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Electrónica de Potencia

Ing. Msc Dario Jaramillo


email:
mjaramillo@ups.edu.ec
CAPITULO I

DIODOS DE POTENCIA Y CIRCUITOS

Electrónica de Potencia - Ing. Dario Jaramillo Msc.


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BIBLIOGRAFIA BASE

[1] E. BALLESTER; R. PIQUÉ, "Electrónica de


Potencia: Principios Fundamentales y Estructuras
Básicas", México, Alfaomega, 2012.
BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA

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[2] A.M. Trzynadlowski, Introduction To Modern
Power Electronics, John Wiley & Sons, 2010.
[3] H. Yoshihide, Handbook Of Power Systems
Engineering With Power Electronics Applications,
Wiley, 2013.
[4] G. Enriquez Harper, Electrónica De Potencia
Básica, Limusa, 2010

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Potencia
Características de los diodos de

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Introducción

Los diodos semiconductores de potencia juegan


un papel significativo en los circuitos electrónicos
de potencia.

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1. Un diodo funciona como un interruptor
(rectificadores, transferencia de energía entre
componentes, aislamiento de voltaje, entre otras).

2. Para la mayor parte de de las aplicaciones, se


puede suponer que los diodos de potencia son
INTERRUPTORES IDEALES, pero los diodos
reales difieren de las características ideales y
tienen ciertas limitaciones.
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3. Se puede decir que los diodos de potencia son
similares a los diodos de señal de unión pn.

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Sin embargo, los diodos de potencia tienen
mayores capacidades en el manejo de la
energía, el voltaje y la corriente, que los
diodos de señal ordinarios .

4. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de


conmutación) es baja en comparación con los
diodos de señal ordinaria.
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Características de los diodos

Un diodo de potencia es un dispositivo de unión


pn de dos terminales.

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Cuando el potencial del ánodo es positivo con
respecto al cátodo, se dice que le diodo tiene
polarización directa o positiva y el diodo conduce.

- Un diodo en conducción tiene una caída de


voltaje directa relativamente pequeña a
través de si mismo; la magnitud de esta
caída de voltaje depende del proceso de
manufactura 8
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Cuando el potencial del cátodo es positivo con
respecto al ánodo, se dice que le diodo tiene
polarización inversa o negativa y el diodo NO
conduce.
- Bajo condiciones de polarización inversa,
fluye una pequeña corriente inversa
(también conocida como corriente de fuga)

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- La corriente de fuga producida esta dentro
de los rangos de los miliamperios, cuya
magnitud crece lentamente en función del
voltaje inverso , hasta llegar al voltaje de
avalancha o zener.

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Las características V – I mostradas en la figura
anterior, se pueden expresar mediante una
ecuación conocida como ecuación de Shockley,
para las regiones de polarización en directa y en
inversa:

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A una temperatura ambiente de 2 grados
centígrados, el voltaje VT será?

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Como cambia el voltaje VT si se incrementa el
valor de la temperatura a 27 grados centígrados?
Es el valor de VT directa o inversamente
proporcional a la temperatura?

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Sin embargo las características del diodo se
pueden dividir en tres regiones:

1. Región de polarización
directa, donde VD > 0.

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2. Región de polarización
inversa, donde VD < 0.

3. Región de ruptura, donde


VD < -VZ.

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REGION DE POLARIZACION DIRECTA

• En la región de polarización
directa, VD > 0.

• La corriente del diodo ID es


muy pequeña si el voltaje del

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diodo VD es menor que VTD
(típicamente 0.7)

• El diodo conduce totalmente si


VD es mayor que este valor
VTD, que se conoce como el
voltaje umbral, voltaje de corte
o voltaje de activación.

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REGION DE POLARIZACION DIRECTA

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Con valores positivos de VD
el primer término de la
ecuación anterior crecerá
con rapidez y anulará por
completo el efecto del
segundo término

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

• En la región de polarización
inversa, VD < 0.

• La corriente del diodo ID


aparentemente permanece

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constante, a pesar que se
incremente el voltaje en inversa.

• Cuando el existe la transición de


directa a inversa y el VD = 0, la
corriente del diodo será 0.

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

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Con valores negativos de VD
el término exponencial se
reduce con rapidez por
debajo del nivel de I y la
ecuación resultante para ID
es:

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

• En la región de ruptura, el voltaje


inverso es alto, por lo general
mayor a 1000V.

• La magnitud del voltaje inverso

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excede un voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura,
VBR.

• La corriente inversa aumenta


rápidamente con un pequeño
cambio en voltaje inverso mas allá
del VBR.

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

• La operación en la región de
ruptura no será destructiva,
siempre y cuando la disipación de
la potencia este dentro del nivel

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seguro especificado en la hoja de
datos del fabricante.

• A menudo es necesario limitar la


corriente inversa en la región
de la ruptura, a fin de mantener
la disipación de la energía dentro
de valores permisibles.

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Ejemplo

La caída de voltaje directa de un diodo de


potencia es VD=1.2V a ID=300A.
Suponiendo que n=2 y VT=25.8mV,

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encuentre la corriente de saturación IS.

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CARACTERISTICAS DE RECUPERACION
DEL DIODO DE POTENCIA EN INVERSA

Cuando un diodo esta en modo de conducción


directa y su corriente se reduce a cero, el diodo
continua conduciendo, debido a los portadores
minoritarios que pertenecen almacenados en la

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unión pn y en el materia del cuerpo del
semiconductor.
Los portadores minoritarios requieren de un
cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse. Este tiempo se conoce
como tiempo de recuperación inversa del diodo.

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En la figura 2-3 se muestra dos características de
recuperación inversa de diodos de unión. El mas
común es el tipo de recuperación suave.

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• El tiempo de recuperación inversa se
denomina trr y se mide a partir del cruce de
cero inicial de la corriente del diodo con el 25%
de la corriente inversa máxima (o de pico), IRR.
• El tiempo de recuperación inversa trr esta
formado por dos componentes , ta y tb.
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• El tiempo de recuperación inversa trr, puede
definirse como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa a través de
cero, durante el cambio de la conducción directa
a la condición de bloqueo inverso, y el momento
en que la corriente inversa se ha reducido al 20%
de su valor inverso pico iRR.
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• ta esta generado por el almacenamiento de
carga en la región de agotamiento de la unión
y representa el tiempo entre el cruce por cero y
la corriente inversa poco, IRR.
• tb es debido al almacenamiento de carga en el
material del cuerpo del semiconductor.
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• La relación ta/tb se conoce como factor de
suavidad, SF.
• La corriente inversa pico se puede expresar
en di/dt inversa como,

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La carga de recuperación inversa QRR, es la
cantidad de portadores de carga que fluyen a
través del diodo en dirección inversa debido a un
cambio de conducción directa a la condición de
bloqueo inverso. Su valor queda determinado por
el área encerrada por la trayectoria de la
corriente de recuperación inversa.

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La carga de almacenamiento, que es el área
envuelta por la trayectoria de la corriente de
recuperación es aproximadamente:

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Como:

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Si tb es despreciable en comparación con ta, que
por lo general es el caso, trr ≈ ta, entonces

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Ejemplo

El tiempo de recuperación inversa de un


diodo es trr = 3 us y la velocidad de
decremento o de la reducción de la
corriente del diodo es di/dt = 30 A/us.

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Determine (a) la caga de almacenamiento
QRR y (b) la corriente inversa pico IRR.

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Ejercicio 1

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Ejercicio 2

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