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Laboratoire no.

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DESIGN ET REALISATION D’UN HACHEUR SURVOLTEUR (BOOST)

1. Objectifs

Conception, réalisation et évaluation d’un hacheur survolteur.

2. Description des travaux

Ce travail consiste à:

- Etudier les différentes données techniques :


- Le transistor Mosfet IRF3205
- La diode MBR340
- Le régulateur LM2578A
- Les tores magnétiques 58848
- Faire la conception d’un hacheur survolteur (7V-14V) utilisant les différents composants
précédents et estimer ses performances
- Réaliser le montage sur un breadboard et vérifier les performances

2.1 Cahier des charges et schéma

Les spécifications du hacheur à concevoir sont:


- Tension d’entrée variant entre 7 V et 10 V
- Tension de sortie régulée à 14 V
- Charge résistive de 24 ohms / 10 W
- Fréquence de modulation : 50 kHz

L’inductance L est donnée et a les caractéristiques suivantes :


Tore magnétique type Magnetics 58848 A2
Nombre de tours : 64
Fil AWG #20 et environ 70 pouces de longueur

Le circuit de commande sera réalisé à l’aide d’in composant LM2578A


2.1 Réalisation et essais du hacheur survolteur

• Construire le montage de hacheur suivant en utilisant une plaque de montage (breadboard).


Il est important de minimiser les longueurs des fils. La longueur de maille composée de la diode,
du transistor et de la capacité doit être minimale. C’est la même chose pour la commande
rapprochée.

L MRB340

Vs = 14 V
V1 1000µF R charge
47Ω
25V
7 à 10 V 24 Ω
47Ω IRF3205 0.1µF
Vin

6 7 8
130 K
+ Modulation et
5
- commande
Vref 10 K
rapprochée
1
LM2578A 3
4
3.3nF
3.3nF

Avant de brancher la source de tension, régler sa valeur à vide à 7V et limiter le courant de


court-circuit à 4A.

• Mettre sous tension et vérifier le bon fonctionnement du hacheur et de la régulation de


tension en faisant varier la tension d’entrée entre 7 et 10 V. Relever la tension Vch(V1).
• Enregistrer la forme de la tension aux bornes de l’inductance et le courant dans l’inductance.
• Enregistrer la forme de la tension aux bornes du transistor VDS et le courant dans le
transistor.
• Enregistrer la forme de la tension aux bornes de la diode VAK et le courant dans la diode.
• Mesurer la fréquence de modulation, l’ondulation de courant et le rendement du hacheur.
• Faire valider le fonctionnement et les mesures par un responsable du cours.
2.2 Analyse et dimensionnement (avant-projet)

1. Calcul des caractéristiques de l’inductance L

- Calculer la reluctance du noyau magnétique de l’inductance en fonction des données


disponibles. En déduire la valeur de l’inductance L et sa résistance interne à
température ambiante. On rappelle que :
2
nspires
L=
Reluctance

- Déterminer le courant maximal de l’inductance sans avoir de saturation magnétique


(on fixe Bsat <0.25T)
- Quelles seraient les conséquences de la saturation magnétique dans le montage
boost?
- Expliquer comment on peut vérifier l’absence de saturation magnétique lors du
fonctionnement en utilisant l’oscilloscope?

2. Analyse du fonctionnement général du hacheur

- Calculer le courant moyen, maximal, dans l’inductance dans les conditions de


fonctionnement du hacheur à réaliser. En déduire la densité de courant dans le fil.
- Calculer l’ondulation maximale du courant dans l’inductance en fonction de la
fréquence de modulation. Confirmer que l’inductance donnée permet d’assurer un
fonctionnement satisfaisant du hacheur.
- En utilisant les données techniques et à partir de quelques calculs théoriques,
confirmer que le transistor IRF3205 et la diode MBR340 peuvent être utilisés sans
problème dans cet hacheur.
- Estimer les pertes par conduction dans le transistor et dans la diode.
- Estimer le rendement de cet hacheur si on néglige les pertes par commutation.

3. Analyse du fonctionnement du circuit LM2578A

Le circuit LM2578A est utilisé comme régulateur de tension, comme générateur du


signal de modulation et comme commande rapprochée du Mosfet de puissance.

On vous propose les 2 configurations suivantes pour réaliser la commande rapprochée :


- Expliquer le fonctionnement de ces 2 configurations en précisant le rôle des résistances Rg et
Ra et l’état du transistor T1 qui permet d’amorcer le transistor de puissance et le bloquer.
- Sachant que la boucle de régulation provoque l’amorçage du transistor T1 dès que la tension
de sortie devient plus faible que le niveau de référence, déterminer la configuration de
commande rapprochée qu’il faut utiliser pour avoir un fonctionnement correct du montage.
- Connaissant la capacité d’entrée du Mosfet Ciss, estimer les résistances Rg et Ra qui
permettent d’amorcer et de bloquer le Mosfet en 150 ns environ. On considère que ce temps
correspond à la constante de temps définie par le produit (Résistance driver X, Capacité
d’entrée).
- Calculer la valeur des résistances R1 et R2 de la boucle de régulation de tension (voir données
techniques)
- Calculer la valeur de la capacité à insérer sur la patte 3 du circuit pour fixer la fréquence de
modulation

Mettre en forme vos mesures et détailler vos calculs dans votre compte-rendu