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Electrónica de Circuitos

Amplificadores de varias etapas


Fuentes de Corriente
Amplificadores Diferenciales
Amplificadores Integrados

Grado en Ingeniería Electrónica de Comunicaciones


Grado en Ingeniería en Sistemas de Telecomunicación
Grado en Ingeniería en Tecnologías de la Telecomunicación
Grado en Ingeniería Telemática
Referencias

Gráficos usados procedentes de:


• Microelectronic Circuits - Fifth Edition - Sedra/Smith Oxford Univ. Press
• Circuitos Electrónicos - N.R. Malik - Prentice Hall, 1988
•Electrónica, 2ª ed. Allan R. Hambley. Pearson Educación.

de sus respectivas editoriales

Parte de este material ha sido generado en colaboración con el equipo docente CEAN-ETSIT-UPM
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 2 de 88
Índice
1.0. Conceptos previos necesarios esenciales
1.0.1. Resolución básica de un cto. amplif. con BJT’s y/o MOS’s
1.0.2. Amplificadores de una etapa: Resumen configuraciones

1.1. Introducción
1.1.1. Motivación de los Amplificadores Integrados

1.2. Amplificadores de varias etapas


1.2.1. Introducción
1.2.2. Acoplo entre etapas
1.2.2.1. Acoplo capacitivo
1.2.2.2. Acoplo directo.
1.2.2.2.1 Acoplo directo entre TRT’S
- Par Darlington.
- Par Cascodo.
1.2.3 Amplificadores Integrados (ej. AO 741)
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Índice
1.3. Fuentes y espejos de corriente
1.3.1. Introducción.
1.3.2. Espejo de corriente (básico).
1.3.3. Fuente Wilson
1.3.4. Fuente Widlar
1.3.5. Fuentes múltiples
1.3.6. Fuentes de corriente con unipolares
1.4. Amplificadores Diferenciales
1.4.1. Introducción
1.4.2. Par diferencial
1.4.3. Amplificador Diferencial (A.D.) básico
1.4.4. A. D. con REF (R emisor)
1.4.5. A. D. acoplado por fuente
1.4.6. A. D. con cargas activas
1.4.7. A. D. Integrados
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Contexto

 Objetivos
 Conocimiento de las configuraciones multietapa de
amplificación, incluyendo las características DC y AC de los
amplificadores diferenciales.
 Conocimiento de las configuraciones prácticas de fuentes de
corriente, sus usos y aplicaciones.
 Capacidad de análisis de las características y propiedades de las
etapas de amplificación típicas en circuitos integrados,
basadas en amplificadores diferenciales, con fuentes de corriente
y cargas activas.

 Conocimientos previos
 Asignaturas previas:
 Electrónica básica:
 Tema 1.- Amplificación. Amplificadores reales: efectos de carga. Amplificadores
multietapa. Amplificadores diferenciales.
 Tema 4.- Transistores en amplificación.

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Conceptos previos necesarios esenciales
Resolución básica de un cto. amplif. con BJT’s y/o MOS’s
1º) Analizar cto. en continua → Condensadores (C’s): cto. abierto; generadores continua: se
dejan; generad. señal: sustituir por cortocto. si son de V, cto. abierto si son de I. TRT’s en zona lineal:

 IC  I B  IG  0
Bipolar  MOS 
 k
VBE  VBE   2
 I D (VGS V t )
2
2º) Analizar cto. en pequeña señal → C’s (cuya ωC>>): cortocto.; generad. continua: sustituir por
cortocto. si son de V, cto. abierto si son de I; generad. señal: se dejan. Sustituir cada TRT por su modelo:

Bipolar (npn o pnp) MOS (canal n o canal p)

i b

 VT V  r0  VA / I D
r  ; r0  A 
 IB IC gm  k (VGS  Vt )  2k I D
 g mr  
(V  V ) g
pequeña señal : vbe  5mV pequeña señal : vgs  GS t  m
5 5k
3º) Aplicar superposición (ejemplo: iC  I C  i c )
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Conceptos previos necesarios esenciales
Amplificadores de una etapa: Resumen configs. BJT’s

iout Nota.- En todas las config., entrada vi con resistencia asociada Ri

iin +

+ vo
v_i _
(EC)
   
Rin Rout

iin iout

+ +

vi vo  r 1
  re   ro [1  g m ( Ri || r )]
(BC) _ _  1  1 
gm
g m r  
Rin Rout
 1  

iout

iin +

+ vo
vi _
(CC) _

1 
 
Rin Rout

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Conceptos previos necesarios esenciales
Amplificadores de una etapa: Resumen configs. MOS’s
Av Ai Rin Rout
iout

iin
Fuente común +
-gmRL ∞ ∞ ro
+ vo
vi _ _
 

iin iout
+ vo
+
Puerta común vi
gmRL 1 1/gm ≈ ro(1+gmRi)
_ _
 


iout
vo
iin
+
+
Drenador común vi gmRL/(1+gmRL)   1/gm
_ _
Rin
Rout 1 

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Introducción
Motivación de los Amplificadores Integrados
 En la actualidad, se demanda una muy alta escala de
integración en los sistemas electrónicos.
 Razones de todo tipo: consumo, portabilidad, coste, etc.
 Afecta a todos los sistemas: digitales o analógicos
 Amplificadores Integrados
 En un sólo dispositivo incluyen todos los circuitos necesarios
para el desarrollo de la función de amplificación demandada.
 Un ejemplo:
 El Amplificador Operacional
 Amplificador diferencial con características
próximas a las ideales
 Diseño de aplicaciones fácil y flexible, sin
necesidad de redes de polarización, acoplo
y desacoplo de señales

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Amplificadores de varias etapas
Introducción
 Los Amplificadores Integrados se construyen combinando entre
sí múltiples bloques funcionales elementales:
 Polarización, amplificadores de diversos tipos, etc.

 Son un caso particular de amplificadores multietapa


 Un amplificador multietapa está constituido por un conjunto
de amplificadores básicos conectados entre sí

 Objetivos de un diseño multietapa muy variados.


 Obtener una ganancia global mayor que con una sola etapa.
 Obtener unas impedancias en entrada y salida, adecuadas a la
aplicación.
 Adaptar las características de la señal a las especificaciones
dadas, en tensión, corriente, frecuencia, potencia, etc.
 Aprovechar los puntos fuertes de cada configuración básica y al
mismo tiempo compensar o disminuir sus puntos débiles.

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Amplificadores de varias etapas
Introducción
 Una estructura típica
 Tres etapas: de entrada, intermedia, y de salida.

Etapa
Etapa de Etapa de
Genr. inter- Carga
entrada salida
media

 Criterios de diseño
 Etapa de entrada:
 Adaptarse al generador de señal. Impedancia de entrada. Niveles de
ruido
 Etapa intermedia:
 Ganancia adicional. Adaptar niveles entre etapas de entrada y salida.
 Etapa de salida:
 Adaptarse a la carga. Impedancia de salida. Niveles de potencia o
amplitud final de la señal deseada.

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Amplificadores de varias etapas
Introducción
 Para obtener la ganancia global del amplificador, se analiza el
conjunto de etapas básicas y a partir de sus modelos equivalentes
en pequeña señal (amplificador de tensión, corriente…) se obtiene
el modelo equivalente del amplificador completo.
 Ejemplo: amplificador de 3 etapas básicas (EB1,EB2 y EB3)
¿Zi? ¿Zo?

EB3 R L conex. EB1 EB2 conex. v s  EB1


conex.
    conex. EB2 EB3

   
     
v v v v v RL Zi3 Zi2 Zi1
A v  o  o i3 i2 i1  A v3 A v2 A v1
v s v i3 v i2 v i1 v s R L  Zo3 Zi3  Zo2 Zi2  Z o1 Zi1  R S
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Amplificadores de varias etapas
Introducción
 Un problema a resolver
 El acoplo (forma de conexión... ) entre etapas:

Etapa
Etapa de Etapa de
Genr. inter- Carga
entrada salida
media

 Necesidad
 Transferir la señal a través de todas las etapas.

 Restricciones
 No interesa modificar los puntos de trabajo ni alterar las
características de cada etapa, del generador y de la carga.
 Debe transferirse la señal en las mejores condiciones posibles, sin
alterar la información incluida en ella.
 Ausencia de distorsión, con las componentes de frecuencia de interés, etc.

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Amplificadores de varias etapas.
Acoplo entre etapas

 El acoplo entre las etapas puede ser realizado básicamente de tres


formas:

 acoplo directo (conexión directa, acoplo DC)

 acoplo capacitivo (mediante condensador)

 acoplo inductivo (mediante bobina o transformador; obsoleto


en audiofrecuencias, pero común en RadioFrecuencias)

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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo capacitivo

 Acoplo capacitivo: Sencillo. Evita problemas de polarización en DC


(ZC=∞ en DC, polarización independiente de cada etapa):

Etapa 1 Etapa 2

La impedancia de Cx es tal que 1


resulta un cortocircuito (c.c.) a Z Cx  
  Cx
las frecuencias útiles de la señal:

 No amplifica DC.

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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo capacitivo
 Condensadores de ACOPLO y DESACOPLO

Pequ.
señal

 ¿A qué frecuencias se comportan como cortocircuitos?...


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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo capacitivo
 Ejemplos:
 Generador sinusoidal de 1 KHz, Rg = 1K
 Acoplo/desacoplo de generador/resistencia:

 C = 1pF (|ZC| ~ 159M) 1


ZC 
 C = 100nF (|ZC| ~ 1,59K)  C
 C = 1F (|ZC| ~ 159)
 C = 10F (|ZC| ~ 15,9)

Desacoplo
Perderemos relativo
ganancia

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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo capacitivo

 También podemos acoplar etapas con operacionales.


 ¡Ojo!: hay que respetar el funcionamiento de los componentes
internos (respetar la polarización –bias- de las entradas):
 No poner condensador directamente a la patilla V+ o V-
(impide circular por ellas las corrientes de polariz. necesarias)

C1

R1
R2

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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo capacitivo
 En general, con amplificadores operacionales:
 Si podemos hacer acoplo directo, perfecto
 Si no, ¡cuidado con garantizar polarización! RA permite el
flujo de la corriente
de polarización de V+

C1
RA

R1
 Idealmente: RA=R1//R2 R2

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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo directo entre TRT’s. Par Darlington

 Par Darlington: 2 TRTs unidos


de modo: Ejemplo de diseño:

 IC  IC1  IC2  β1IB1  β2IB2  β1IB1  β2( β1  1)IB1



 IB  IB1
 IE  IE2  ( β2  1)IB2  ( β2  1)IE1  ( β2  1)( β1  1)IB1

 Par Darlington, en gran señal, equivale a un único TRT de:

equivale IC VBET  1,2V ( VBE1  VBE2 )  0,6V  0 ,6V


IB
IC
IE βT   β1  (1  β1)β2  β1β2
IB

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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo directo entre TRT’s. Par Cascodo

 Par cascodo: TRT en emisor común seguido de TRT en base


común.
 Ventaja: Mejora el ancho de banda.
Ejemplo de diseño:

Base común

Emisor común
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Amplificadores de varias etapas
Acoplo entre etapas: acoplo directo
 Se pueden eliminar los condensadores de entrada, salida y entre
etapas
 Usando alimentación simétrica y con una polarización más compleja
(influenciada ahora por RT y RL y con polarización de Q2 dependiente de la
de Q1) tal que la componente DC de vIN y vOUT sea cero:

en vOUT ya no se
precisa eliminar la
componente DC

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Amplificadores de varias etapas
Amplificadores Integrados (ejemplo AO 741)
 Puede dividirse en distintos bloques funcionales:
 Redes de polarización, mediante fuentes de corriente
 Etapas de amplificación estándar: diferencial, tensión (emisor común), potencia

Amplif. dife. transcond. Amplif. tensión Amplif. pote.

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Fuentes de corriente
Introducción
 Son elementos básicos usados para polarización (en Ampli. Integr…)
 Internamente usan TRT’s con cortocircuito B-C o G-D, cuyas
principales características son:
 Característica en continua
 TRT obligado a trabajar en zona lineal (activa o saturación en unip.)
 Característica en pequeña señal
 Circuito equivalente: una resistencia (generador dependiente cuya
intensidad depende de su propia diferencia de potencial  R  v  1 )
Ley Ohm
V  I R
g m v g m

 1
BJT gm r    r  
gm gm

FET

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Fuentes de corriente
Espejo de corriente (básico)
 Una fuente básica es la conocida como “espejo de corriente”
Si Q1 y Q2 son idénticos y están a la misma temperatura T:
IC
VBE 1  VBE 2  VBE IC1  IC 2  IC  I B1  I B2 

IC1  IS e (VBE / VT )
 IC 2
IC  2
I ref  I C1  I B1  I B 2  I C  2  I C 1  
  
Si β>>1 se tiene:
I O  I C 2  I ref
I C1  I C 2  I ref
VCC  VBE
I ref 
R

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Fuentes de corriente
Espejo de corriente (básico)
 La fuente funciona mientras el transistor de salida no se sature
 La salida vIo de esta fuente es vCE2 por tanto:
IC2 =IO
+
vIo
-

Tensión mínima de trabajo !Importante!:

vIo  vCE 2  VCEsat


(en definitiva: vIo  VIo min )

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Fuentes de corriente
Espejo de corriente (básico)
 ¿Circuito equivalente en pequeña señal del espejo de corriente?
VT IO
r  r 1  r 2   ; g m  g m1  g m 2 
IO VT
c1=b1=b2 ib2 c2 VA
ro 
IO
1 vbe2 gm· vbe2
R gm rπ r0

IO  IC 2 e1=e2 e2

Q1 con cortocircuito B-C en


pequeña señal equivale a R=1/gm
(cto. abierto)
ib 2 r  ib 2 [(1 / g m ) || R ]  0  ib 2  0  vbe 2  0  g m vbe 2  0

VA
Equivale a una resistencia de valor: RO  rCE 2  ro 
IO
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Fuentes de corriente
Hay fuentes de corrientes con
resistencias en los emisores
(o solo en el el emisor de Q2
Espejo de corriente (básico) como la fuente Widlar)

 ¿Cómo sería el espejo de corriente con transistores pnp?


 Sustituimos transistores npn por pnp
 Intercambiamos Vcc y masa, para que las corrientes sean positivas entrando a los
emisores (positivas saliendo de colectores y bases)
 Cambiamos el sentido de las corrientes (además ahora serían positivas VEB y VEC)

(Con VCC arriba)

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Fuentes de corriente
Fuentes múltiples
 En un Amplificador Integrado,
varias fuentes pueden utilizar la
misma corriente de referencia.
Circuito ejemplo →
 La corriente a través de R1 sirve
como referencia para las cuatro
fuentes de corriente.
 Q1 y Q2 forman un espejo de
corriente básico.
 Q1 y Q3 forman una fuente
Widlar, donde I3<Iref
(demostración en anexos)

 El mismo funcionamiento se
tiene para los transistores pnp:
 sólo se diferencian en el sentido de
la corriente y en la polaridad de la
tensión

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Fuentes de corriente
Fuentes de corriente con unipolares

 Espejo de corriente MOSFET

VDD  VGS k
 VGS  Vt 
2
I O  I D 2  I ref 
R 2
Iref
Io=ID2

…análogas a diseños con BJT´s

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Amplificadores diferenciales
Introducción. Excitación diferencial y común
 Modo diferencial, referido a ‘la
diferencia’ entre las entradas.
v0  Modo común, referido a la
(una o dos salidas) ‘parte común’ entre las entradas

vid vicm
vo  vo  vo  Ad vid  Acm vicm

1
vid
vid  vi1  vi 2 vi1   vicm
2
vi1  vi 2 v
vicm  vi 2   id  vicm
2 2 2
vi 1 + vi2 +
_ _

¡Equivalentes!
generadores modelo para
de entrada los generadores
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Amplificadores diferenciales A veces nombramos como Zd,
Zcm, Zcx, Zo (en vez de Rd, Rcm…)
Modelo pequeña señal. CMRR
 Cada modo tiene una ganancia (Ad, Acm) e impedancia de entrada (Re) distinta
 Modelo del amplificador diferencial (pequeña señal):

 Rd 1  R e desde v ( 0,5v )
Rd  R e desde v  R d 1  Rd 2 siendo  i1 id 1

 Rd 2  R e desde vi 2 (  0,5vid 1 )
id  vi 1  vi 2
vi 1  vi 2  vid

Acm vicm Rd R
Rcm  Re desde v   Rcx  Rcx  Rcm  d
icm  vi 1  vi 2
4 4
 Rcm1  R e desde v ( v )
Ad vid Rcm  Rcm1 || Rcm 2 siendo  i1 icm

 Rcm 2  R e desde vi 2 ( vicm )


vi 1  vi 2  vicm
v v
vo id vo icm
Ad  ; Acm 
vid vicm
Normalmente:
vs vs
Ad >> Acm ; Rcx >> Ro   siendo vs gen. salida con corriente is
is vid 0
is vicm 0

 CMRR (Common Mode Rejection Ratio): Relación de Rechazo al Modo Común:


CMRR(dB)  20 log Ad / Acm
 Interesa que sea muy grande para amplificar vid y rechazar vicm
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Amplificadores diferenciales
En modo diferencial las resistencias
Rd1=Rd2=0,5Rd están en serie y se
suman para obtener Rd. En modo
Resist. entrada modo diferencial, común común las resistencias Rcm1 y Rcm2
están en paralelo para obtener Rcm

 Excitación diferencial. Rd: Resist. de entrada diferencial (entre vid)


Rd1
Rd Rd
Rd vid
+
i R e desde vid  vi 1  vi 2
 Rd  Rd 1  Rd 2  
iRcx=0 Acmvicm 2 2
Rd2  v (0,5 Rd i  0,5 Rd i ) 
 nótese R e desde vid  id   Rd 
Ad vid  i i 
 Además v x  RcxiRcx  0  v x cortocircuito virtual ) 
  
 i Rcx  0 

 Excitación común. Rcm: Resist. de entrada en modo común (desde vicm)


Rcm1
Rd Rd
Rcm i1
Re desde v  Rcm   Rcx  Rcx  Rcm 
icm
4 4
+ i2=i1 Acm vicm
vicm
2i1 Rcm  Rcm1 || Rcm 2
Rcm2 (0,5 Rd i1  Rcx 2i1 ) Rd
 v 
Ad vid  nótese R e desde vicm  Rcm  icm    Rcx 
 ivicm 2i1 4 
 vicm 
 i1  i2 ( por simetría); Rcm1   Rcm 2 
 i 
 1 
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 33
Amplificadores diferenciales
Caso típico
 En muchas aplicaciones, el ruido enmascara la señal...
 ...pero si el ruido es parte común, se amplifica mucho menos
que la parte diferencial (señal útil).

Caso típico:ECG

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Amplificadores diferenciales
Par diferencial: estructura

iC1 iC2
 Conjunto de dos transistores:
vI1 vI2
 Unidos por los terminales de
referencia de ambos Q’s
 BJT: emisores unidos
 Par acoplado por emisor.
IO  FET: fuentes unidas
 Par acoplado por fuente.

 Polarización por corriente en el punto común: generador IO


 Estructura simétrica, referida al punto común.
 Dos entradas, una en cada transistor (base o puerta).

 El par diferencial es una configuración esencial en amplificación.


 Propiedades distintas ante señales en modo diferencial o común.
 Amplifica señales desde frecuencia cero (DC o muy lentas).

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Amplificadores diferenciales
Par diferencial: Función de transferencia
iC1 iC2 iC
iC2 iC1
vI1 vI2 IO

vE IO/2

IO 0
vID
-4VT -2VT 0 2VT 4VT
Las función de transfer. de transconductancia,
iC=f (vID), para ambas salidas son:

IO IO
iC 1  iC 2 
1  e  v ID / VT 1  e  v ID / VT
Si -VT<vID<VT, iC1,iC2=flineal(vID)  amplif. lineal (sin distorsión), Qóptimo: VID=0, IC1=IC2=I0/2
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Amplificadores diferenciales
Amplificador diferencial básico: Introducción
 Par diferencial con resistores (Rc) en colector.
 El montaje con VCC y RC permite pasar las corrientes iC a tensión y
mantener los TRT’s en activa.
• Tres formas de obtener
+VCC +VCC una tensión de salida:

Salidas asimétricas
vOD
vO1  VCC  iC 1 RC
iC1 vO1 vO2 iC2
vO 2  VCC  iC 2 RC

vI1 vE vI2
Salida simétrica o diferencial
IO
vOD  vO1  vO 2  (iC 2  iC 1 ) RC
-VEE

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 37 de 88


Amplificadores diferenciales
Amplificador diferencial básico: Salida diferencial
vOD
+VCC +VCC
+RC IO

vOD vID
iC1 vO1 vO2 iC2 0
vI1 vI2 -RC IO
vE -4VT -2VT 0 2VT 4VT

 v ID 
IO vOD   RC I O tanh  
-VEE  2VT 
 Ganancia en pequeña señal, en el mejor punto de trabajo (0,0):
vod  dv OD  IO IC
Add       RC   RC   g m RC
vid  dv ID  ( 0,0 ) d

tanh( x )  1  tanh 2 ( x )
2VT VT
dx
1  tanh 2 ( x ) 1
x 0

Si -VT<vID<VT, vOD=flineal(vID)  Qóptimo: VID=0, VOD=0; vOD= VOD+ vod = 0+ vod = 0+ Add vid
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 38 de 88
Amplificadores diferenciales
Amplificador diferencial básico: Polarización
 El mejor punto de trabajo, por
+VCC defecto, es el equilibrio: vID = 0.
IO IO
2 2  Pero además, hay que garantizar
el funcionamiento del diferencial
IO IO
VCC  RC VCC  RC
2 2  Con vID = 0 tiene que haber una
tensión, vICM , tal que:
 Q1 y Q2 estén en activa
vICM vE  la fuente de corriente IO
funcione adecuadamente,
para ello vIo ≥ VIomin

IO vIo  Los valores válidos de esta vICM


determinan el margen de
-VEE
entrada en modo común.

 Estos límites son diferentes en


cada circuito.
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 39 de 88
Amplificadores diferenciales
Amplificador diferencial básico: Polarización
 Margen de entrada modo común (¡IMPORTANTE!)
+VCC  Límite superior marcado por la
IO IO
2 2 saturación de los TRT’s Q1 y Q2
vCE  VCEsat  0,2V
I I
VCC  RC O VCC  RC O  I 
2 2 vCE  vC  v E  VCC  O RC    VBE  v ICM 
 2 
IO
vICM  VBE  VCEsat  VCC  RC
vICM vE 2
 Límite inferior marcado por IO que
requiere una tensión mínima
IO vIo v Io  v E  ( VEE )  VBE  v ICM  VEE  VIo min
-VEE v ICM  VBE  VIo min  VEE

Lím. sup. vDS  vGS  Vt  Fácil polarizar en vICM=0 entre:


¿Y si TRT’s
unipolares? Lím. infe. v Io  VIo min vICM min  vICM  vICM max
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 40 de 88
Amplificadores diferenciales
Amplificador diferencial básico: Pequeña señal
 Conocido el punto de trabajo (IC1 = IC2 ≈ IO/2) se obtienen los
parámetros de los TRT’s en pequeña señal (gm ,r …)
 Analizando el circuito en pequeña señal (modo común, diferencial)
se hallan los parámetros del diferencial: Zd, Zcm, Zcx, Zo, Ad, Acm, CMRR…
 El análisis se simplifica, con técnicas específicas → Teorema de Bartlett:

Modelo general: Circuitos simétricos


i1
va vb va vb
N ij N
N v jn
2 2
in

Excitación común Excitación diferencial


vicm vicm vid vid
N N N N 
2 2
2 2 2 2
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 41 de 88
Amplificadores diferenciales
Amplificador diferencial con REF (R emisor): Pequeña señal
 Un ejemplo: Diferencial con resistencia de emisor
 La R de emisor (REF) proporciona mayor Ze y mayor margen lineal que el
diferencial básico (sin REF), a costa de menor ganancia. (Hambley 7.5)
+VCC

vOD
vO1 vO2

vi1 vi2

IEE con R interna: REB


-VEE
 Del punto de trabajo (IC1=IC2≈IEE /2) se obtienen los parámetros de los TRT’s (gm ,r …)
y circuito en pequeña señal que se particulariza para excitación común y diferencial
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 42 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo común
Ganancia:
(1) : v icm  [ r  (   1) R EF ]ib1  (   1) R EB ( ib1  ib 2 )
( 2 ) : v icm  [ r  (   1) R EF ]ib 2  (   1) R EB ( ib1  ib 2 )
(1)  ( 2 )  0  [ r  (   1) R EF ]( ib1  ib 2 )
 ( ib 1  i b 2 )  0  ib 1  ib 2

vo1
Así:
v   ib1Rc  Rc Acm1vicm
Acm1  o1  
vicm [ r  (   1) REF ]ib1  (   1) REB (ib1  ib 2 ) 
ib 1  ib 2
REF  2 REB
(  1 )( R EF  2 R EB )  r

vo 2   ib 2 Rc  Rc
Acm 2     Acm1
vicm [ r  (   1) REF ]ib1  (   1) REB (ib1  ib 2 ) 
ib 1  ib 2
REF  2 REB
(  1 )( R EF  2 R EB )  r

Acm2vicm
vod vo1  vo 2  (ib 2  ib1 ) Rc
Acmd     0 (  Acm1  Acm 2 ) vo2
vicm vicm [ r  (   1) REF ]ib1  (   1) REB (ib1  ib 2 ) ib 2ib1
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 43 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo común
Impedancias de entrada y de salida:
vi1 v
Zcm1
Zo1 Zo2
Zcm2 Z cm1   r  (   1)( REF  2 REB )  i 2  Z cm 2
ib1 ib 2

Z o1  Rc  Z o 2

Rc
Zd /2 vo1
Acm1vicm
Zd /2
vicm Z
Z cm   Z cm1 || Z cm 2  cm1
ib1  ib 2 ib1ib 2 2 Zcx
Zd Acm2vicm
Z cm   Z cx
4 v
Rc o2
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 44 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo común
 Análisis mediante teorema de Bartlett → análisis “semicto.” (una mitad)
generalizando luego rtdo.

vi1  vi 2  vicm g m v  g m r ib  ib

vi1 vi2

J
Para visualizar circuito
simétrico la REB (Req de IEE)
ha de duplicarse.
Por simetría, en J se tiene iJ = 0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 45 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo común
 Análisis mediante teorema de Bartlett → “semicto.” izqda.
v
Z cm1  i1  r  (   1)REF  2 REB 
Zcm1 ib1
Zo1
Z o1  RC
vi1 v RC RC
Acm1  o1   
vicm r  (   1)REF  2 REB  REF  2 REB

¿Cambiará el análisis en el otro semicircuito (el


de la derecha, de entrada: vicm)? ¿Zcm total?

Z cm 2  Z cm1 Z o 2  Z o1
Efecto de la
impedancia Acm 2  Acm1
de IEE en señal
común
vicm Z cm1
Z cm  
ib1  ib 2 
ib 1  ib 2
2

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 46 de 88


Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo diferencial
Ganancia: vid
(1)  [ r  (   1) REF ]ib1  (   1) REB (ib1  ib 2 )
2
v
( 2)  id  [ r  (   1) REF ]ib 2  (   1) REB (ib1  ib 2 )
2
(1)  (2)
 0  [r  (   1) REF  2(   1) REB ](ib1  ib 2 ) 
 ib1  ib 2  v J  0
Así:
v vo1   ib1Rc R vo1
Ad 1  o1     c
vid vi1  vi 2 [ r  (   1) REF ](ib1  ib 2 ) 
ib 1   ib 2
2 REF
(  1 ) R EF  r

v vo 2   ib 2 Rc Rc
Ad1vid
Ad 2  o 2      Ad 1
vid vi1  vi 2 [ r  (   1) REF ](ib1  ib 2 )  2 REF
ib 1   ib 2

(  1 ) R EF  r
Ad2vid
vod vo1  vo 2  (ib 2  ib1 ) Rc  Rc
Add      2 Ad 1 (  Ad 1  Ad 2 )
vid vi1  vi 2 [r  (   1) REF ](ib1  ib 2 ) 
ib 1   ib 2
REF vo2
(  1 ) R EF  r

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 47 de 88


Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo diferencial
Impedancias de entrada y de salida:
vi1 v
Zd1
Zo1 Zo2
Zd2
Zd1   r  (   1) REF  i 2  Z d 2
ib1 ib 2

Z o1  Rc  Z o 2
Zo1
v01

v v vid Zd /2


Z d  i1 i 2  2r  (   1) REF   Z d 1  Z d 2  2 Z d 1 Ad1vid
ib1
 Z Z  Ad2vid
 Zd  d  d pues I Z cx  0
 2 2  Zd /2 Zcx
v02
Zo2
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 48 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo diferencial
 Análisis mediante teorema de Bartlett:
g m v  g m r ib  ib
vid
vi1  vi 2 
2

vi1 vi2

Se puede seguir viendo Por simetría, en J se tiene


como REB = 2REB || 2REB una “masa virtual”:
v J  0  iREB  0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 49 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Pequeña señal, modo diferencial
 Análisis mediante teorema de Bartlett → “semicto.” izqda.”
vi1
Zd1   r  (   1) REF
ib1
Z o1  RC
Zo1
Zd1 vo1 RC RC
Ad 1    
vi1 vid 2r  (   1) REF  
(  1 ) R EF  r
2 REF
¿Cambiará el análisis en el otro semicircuito
(entrada: –vid /2)? ¿Zd total?

vid
Zd1  Zd 2 ; Zd   2Zd 1
ib1

masa
Z o1  Z o 2  Rc
virtual
Rc
Ad 2   Ad 1  
2 REF
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 50 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: Modelo completo
 Combinando adecuadamente los análisis:
Zd vo1
Z d 1  r  (   1) REF 
2
 RC
Z d 2  r  (   1) REF + vicm
-
Acm1vicm r  (   1)REF  2 REB 
vid  vi1  vi 2
Z d / 2  + Ad 1v id   RC
vi1 - 2r  (   1) REF 
vid

- RC vi1  vi 2
vi2 Ad 2v id vid
+ 2r  (   1) REF  vicm 
Z d / 2  Z cx 2
-
Acm1vicm  RC
vicm
r  (   1)REF  2 REB 
+
Zd
Z cm  4  Z cx ; Z cx  (   1 )REB vo2
1
Z cm  r  (   1)REF  2 REB   Z cm1 CMRR 20log
| Ad1 | r  ( 1)(REF  2REB )
 20log 
2 2
| Acm1 | 2r  ( 1)REF 
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 51 de 88
Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF. Caso particular: REF =0
 Simplificación del anterior, eliminando REF (y recordando que: gmr=)

ZZd 1 rr  Z d
vo1 (v v )
v id

¿ Add  o 1 o 2 ?
d1  v id
2
ZZd 2 rr +  RC
d2  - Acm1vicm  vicm
2 REB
vid  vi1  vi 2
Z d / 2  + Ad 1vid g m RC
vi1 -  vid
2
- Ad 2vid g m RC vi1  vi 2
vi2 + vid vicm 
Z d / 2  Z cx 2 2

 RC
-
Acm1vicm
+  vicm (v v )
v icm

Zd 2 REB ¿ Acmd  o 1 o 2 ?
Z cm   Z cx ; Z cx  (   1 )REB v icm
4 vo2
r
Z cm   (   1) REB
CMRR 20log
| Ad1 | g R  / 2  20log(g R )
 20log m C
2 | Acm1 | RC /(2REB )
m EB

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 52 de 88


Amplificadores diferenciales
Amp. diferencial con REF: CMRR
 En un amplificador diferencial el CMRR es un factor de mérito
 Define la calidad del diferencial.

La calidad de un amplificador diferencial será mayor cuanto


mayor R (REB) presente su fuente de corriente.

 Si la simetría del circuito fuera ideal


 Sólo tiene sentido hablar del CMRR en salida asimétrica. ¡El CMRR en
salida diferencial sería infinito!:

vid
(vo1 vo 2 ) / vid Add
CMRR salida _ diferencial  20 log vicm
 20 log  
(vo1 vo 2 ) / vicm Acmd Acmd 0

 Debido a que se cancelan mutuamente ambas componentes comunes


 En la práctica, hay diferencias y en consecuencia sí hay señal de salida.
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 53 de 88
Amplificadores diferenciales
Ampl. dif. acoplado por fuente. Introducción

 Ventajas:
 Baja corriente de polarización de
entrada.
 Muy elevada Ze

 Desventajas: vo1
o1 vvo2o2
 Menor ganancia
vi1 vi2
 Mayor tensión de offset vi1 vi2
(tensión de entrada diferencial requerida
para que la corriente se divida
equitativamente entre los dos dispositivos.)

IO con R interna: RSB

 Del punto de trabajo (ID1=ID2 ≈IO /2) se obtienen los parámetros de los TRT’s (gm …) y
circuito en pequeña señal que se particulariza para excitación común y diferencial
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 54 de 88
Amplificadores diferenciales
Ampl. dif. acoplado por fuente: pequ. señal, modo com.
 Pequeña señal, modo común → análisis con teorema de Bartlett:

vi1  vi 2  vicm

vi 1 vi 2
vicm vicm
J
iJ = 0
2RSB 2RSB

Para que al dividir por


la mitad el circuito la
vJ quede igual, la RSB
ha de duplicarse. Por simetría, en J
se tiene iJ = 0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 55 de 88
Amplificadores diferenciales
Ampl. dif. acoplado por fuente: pequ. señal, modo com.
 Pequeña señal, modo común → análisis con teorema de Bartlett:
v
 “Semicto. izqda.”: Z cm1  i1  
ig1 ig1 0
Z o1  RD
Zo1 vo1 g m RD RD
Zcm1
Acm1 
vicm

1  2 g m RSB 
RSB 

2 RSB
¿Cambiará el análisis en el otro semicto.
vi 1 (entrada: vicm)? ¿Zcm total?
vicm RD
vo1

vi1 = vicm RD
vicm  Ac vicm
2RSB 2 RSB

Efecto de la
vi2 = vicm RD
impedancia vicm  Ac vicm
de IO en señal 2 RSB
vo2
RD
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 56 de 88
Amplificadores diferenciales
Ampl. dif. acoplado por fuente: pequ. señal, modo dife.
 Pequeña señal, modo diferencial
vid
vi1  vi 2 
2

vi 1 vi 2
vid vid

2 2
J

Se puede seguir viendo


como RSB = 2RSB || 2RSB

Por simetría, en J se tiene


una “masa virtual”:
v J  0  iRSB  0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 57 de 88
Amplificadores diferenciales
Ampl. dif. acoplado por fuente: pequ. señal, modo dife.
 Pequeña señal, modo diferencial
 “Semicto. izqda.”: vi1
Zd1   
ig1 i g 1 0

Zo1
Z o1  RD
vo1 g R
Zd1 Ad 1   m D
vid 2

vi 1 ¿Cambiará el análisis en el otro semicto.


vid (entrada: –vid/2)? ¿Zd total?
2 RD
J vo1
vi 1
 g m RD vid
 vid  Ad vid
+  2 

vid Zd
 g m RD 
masa  vid  Ad vid
-  2 
virtual vo2
vi 2 RD
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 58 de 88
Amplificadores diferenciales
Ampl. dif. acoplado por fuente: modelo completo
 Combinando adecuadamente los análisis en semicircuito:

Z d 1  r
RD vo1 (v v )
v id

¿ Add  o 1 o 2 ?
Z d1  Z d 2  Z d   v id
Z d 2  r +  RD
- Acm1vicm  vicm
2 RSB
vid  vi1  vi 2
vi1 + Ad 1v id g R
 m D vid
- 2
vi1  vi 2
- g m RD vicm 
vi2 Ad 2v id vid 2
ZX + 2
 RD
-
+ Acm1vicm  vicm v icm
2 RSB (v v )
¿ Acmd  o 1 o 2 ?
Z cm   v icm
RD
vo2

 CMRR (salida asimétrica): CMRR  20 log | Ad 1 |  20 log( g m RSB )


| Acm1 |
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 59 de 88
Amplificadores diferenciales
Amplificadores diferenciales con cargas activas
 Carga activa:
 El espejo de corriente puede
funcionar como carga activa,
resultando ventajoso en los
CI´s, al ocupar los TRT´s
menos superficie que las R´s.

 Mejora ganancia…
vo
v vid
ro frente a RC  id 
2 2
 β>>1, Q1 idéntico a Q2 y Q3
idéntico a Q4

 Amplificador de
transconductancia io=f(vid)

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 60 de 88


Amplificadores diferenciales
Amplificadores diferenciales con cargas activas
 Carga activa:
 Se utiliza un espejo que lleva la corriente
de Q1 hasta la salida (iC 1  iC 3  iC 4 ) .
 Análisis simplificado en modo diferencial
(vJ=0), identificando términos conocidos:
iO  iC 4  iC 2  iC 1  iC 2  g m vbe1  g m vbe 2

 v    vid  vo
iO   g m id    g m   g m vid vid
 2   2  vid
 
2 2
J
vi1
+ g m vid vo
vvidd RO  rO 2 // rO 4 
-
vi2
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 61 de 88
Amplificadores diferenciales
Amplif. Dife. Integrados: Amplificador Operacional bipolar

 Q1 y Q2: amplificador
diferencial con salida
diferencial

 Q3 y Q4: amplificador
diferencial con salida
asimétrica

 Q5: amplificador
emisor común

 Q6: seguidor de
emisor
(colector común)

 Q7, Q8 y Q9: espejo


de corriente doble

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 62 de 88


Anexos: Herramientas útiles (I)
Escalado de impedancias en bipolares (pequeña señal)

 Rin desde la base  Rout desde el emisor


pasando por el emisor pasando por la base

Rin  r  (   1)R
R TH  r
R out 
(   1)

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 63 de 88


Anexos: Ejercicios resueltos (I)
Amplificador multietapa: emisor común – colector común
 Ej. 1.- Calcular el modelo equivalente como amplificador de
tensión (Ze, Zs y Av) en pequeña señal, entre el generador y la
carga, del siguiente circuito.
Datos: Q1: 1  h fe1 ; r 1  rbe1  hie1 Q2:  2  h fe 2 ; r 2  rbe 2  hie 2

RE2
Rc vs
ve Zs
vs
R1 Equiv.
peq. + Av .ve
Ze RL
señal
ve
0 0 0

RE1
R2 Modelo del amplificador no incluye
RL (como el modelo tiene salida en
tensión, en cálculos haremos RL=∞)

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 64 de 88


Anexos: Ejercicios resueltos (I)
Amplificador multietapa: emisor común – colector común
Traslación hec → híbrido en π
 Análisis en pequeña señal Amplificador de tensión
I C VT
ie (o
Ie (ó iI11)) i
ib1
b1 i
ib2
b2
h fe  g m rbe  
b1 c1 b2 c2
VT I B
0
ve hie1 hfe1.ib1 hie2 hfe2.ib2 hie  rbe  r
Ve R1||R2 hie1 hfe1.ib1 Rc hie2 hfe2.ib2
((oó vV1)) Ze (r 1 ) ( 1 ) (r 2 ) (2 )
Ze2 Is
is ((o
ó i2I 2))
1
v
Vs
s
0 0 0
e1 e2
(ó vV22))
(o
R
Re1
E1 R
Re2
E2 Zs RL

0 0 0

Modelo equivalente del amplificador de tensión


Ie (o I )
ie (ó i1) 1 Zs is (o
Is (ó iI22))
Vs vs
ve +
(o V )
2 (ó v2 )
Ve Ze Av .ve
Av.Ve RL
(ó v1)
(o V )
1

0 0 0 0

v cuadripolo parámetros g (con g12 = 0)


ie  e correspondencia
i1  g11v1  g12 i2
Ze
v s  Av v e  Zs i s v2  g 21v1  g 22 i2
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 65 de 88
Anexos: Ejercicios resueltos (I)
Amplificador multietapa: emisor común – colector común
 Ganancia de tensión (ganancia primera etapa por la de la segunda):

vs  h fe1 ( Rc Z e 2 ) RE 2 (h fe 2  1)
Av   Av1  Av 2  
RL  
ve RL  
[hie1  (h fe1  1) RE1 ] [hie 2  (h fe 2  1) RE 2 ]

siendo (con RL=∞ ): Z e 2  [hie 2  (h fe 2  1) RE 2 ]

Si:
(h fe1  1) RE1  hie1
 Rc
Rc  Z e 2 Av RL  

RE1
(h fe 2  1) RE 2  hie 2
1 Av|RL=∞ se puede hallar también:
(g m1rbe1  1)RE 1  rbe1  g m1  vs vs ib 2 ib1
RE 1
Av RL  
 
1 ve ib 2 ib1 ve
(g m 2 rbe 2  1)RE 2  rbe 2  g m 2  RL   RL  
RE 2

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 66 de 88


Anexos: Ejercicios resueltos (I)
Amplificador multietapa: emisor común – colector común
 Impedancia de salida:

vs (hie 2  Rc) (hie 2  Rc)


Zs   RE 2 
is ve  0
h fe 2  1 h fe 2  1

 Impedancia de entrada:

Ze ( RL  )
ve
ie

  hie1  (h fe1  1) RE1  ( R1 R 2)

Si: 
Si hie1  (h fe1  1) RE1  ( R1  R 2) Ze ( RL  )  R1 R2

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 67 de 88


Anexos: Ejercicios resueltos (I)
Amplificador multietapa: emisor común – colector común
 Parámetros del modelo a partir de cuadripolos

v s (  v2 ) RE 2 (h fe 2  1)ib 2  RE 2 ( h fe 2  1) Rc(h fe1 ) Rc


g 21 ( Av)    
ve ( v1 ) i [hie1  ( h fe1  1) RE1 ]ib1 [hie1  ( h fe1  1) RE1 ] [ Rc  hie 2  ( h fe 2  1) RE 2 ] RE1
2  0( RL   )

 Rc( h fe1 )ib1


Rc(ib 2 )  Rc ( h fe1 )ib1  ib 2 (hie 2 )  RE 2 ( h fe 2  1)ib 2  0  ib 2 
Rc  hie 2  (h fe 2  1) RE 2 
1
g 11
v ( ve )
( Ze)  1
i1 ( ie ) i

 hie1  (h fe1  1) RE1  ( R1 R 2)  R1 R2
2  0( RL   )

v2 (  v s ) (hie 2  Rc) (hie 2  Rc)


g 22 ( Zs )   RE 2 
i2 ( is ) v h fe 2  1 h fe 2  1
1 0

i1 ( ie )
g12  0
i2 (  is ) v
1 0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 68 de 88
Anexos: Ejercicios resueltos (II)
Ampl. dif. acoplado por fuente: margen entra. modo com.
 Ej. 2.- Calcular la polarización uniendo a masa vA y vB, y los
límites de entrada en modo común. Datos: VDD=10V, VSS=8V,
Io=4mA, RD=2K5, K=4mA/V2, Vt=1.

Calculamos polarización:

ID=Io/2=2mA
VD=VDD-IDRD=5V

k 4 10 3
ID  (VGS  Vt)  2mA 
2
(VGS  1) 2  VGS  2V
2 2
con lo que VS=-2V en ambos transistores y:

VDS=VD-VS=5-(-2)=7V
Io
( y la tensión en la fuente de corriente:
VIo=VS-(-VSS)=-2-(-8)=6V )

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 69 de 88


Anexos: Ejercicios resueltos (II)
Ampl. dif. acoplado por fuente: margen entra. modo com.
Para calcular el límite de entrada en modo común unimos vA y vB a una
tensión de entrada en modo común VCM.
Mientras que los TRTs sigan en activa ID=Io/2 aunque cambie VCM. Por tanto,
tampoco cambian las VGS. Esto quiere decir que VS sigue a VCM.
- Como vS sube al crecer VCM y VD es constante VDS
baja hasta que el punto Q alcance la zona óhmica.
Luego el límite positivo de VCM queda definido por la
siguiente condición:
VDS = VGS – Vt (condición TRT’s zona óhmica)
VD – VS – VG + VS = -Vt
VDG = - Vt (cond. zona óhmica definida respecto a VDG)
VDG=VD-VCMmáx=-Vt
VCMmáx=VD+Vt=5+1=6V
- Cuando VCM se hace negativa VS baja y la tensión en la
fuente de corriente disminuye hasta alcanzar un valor Io VIo
mínimo aceptable VIomín que no debemos sobrepasar:
VIo=VS-(-VSS)=(VCM-VGS)+VSS≥ VIomín
VCMmín=VIomín+VGS-VSS=VIomín+2V-8V=VIomín-6V
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Anexos: Ejercicios resueltos (III)
Ampl. dif. acoplado por fuente: margen entra. modo com.
 Ej. 3.- En el circuito de la figura: K=2x10-4A/V2
- Verificar que los TRT’s están en activa con VI=0 Vt=0,5V;VBEγ=0,7V
- Hallar los límites superior en inferior de entrada
VCEsat=0,2V
(VI) en modo común.
Verificamos que todos los TRTs están en
activa con VI=0 (tensión común):
Iref=-(0,7V-10V)/4,65K=2mA
Por simetría, ID=1mA 
VD=15V-8K(1mA)=7V
k
Comprobamos M1 y M2: ID  (VGS  Vt)2
2
1·10-3= 0,5·2·10-4(VGS-0,5)2  VGS=3,66V
VI
Con VG=VI=0, VS=-3,66V Iref
VDS=7-(-3,66)=10,7V  activa: VDS> VGS-Vt
Comprobamos QM: VCE=VC-VE=(-VGS)-(-10V)
 VCE=6,34V  activa: VCE> VCEsat
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 71 de 88
Anexos: Ejercicios resueltos (III)
Ampl. dif. acoplado por fuente: margen entra. modo com.

Hallamos los límites de VCM a la entrada:

- El valor máximo de VI que hace que M1 y M2


entren en óhmica:
VDG = - Vt (cond. zona óhmica def. respecto a VDG)
VD-VG=7- VI,máx=-0,5V  VI,máx=7,5V

- El valor mínimo de VI que hace que QM


entre en saturación:
VCE=VC-VE=(VI,mín-3,66)-(-10)=0,2V
 VI,mín=-6,14V VI
Con lo que: -6,14V ≤ VI ≤ 7,5V Iref

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Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador diferencial sin R emisor (A.D. Básico)
 Ej. 4.- Obtener el modelo equivalente como amplificador
diferencial y el CMRR (salida asimétrica) del siguiente circuito:
+VCC

vod
vo1 vo2

vi1 vi2

-VEE

 Del punto de trabajo (IC1=IC2=IEE /2) se obtienen los parámetros de los TRT’s (gm ,r …)
y circuito en pequeña señal que se particulariza para excitación común y diferencial
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 73 de 88
Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador difer. sin R emisor: peq. señal modo común
 En este modo se tiene:
vi1  vi 2  vicm

vi 1 vi 2

J J

vicm
( A)  r ib1  (   1) REB (ib1  ib 2 )
Para que al dividir por 2
la mitad el circuito la v
( B) icm  r ib 2  (   1) REB (ib1  ib 2 )
vJ quede igual, la REB 2
ha de duplicarse. ( A)  ( B )
Por simetría, en J  0  r (i  i ) 
 b1 b2
se tiene iJ = 0  ib1  ib 2  iJ  0
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Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador difer. sin R emisor: peq. señal modo común
 Pequeña señal, modo común
 “Semicto. izqda.”:
Z cm1  r  (   1)2 REB 
Z o1  RC
vo1  RC RC
Acm1 
vicm

r  (   1)2 REB  
REB 

2 REB

¿Cambiará el análisis en el otro semicircuito


(entrada: vicm)? ¿Zcm total?
vo1
vi1
RC vicm = A v
vicm vicm  cAcicm
vicm
2 REB vi1  vi 2
vicm 
Efecto de la vi2 2
impedancia (β+1)REB RC vicm = A v
vicm  cAcicm
vicm
de IEE en señal 2 REB
común vo2

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 75 de 88


Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador difer. sin R emisor: peq. señal modo difer.
 En este modo se tiene:
g m v  g m r ib  ib
vid
vi1  vi 2 
2

vi 1 vi 2

Se puede seguir viendo Por simetría, en J se tiene


como REB = 2REB || 2REB una “masa virtual”:
v J  0  iREB  0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 76 de 88
Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador difer. sin R emisor: peq. señal modo difer.
 En este modo se tiene: vid
( A)  r ib1  (   1) REB (ib1  ib 2 )
2
v
( B )  id  r ib 2  (   1) REB (ib1  ib 2 )
2
( A)  ( B)
 0  [ r  2(   1) REB ](ib1  ib 2 ) 
 ib1  ib 2  v J  0

vi 1 vi 2

Por simetría, en J se tiene


una “masa virtual”:
v J  0  iREB  0
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 77 de 88
Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador difer. sin R emisor: peq. señal modo difer.
 Pequeña señal, modo diferencial
 “Semicto. izqda.”:
Z d 1  r (recuérdese que: gmr=)
Z o1  RC
vo1 RC g m RC
Ad 1   
vid 2r 2

¿Cambiará el análisis en el otro semicircuito


(entrada: –vid/2)? ¿Zd total?
vo1
vi1
 g m RC vid
+  vid  Ad vid
 2 
vid
vid  vi1  vi 2
Zd
 g m RC v
masa  vidid = AAddvvidid
-  2 
virtual vo2
vi2

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Anexos: Ejercicios resueltos (IV)
Amplificador difer. sin R emisor: modelo completo
 Combinando adecuadamente los análisis en semicircuito:

Z d1  Z
r
vo1
Z d 1  r  d
 Zd 2
Z d 2  r2 +  RC
- Acm1vicm  vicm
2 REB
vid  vi1  vi 2
Z d / 2  + Ad 1vid g m RC
vi1 -  vid
2

- Ad 2vid g m RC vi1  vi 2
vi2 + vid vicm 
Z d / 2  ZZ cx
cx 2 2
 RC
-
+ Acm1vicm  vicm
2 REB
Zd
Z cm   Z cx ; Z cx  (   1 )REB
4 vo2
r | Ad 1 |
Z cm   (   1) REB CMRR  20 log  20 log( g m REB )
2 | Acm1 |
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 79 de 88
Anexos: Amplificadores diferenciales
Análisis detallado del par diferencial

iC1 iC2  Funcionamiento


 Los transistores sólo deben
vI1 vI2 funcionar en activa o corte.
 Si se saturasen, dejaría de
vE funcionar como diferencial.
 Las salidas (colectores) han de
IO conectarse de modo que se
garantice la zona activa.

 Análisis en gran señal (función de transferencia):

iC 1  I S 1  e v BE 1 / VT 1  I S 1  e v I 1  v E / VT 1 I S1  I S 2  I S

iC 2  I S 2  e v BE 2 / VT 2  I S 2  e v I 2  v E  / VT 2 VT 1
 kT 
   VT 2  VT
Con Q1 y Q2 iguales y a la misma T:  q 

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Anexos: Amplificadores diferenciales
Análisis detallado del par diferencial

iC1 iC2 iC 1  I S  e v I 1  v E  / VT
vI1 vI2
i C 2  I S  e  v I 2  v E  / VT
vE
iC 1
 e v I 1  v I 2  / VT  e v ID / VT
IO iC 2

 Aplicando 2º lema de Kirchhoff (corrientes) en emisores:

i E 1  i E 2  I O  iC 1  iC 2
despejando en función de iC1 queda...

IO
I O  iC 1  iC 1 e  v ID / VT
iC 1 
1  e  v ID / VT

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 81 de 88


Anexos: Amplificadores diferenciales
Análisis detallado del par diferencial
iC1 iC2 iC
iC2 iC1
vI1 vI2 IO

vE IO/2

IO 0
vID
-4VT -2VT 0 2VT 4VT
Las función de transfer. de transconductancia,
iC=f (vID), para ambas salidas son:

IO IO
iC 1  iC 2 
1  e  v ID / VT 1  e  v ID / VT
Si -VT<vID<VT, iC1,iC2=flineal(vID)  amplif. lineal (sin distorsión), Qóptimo: VID=0, IC1=IC2=I0/2
EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 82 de 88
Anexos: Amplificadores diferenciales
Análisis detallado del amplificador diferencial básico
 Par diferencial con resistores (Rc) en colector.
 El montaje con VCC y RC permite pasar las corrientes iC a tensión y
mantener los TRT’s en activa.
• Tres formas de obtener
+VCC +VCC una tensión de salida:

Salidas asimétricas
vOD
vO1  VCC  iC 1 RC
iC1 vO1 vO2 iC2
vO 2  VCC  iC 2 RC

vI1 vE vI2
Salida simétrica o diferencial
IO
vOD  vO1  vO 2  (iC 2  iC 1 ) RC
-VEE

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Anexos: Amplificadores diferenciales
Análisis detallado del amplificador diferencial básico

+VCC +VCC  Obtención de la función de


transferencia: vOD = f (vI1 – vI2) = f (vID )

vOD
vO1 vO2 vOD  RC (iC 2  iC 1 )  RC ( 2iC 2  I O )
iC1 iC2 iC 1  I O  iC 2
vI1 vI2
I O  iC 1  iC 2
vE
IO
iC 2 
IO 1  e  v ID / VT
-VEE

 2IO  1  e  v ID / VT  v ID 
vOD  RC   v ID / VT
 I O   RC I O  v ID / VT
  RC I O tanh  
 1  e  1  e 
e  v ID / 2 VT  2VT 
multiplic . por
e  v ID / 2 VT
e x e  x
y recordando tanh( x ) 
e x e x

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 84 de 88


Anexos: Amplificadores diferenciales
Análisis detallado del amplificador diferencial básico
vOD
+VCC +VCC
+RC IO

vOD vID
iC1 vO1 vO2 iC2 0
vI1 vI2 -RC IO
vE -4VT -2VT 0 2VT 4VT

 v ID 
IO vOD   RC I O tanh  
-VEE  2VT 
 Ganancia en pequeña señal, en el mejor punto de trabajo (0,0):
vod  dv OD  IO IC
Add       RC   RC   g m RC
vid  dv ID  ( 0,0 ) d

tanh( x )  1  tanh 2 ( x )
2VT VT
dx
1  tanh 2 ( x ) 1
x 0

Si -VT<vID<VT, vOD=flineal(vID)  Qóptimo: VID=0, VOD=0; vOD= VOD+ vod = 0+ vod = 0+ Add vid
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Anexos: Fuentes de corriente
Fuente Wilson

 Posee una mayor resistencia de salida que el espejo de corriente


 Las fuentes de corriente de alta
resistencia, como el circuito
Wilson, son muy útiles en la
construcción de amplificadores
diferenciales de alto CMRR.
IO  IC 2

 Despreciando las corrientes de base

VCC  VBE2  VBE3


IO  IC 2  I ref 
R

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 86 de 88


Anexos: Fuentes de corriente Se pone ecuación exacta de VBE1
y VBE2 pues si hacemos
Fuente Widlar VBE1=VBE2 =0,7V en la
ecuación (1) IE2 se haría 0

 Permite corrientes de salida con valores bajos, inferiores a Iref


 Valores bajos de corriente interesan
por razones de consumo y potencia
disipada.
I ref
 Para fuentes de corriente de bajo
valor, R↑↑  el área ocupada en el
chip sería muy elevada.

 Con ambos TRT´s iguales y en activa se tiene: I C1 IO  IC 2


 VBE 1 
 
 IC1 
I C1  I S e V
 T 
 VBE1  VT ln 
 IS 
 VBE 2 
 
 IC 2 
IC 2  I S e V
 T 
 VBE 2  VT ln 
 IS 
siendo: VBE1  VBE2  R2 I E 2

EC – Tema 1 Amplif. multietapa. Amplif. Diferenciales. Amplif. Integrados 87 de 88


Anexos: Anexo. Fuentes de corriente
Fuente Widlar
Considerando betas muy grandes:
VBE1  VBE 2  R2 IC 2  VBE2  R2 IO
Sustituyendo VBE1 y VBE2 por sus
expresiones en función de IC1 e IC2 se I ref
obtiene:
 IC1   IC 2 
VT ln   VT ln   R2 IC 2
 IS   IS  I C1 IO  IC 2

Despejando R2: VT  IC1 


(para la IC2 deseada) R2  ln 
IC 2  IC 2 
Siendo IC1 (despreciando las
corrientes de base):
VCC  VBE1
IC1  I ref 
R1
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