Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas,

en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e

inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se

llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").

Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo

una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra

explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor

parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos

resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-

n aparecerá como el dispositivo predominante, con párrafos y secciones dedicadas a

los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.

 12

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe

que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las

capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta

mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D),

mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto

óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se

encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta

(gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los

extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En

ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
 13

condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión,

como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma región de un diodo bajo

condiciones sin polarización. Recuérdese también que una región de agotamiento es

aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la

conducción a través de la región

Transistor de unión de efecto de campo (JFET).

Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas,

pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del

JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las

terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje

aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde

el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial),

controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
 14

fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,

debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.

En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la

compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición

VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo

potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p,

semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor

 15

FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones serán atraídos

hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID

con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela

con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes ( ID = Is). Bajo las

condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente

permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la

fuente.

Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo

superior de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región

se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una

resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes

que aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a

través del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la región

superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con

la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación

de la operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada,

mayor será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la región

de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unión p-n esté
 16

inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de

compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A

es una importante característica del JFET.

Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET

de canal n .

Explicación de su encapsulado e identificación de sus terminales.

La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones

en una misma oblea de silicio, permitió crear los circuitos integrados o chips, base de

todos los aparatos electrónicos modernos. Conectados de manera apropiada, permite

amplificar señales muy débiles, convertir energía, encender o apagar sistemas de

 17

elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio,

etc.

Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores

tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una

enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues

funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente. En la actualidad, existen

una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control

actúa por medio de campo eléctrico), los tipos unijuntura, los MOS o de óxido metálico

(variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar

grandes potencias y tensiones), etc.

Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo

ruido eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de

conmutación, etc.
 18

Amplificador buffer
Un amplificador búfer (del inglés buffer amplifier), a veces llamado simplemente búfer,

es un dispositivo electrónico que sirve para hacer adaptación de impedancias entre

circuitos. Existen dos tipos básicos de búferes: de corriente y de voltaje

Buffer de corriente

Se utiliza para transferir una corriente desde un primer circuito, que tiene un nivel de

salida de baja impedancia, a un segundo circuito con una entrada de alta impedancia.

El búfer impide que el segundo circuito cargue demasiado al primero, provocando un

funcionamiento incorrecto. En un búfer ideal la impedancia de entrada es cero y la

impedancia de salida es infinita. En un búfer de corriente, la ganancia suele ser 1 y la

corriente no varía.
 19

Buffer de voltaje

Se utiliza para transferir una tensión de un primer circuito, que tiene un nivel de salida

de alta impedancia, a un segundo circuito con un nivel de entrada de baja impedancia.

El búfer impide que el segundo circuito cargue demasiado al primero, provocando un

funcionamiento incorrecto. En un búfer ideal, la resistencia de entrada es infinita y la

resistencia de salida es 0. En un búfer de voltaje, la ganancia suele ser 1, el voltaje no

varía.

IMPLEMENTACIONES

Buferes de voltaje.

Operacional

Un búfer de ganancia unidad se puede construir con un amplificador

operacional seguidor de tensión. La señal se introduce por la entrada no inversora del

amplificador operacional (Vin). A causa de la realimentación de la entrada inversora

con la señal de salida, se obtiene la señal de entrada con ganancia de 1.

 20

Transistores
También se pueden crear este tipo de dispositivos con transistores bipolares y NMOS.

Como se puede observar, la implementación suele ser muy sencilla.

Buferes de corriente
Estos búferes se realizan con la configuración de colector común de un transistor

bipolar. Estos circuitos requieren de una fuente de corriente.

 21

AMPIFICADORES
Un amplificador es un dispositivo que es capaz de aumentar la amplitud de un

fenómeno, como se ha visto estos dispositivos y muchos otros suelen presentar

capacitancias parasitas a altas frecuencias y muchos otros fenómenos que obligan a

que el amplificador no sea estable o que la amplitud no sea muy buena. En el

trabajo en comunicaciones análogas es común diseñar dispositivos que operan a altas

frecuencias como la radiofrecuencia.

AMPLIFICADORES RF

Los amplificadores de RF son sencillamente dispositivos en los que se tienen en cuenta

parámetros que incrementan proporcionalmente con la frecuencia y que influyen en la

respuesta del mismo con el tiempo, estos dispositivos son importantes

para poder analizar fenómenos y utilizarlos a más grande escala.

Estos amplificadores por lo general son proyectados con transistores FET como su

componente activo, los transistores BJT pueden ser usados, pero se prefieren los FET

por su alta impedancia de entrada, lo que mejora mucho la sensibilidad del circuito.Los

amplificadores de poder de RF son las últimas etapas activas antes de la antena de

transmisión. Suministran toda la amplificación de potencia necesaria para radiar la

señal de RF al espacio.
 22

FUNCIONES DE LOS AMPLIFICADORES RF

El amplificador de radiofrecuencia, cumple dos funciones:

 1.) Elevar el nivel de la portadora generada por el oscilador.

 2.) Servir como amplificador separador para asegurar que el oscilador no es

afectado por variaciones de tensión o impedancia en las etapas de potencia.

Existen etapas amplificadoras de RF, estas etapas de un transistor amplifican la señal

de RF a un nivel suficientemente elevado para operar la antena. Las etapas más

comunes amplificadoras son dos tipos:

Los amplificadores de voltaje y los amplificadores de poder. Los amplificadores de

voltaje preceden a los amplificadores de poder y generalmente sirven para un doble

propósito:

 Aíslan o amortiguan la fuente de RF del amplificador de poder para impedir que el

último cargue al primero.

 Suministran una amplificación de voltaje para operar el amplificador de poder.

Generalmente los amplificadores de voltaje operan como amplificadores de clase A

debido a que la linearidad es un factor importante en el propósito para el que

sirven.
 23

CARACTERISTICAS DE UN AMPLIFICADOR RF
Estos amplificadores de RF son de alta ganancia, bajo ruido y sintonizado, que, cuando

se usan, es la primera etapa activa que encuentra la señal recibida.

Los objetivos primarios de una etapa de RF son selectividad, amplificación y

sensibilidad, siendo estas mismas sus características:

 Amplificación: la señal que llega a la antena por lo general es muy baja, para esto, la

amplificación es necesaria, este amplificador debe tener características muy bajas

de ruido y debe estar sintonizado para aceptar solo las frecuencias de la portadora y

la de las bandas laterales, para eliminar las interferencias de otras estaciones y para

minimizar el ruido de entrada.

 Selectividad: Este parámetro mide la capacidad de un receptor en diferenciar entre

las señales deseadas y las otras, entre aceptar una determinada banda de

frecuencias y rechazar otras. Por ejemplo en AM a cada estación se le asigna un

ancho de banda de 10KHz. Para que un receptor seleccione solo aquellas

frecuencias asignadas a un solo canal, debe limitar su ancho de banda a 10KHz. Si el

ancho de banda es mayor o menor a 10KHz las va a rechazar.

Forma de describir la selectividad. Una forma frecuente es especificar el ancho de

banda del receptor en los puntos de atenuación de -3db y de -60db.La relación de esos

dos anchos de banda se llama factor de forma, y se define con la siguiente ecuación:
 24

SB=B(-60db)B(-3db) en el caso ideal, el ancho de banda en los puntos de -3db y de -

60db seria igual, y el factor de forma seria 1. Los factores de forma normales varian

entre valores cercanos a 1 y 2.

Sensibilidad: La sensibilidad de un receptor es el nivel mínimo de la señal de RF que se

puede detectar a la entrada del receptor y producir una señal útil de información.El

rango de sensibilidad de un receptor varía desde los milivolts para receptores de

bajo costo hasta la región de los nanovolts para unidades muy sofisticadas.En general

se usa la relación de señal a ruido y la potencia de la señal a la salida del audio, para

determinar la calidad de una señal recibida y determinar si es útil. Para receptores

normales, se considera como útil una relación de señal a ruido de 10db o mas, con ½ W

(27dBm) de potencia a la salida de la sección de audio. En definitiva las características

de un amplificador RF esencialmente se puede decir que son:

 Bajo ruido.

 Ganancia de moderada a alta.

 Baja distorsión por intermodulación y armónica (tener operación lineal).

 Selectividad moderada.

 Alta relación de rechazo de frecuencia imagen.

 25

PARTES DE UN AMPLIFICADOR RF

 Puerto de entrada y salida: estos son la impedancia de entrada, que es la

impedancia del generador, la cual tiene un valor típico de Zs=50O; y la impedancia

de salida, que es representada por la impedancia de la carga, en la cual también se

utiliza un valor de ZL=50O.

 Redes de adaptación: estas redes se encargan de convertir (adaptar) una

impedancia especifica a otra y por lo general son sin pérdidas, es decir, no tiene

elementos disipativos. En el caso de la red de adaptación de salida (OMN, por sus

siglas en ingles) se convierte una impedancia que se observa en la salida del

transistor a la impedancia de la carga. En los amplificadores de múltiples etapas

existen redes de adaptación de interetapa las cuales adaptan la salida con la entrada

de los transistores.

 Transistor: Los amplificadores lineales (pequeña señal) utilizan un transistor

operando en modo lineal (modo activo para BJT, saturación para FET), a bajas

frecuencias se utiliza el modelo de pequeña señal, pero en frecuencias de RF

y microondas aparecen elementos parásitos que hacen más complejo el análisis con

este modelo, por esta razón se utilizan los parámetros S del transistor que permiten

un análisis más simple y exacto.

 26

 Red de polarización: se encarga de mantener fijo el punto de operación en DC del

transistor. La red de polarización puede ser activa o pasiva, es importante

mencionar que los parámetros S del transistor están en función del punto de

operación en DC, y por lo tanto, los parámetros S son validos solamente para las

condiciones de polarización en los cuales fueron medidos. Es por esta razón que la

red de polarización debe mantener fijo el punto de operación en DC.

FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

Un circuito integrado esta formado por un monocristal de silicio de superficie

normalmente comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que contiene elementos activos y

pasivos. En este capitulo se describen cualitativamente los procesos empleados en la

fabricación de tales circuitos. estos procesos son: Preparación de la oblea, Crecimiento

Epitaxial, Difusión de Impurezas, Implantación de Iones, Crecimiento del Oxido,

Fotolitografia, Grabado Químico y Mentalización. Se emplea el proceso múltiple que

ofrece una excelente identidad de resultados en la producción de un elevado numero

de circuitos integrados a bajo costo.

 27

TECNOLOGÍA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS MICROELECTRÓNICA

El termino "monolítico" se deriva de las palabras griegas mono que significa único, y

lithos que significa piedra. Así un circuito integrado monolítico se construye en una

única piedra o cristal de silicio. la palabra integrado se debe a que todos los

componentes del circuito: transistores, diodos, resistencias, capacidades y sus

interconexiones se fabrican como un ente único. Obsérvese que no se incluyen

inductancias: una de las consecuencias de la construcción de circuitos integrados

semiconductores es precisamente que no pueden conseguirse valores de inductancia

prácticos. La variedad de procesos con los que se fabrican estos circuitos se desarrolla

sobre un plano único y por tanto puede hablarse de tecnología planar.

 28

La figura 1(a) representa la estructura de un integrado bipolar, lo que es la

materialización del circuito de la figura 1(b). En la figura 2 se pueden ver varias capas

que son: regiones de silicio dopadas n y p, el dióxido de Silicio SiO2 denominada

también capa de oxido, y las zonas metálicas. Las capas de silicio forman los elementos

del sistema así como el Sustrato o Cuerpo en el que se construye el circuito integrado.

Además las zonas de silicio se emplean para aislar unos de otros componentes. para

formar las capas de silicio se emplean tres procesos distintos que son el epitaxial, de

difusión, y el de Implantación de Iones. La capa de oxido se utiliza para proteger la

superficie del chip de los contaminantes externos y para permitir la formación selectiva

de las regiones n y p. El oxido se elimina por corrosión química que descubre las partes

de la superficie en las que se deberán formar esas regiones n y p. Las zonas a corroer se

delimitan por técnicas de fotolitografia. La fina capa metálica se obtiene por deposición

química de vapor de aluminio sobre la superficie del chip. Para delimitar los trazos se

emplea la fotolitografia y mediante corrosión se elimina el aluminio sobrante dejando

solo las conexiones entre componentes. Las figuras 1 y 2 son solo parte de un conjunto

más complejo, sobre una oblea única de silicio se fabrican simultáneamente muchos de

tales circuitos. El cristal de silicio (oblea) forma el sustrato sobre el que se hacen todos

los componentes del circuito. En la actualidad las obleas empleadas tienen un diámetro

de 20 cm o más, y su espesor es de 0,2 a 0,3 mm, da la suficiente resistencia mecánica

 29

para impedir su flexión. Completando el proceso de fabricación la oblea se divide en

100 a 8000 partes rectangulares con 1 a 10 mm de lado. Cada una de estas partes

constituye un circuito único como la figura 3 que puede contener desde una decena

hasta varios cientos de miles.

 30

APLICACIONES DEL TRANSISTOR MOSFET

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,

consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones

de MOSFET discretos más comunes son:

- Resistencia controlada por tensión.

- Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).

- Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

APLICACIONES DE LA TECNOLOGÍA CMOS

La tecnología CMOS es de amplísima aplicación en el día de hoy. Es la base principal de

la electrónica debido a la excelente capacidad de compactación. En electrónica digital la

mayor parte de los circuitos integrados cuentan con esta tecnología, es decir,

procesadores, tarjetas gráficas, memorias, placas base, etc. Además por su reducido

consumo, es aplicada para la elaboración de circuitos integrados de elementos

portátiles, que de otra manera por su elevado consumo no permitiría su uso continuado

por mucho tiempo. Además de su utilización en la electrónica digital, también son

utilizados en la elaboración de circuitos analógicos debido a dos características

importantes como son: la alta impedancia de entrada y la baja resistencia de canal.

Como la compuerta de un transistor MOS viene a ser un pequeño condensador no se

necesita una corriente de polarización, así para que un transistor funcione solamente se
 31

necesita una tensión de polarización. Un MOS saturado se comporta como una

resistencia cuyo valor depende de la superficie del transistor. Es decir, que si se le piden

corrientes reducidas, la caída de tensión en el transistor llega a ser muy reducida. Estas

características posibilitan la fabricación de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail",

en los que el margen de la tensión de salida abarca desde la alimentación negativa a la

positiva. También es útil en el diseño de reguladores de tensión lineales y fuentes

conmutadas.
 32

CONCLUSIONES:
- Los dispositivos FET son capaces de controlar la corriente de salida por medio de una

fuente de voltaje.

- Los FET son más utilizados en la industria gracias a su facilidad de construcción,

dimensiones y costes.

- Existen diferentes tipos de FET entre los que más destacan son los MOSFET,

amplificadores de RF y antes mencionados en el marco teórico.

- Gracias al avance tecnológico, los integrados se han ido rediciendo de tamaño

considerablemente llegando a los nanómetros, esto es beneficioso en cuanto a las

eficiencias energéticas y a la disminución de espacio, pero a su vez se hace más

complicado la red de interconexión, además que se vuelven mas sensibles a los cambios

de corriente.

- La utilización de los FET en la industria esta en pleno crecimiento, ya que la

implementación de automatización en las industrias tiene mas acogida y por tal motivo,

los integrados tendrán una mayor presencia en el trabajo de un Ing. Electrónico.

 33

BIBLIOGRAFIA
- http://www.interempresas.net/Electronica/Articulos/180228-Componentes-
electronicos-para-la-nueva-industria.html
- http://www.ieec.uned.es/investigacion/Dipseil/PAC/archivos/Informacion_de_
referencia_ISE3_1_1.pdf
- http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/02-
FABRICACION%20DE%20CIRCUITOS%20INTEGRADOS.pdf
- https://es.wikipedia.org/wiki/Fabricaci%C3%B3n_de_circuitos_integrados
- http://www.angelfire.com/la/SEMICONDUCTORES/cipruev.html
- https://blogs.publico.es/ignacio-martil/2017/04/21/como-se-fabrica-un-chip/