Fundamentos Da Eletrônica, Eletrônica Aplicada. Circuitos Elétricos - Prof. Newton Licciardi

UNIVERSIDADE PRESBITERIANA MACKENZIE – ENG ELÉTRICA
Prof. Newton Eletrônica

Prof. Newton Fundamentos da Eletrônica

Eletrônica
“Parte da ciência que estuda as propriedades e
aplicações de dispositivos que dependem do
movimento de elétrons em semicondutores, gases ou
no vácuo.”
(Dicionário)

Eletrônica
“A eletrônica é um conjunto de tecnologias relativamente novo e é
considerada a 3ª Revolução Tecnológica da Humanidade. A primeira foi
a Revolução Industrial, com aproveitamento da energia do vapor. A a
segunda foi a Revolução da Quimica e Eletricidade, com o
desenvolvimento de combustíveis químicos, motores a combustão e
motores elétricos.”

Eletrônica
A geração atual terá a oportunidade de vivenciar intensamente a 4.a
revolução da humanidade, em que máquinas e homens trabalharão cada
vez mais adaptados no mundo atual e, de certa forma, concorrendo e em
sinergia seus trabalhos e atividades.

Background
GG IT Expo
Eletrônica
Fatos:
 Na base da engenharia estudamos Física, Química, Matemática
(Cálculo), por quê?
 Os modelos criados em engenharia são essencialmente simplificados e
lineares. Por quê?
 Mundo/Universo Real: essencialmente não linear!
 Eletrônica:
Sistemas e Componentes Lineares
Sistemas e Componentes não Lineares
Sistemas que permitem transformar
energia:
elétrica <> elétrica
elétrica <> mecânica
 elétrica <> química
Soluções fundamentais

Eletrônica
Programa:
• Introdução
• Elementos Circuitais Básicos
• Semicondutores
• Diodos
• Circuitos com Diodos
• Diodos para aplicações especiais
• Transistor (de junção bipolar)
• Circuito de polarização do transistor
• Amplificadores - teoria de suporte
• Tipos de amplificadores (de audio, de potênca)
• Transistor (de efeito de campo - FET)
• Amplificadores operacionais e circuitos
– Integradores, Derivadores, Somadores, Osciladores
• Elementos e e Circuitos especiais (Tiristores, Optoacopladores)

Orientações
• Como engenheirandos, sejam curiosos, não aceitem a compreensão passiva de um
assunto, busquem materiais auxiliares caso julgue interessante. Ex.: muitos materiais hoje
podem ser revisados com vídeos de terceiros (desde que apropriados, na Internet).
• Em laboratório ou em projeto, assuma a postura curiosa. O experimento serve para
justificar questões teóricas que discutimos e não o contrário!
• Questione o professor, colegas – isto apoia a aprendizagem de algo novo! Faça exercícios
para ajudar sua mente a compreender um tema!!
• Seja persistente. A experiência da humanidade mostra que não são os mais competentes,
brilhantes mentes, inteligentes ou hábeis que superam desafios e são bem sucedidos. Isto, é
claro, é importante. Mas, jamais desista! Persista! Se alguém conseguiu fazer e chegar lá,
você conseguirá também, e poderá fazer melhor!
Prof. Newton Licciardi Fundamentos da Eletrônica

Bibliografia
• MALVINO, Albert P.; BATES, David J. Eletrônica-Vol. 2: 8ª

Edição. McGraw Hill Brasil, 2016.
• BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos

eletrônicos e teoria de circuitos. PrenFundamentos da
Eletrônicae-Hall do Brasil.
• SEDRA, A., & SMITH, K. (1998). Eletrônica, quarta edição.
• MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica–Volumes 1 e 2.
• LICCIARDI, Newton. Apostilas Teoria e Laboratório. 2018

Projeto Integradores
(Venha conhecer as propostas, poucas vagas)
Local: Lab 7 – Dr. Fujio – Eng. Elétrica
• Conhecimento e Pilotagem para Drones (RPAs)

• Utilização de Drones (RPAs), automatismos e fotografia/filmagensIntrodução e Eng. Elétrica e ao
Arduíno (como dispositivo de IoT - Internet das Coisas)
• Arduíno, Automação e Internet das Coisas
• Introdução a Ciência de dados, Big Data e a exploração de dados de sensoriamento automáticos
• Introdução a Ciência de dados, Big Data II
• Conheça os Sites de Suporte aos Projetos:
• https://bit.ly/mackbigdata,
• https://bit.ly/mackdrones,
• https://bit.ly/mackmicro,
• https://bit.ly/mackiot
Prof. Newton
Iniciação Científica (Bolsas)

Local: Lab 7 – Dr. Fujio – Eng.
Elétrica – Universidade Mackenzie
E-mails:
newton.licciardijr@gmail.com
antonio.licciardi!@mackezie.br
• Temas Sugeridos:
• IoT
• Robótica
• Ciência de Dados
• Inteligência Artificial
• Automação residencial, predial
• Redes de Computadores
• Internet e Segurança
• Veículo Autônomo
• Cidades Inteligentes
• Dispositivos eletrônicos para Acessibilidade
• Outras idéias: venha conversar!!
Prof. Newton
Elementos Circuitais
• Fontes de tensão e de Corrente
• Resistores (Lei de Ohm)
• Capacitores (Resposta q x V)
• Indutores (Lei de Faraday)

• Fontes de tensão e de Corrente
– Inventor/Mentor: Alesssandro Volta (1800)
– Atividade – Vídeo e avaliação
• https://ant.umn.edu/kdlxzenftz

• Fontes de tensão real

Exercício - Elementos Circuitais

• Fontes de tensão real
Exercicio: usando um SW de simulações de

circuitos ou o MATLAB, e considerando uma
fonte real de tensão com V=12V e Rs=0,1 ohm,
plote Vl x Rl (l=‘carga’) para Rl variando de 0 a
5 ohms. Comente o Resultado!

• Fontes de corrente real

• Fontes de corrente real
Exercicio: usando um SW de simulações de

circuitos ou o MATLAB, e considerando uma
fonte real de tensão com V=24V e Rs=10
Mohms, plote il x Rl (l=‘carga’) para Rl
variando de 0 a 10 Kohms. Comente o
Resultado!

• Resistores (Lei de Ohm - 1827)
– Georg Simon Ohm (Erlangen, 16 de março de
1789 — Munique, 6 de julho de 1854) foi um
físico e matemático alemão.

– 1745, Ewald Georg von Kleist (Alemanha)
– 1746, Pieter van Musschenbroek (Holanda)
inventou um capacitor similar, que foi nomeado
de Jarra de Leiden

– Como fica a resposta q x V em um capacitor
real? Por quê?
– Circula Corrente por um Capacitor??
– Atenção aos capacitores eletrolíticos!
– Ex. considerando C=4 nF e V=140 cos
(2.PI.60t) aplicado ao capacitor. Qual a carga
máxima armazenada no capacitor? Qual a
corrente que ‘ciercula’ pelo capacitor?

– Michael Faraday (Inglaterra) – 1831
• Atividade – vídeo e avaliação

– Qual o comportamento de indutores reais?
– Além de conseguir elucidar questões físicas e
elétricas importantes dos materiais, Faraday é o
responsável por quais invenções?
– Como funciona o brinquedo ‘livro do choque’?

Elementos
Circuitais
• Indutores e Capacitores
– A simetria de Leis Físicas
Fundamentos da Eletrônica Prof. Newton

Licciardi
• Leis de Kirchhoff (Alemanha ~1850)
• Teorema ou Princípio de Norton
• Teorema ou Princípio de Thevenin
• Equivalência fonte de corrente e tensão
Gustav Kirchhoff

• Exercicio. Imagine uma resistência de carga
variável (Rl) de 1k a 10 k ohms, sendo conectada
nos terminais ab. Trace o gráfico Vl x Rl para (a) e
il x Rl para (b), achando o equivalente de
Thevenin em (a) e o de Norton em (b). Seria
simples fazer estes cálculos sem a ajuda destes
teoremas? Justifique!
Gustav Kirchhoff

• Não lineares:
– Válvula Diodo
– Válvula Tríodo (1906 – Lee De Forest)
• Considerado o nascimento da eletrônica

Eletrônica Primórdios
• Válvula termoiônica – Thomas Alva
Edson (sec. XIX)
Edson
Válvula 1960

• Válvula termiônica – Thomas Alva
Edson (sec. XIX)
• Idéia:
– Corrente circula e “esquenta”
(torna luminoso) o filamento –
cátodo
– Elétrons no vácuo
• Princípio / Efeito Edson
– Amperímetro com bateria em série
entre o anodo e o catodo
• Polarização
• Observem a necessidade de
uma fonte DC ( ou CC) para
polarização!
• Aperfeiçoamento Comercial –
1904 – Fleming – Válvula Diodo
• Aperfeiçoamento Comercial –
1904 – Fleming – Válvula Diodo
• Ondas ‘Hertzianas’ (Telecom)

Ondas Eletromagnéticas – Hertz – 1888

• No dia 29 de novembro de 1888, o físico alemão Heinrich Hertz conseguiu
provar a existência das ondas eletromagnéticas. Suas experiências haviam
sido iniciadas um ano antes e foram publicadas em janeiro seguinte.
• Por vários dias consecutivos, naquele novembro de 1888, os universitários da

Escola Superior Técnica de Karlsruhe deram com a cara na porta no
laboratório de física. O professor Heinrich Hertz, de 31 anos, estava ocupado
com seus experimentos, mal tinha tempo para comer e dormir.
Fonte: http://www.dw.com/pt-br/1888-hertz-demonstra-exist%C3%AAncia-das-
ondas-eletromagn%C3%A9ticas/a-678473
Físico alemão Heinrich Hertz
Prof.s Paulo / Newton

Princípios de Comunicação
Ondas Eletromagnéticas – Hertz - 1888

• Em 1865, o matemático inglês James Maxwell conseguira provar, no papel, a
existência das ondas eletromagnéticas.
• Por trás das janelas constantemente fechadas da sala de experimentos, Heinrich

Rudolf Hertz construiu um transmissor de ondas.

Ondas Eletromagnéticas – Hertz - 1888

• Em sua série de experimentos, determinou a frequência e o tempo de
propagação das ondas eletromagnéticas.
• Ocupado com suas experiências e completamente dedicado à ciência, Hertz
não se preocupou em ganhar dinheiro com a descoberta.
• Já em Bolonha, Guglielmo Marconi, então com 20 anos, leu um relatório
de Hertz e teve a ideia de aproveitar a descoberta na transmissão de voz,
sem usar fios.
Físico alemão Heinrich Hertz

• Válvula – 1906, DeForest Lee – Nascimento da Eletrônica
Vávula DeForest Lee

• Válvula – 1906, DeForest Lee – Nascimento da Eletrônica
Amplificador

Pesquisa
• Faça uma breve pesquisa sobre o válvula
termiônico de Edson. Edson utilizou o
dispositivo de forma prática?
• Idem para Fleming com sua válvula diodo
de Fleming?
• Como Forest descobriu a válvula tríodo?
Ele entendia o fenômeno completamente?
Justifique.

Radiocomunicações
• Em 1893 o padre, cientista e engenheiro gaúcho Roberto Landell de Moura
testa a primeira transmissão de fala por ondas eletromagnéticas, sem fio.
• Graças a ele, a Marinha Brasileira realizou, em 1 de março de 1905,
diversos testes de mensagens telegráficas no encouraçado Aquidaban.
• Todavia, o primeiro mundo reconhece o cientista Guglielmo Marconi como
o “descobridor do rádio”. Marconi, natural de Bolonha, Itália, realizou em
1895 testes de transmissão de sinais sem fio pela distância de 400 metros e
depois pela distância de 2 quilômetros. Ele também descobriu o princípio
do funcionamento da antena.
MARCONI
LANDELL

Radiocomunicações
• Em 1896 Marconi adquiriu a patente da invenção do rádio, enquanto

Landell só conseguiria obter para si a patente no ano de 1900.
– Esta polêmica da invenção do rádio se compara à da invenção do avião, no início do

século XX, em que o primeiro mundo credita aos irmãos Wright, dos EUA, a invenção
do veículo aéreo, embora tenha sido o mineiro Alberto Santos Dumont seu pioneiro (os
Wright não registraram imagens e suas experiências de vôo, enquanto Dumont realizou
testes com seu 14-Bis diante de multidões em Paris, França, em 1906).
LANDELL

Radiocomunicações
Radio receptor – 1910 (depois da invenção da válvula tríodo – Lee de Forest – 1906)

Propagação das Ondas Eletromagnéticas

Ondas Eletromagnéticas

Componentes de uma OEM polarizada

verticalmente
 = c/f
 = comprimento de onda em m
c = velocidade da luz ( 3 x 108 m/s)
f = freqüência da onda em Hz

Frentes de onda irradiadas por uma fonte

isotrópica

Atenuação no Espaço Livre
Pt
P
4r 2
P = densidade de potência à distância r de uma fonte
isotrópica ( W / m2)
r = distância entre a origem e a frente de onda
Pt = potência transmitida em W

Classificação das Ondas Eletromagnéticas

Características das Ondas Eletromagnéticas

Exercícios – Conceitos Aterramento e Proteção

• Atividades – questionário:
– Comente e justifique se as afirmações abaixo estão corretas ou são equpivocos:
• Numa chuva com raios devemos correr para não nos molhar
• Os equipamentos elétricos de nossa residência, quando saímos de férias, devemos deixar desligados
das tomadas
• Um equipamento elétrico pode queimar, mesmo esteja em uma edificação com SPDA e as instalações
elétricas em ordem
• Os terras das edificações de uma área industrial devem ser construídos isolados uns dos outros
• Uma chuva com nuvens a altitude média de 2 Km produzem raios de

médio porte (aprox. 100KA). Considerando que esta descarga ocorre
durante 50us, calcule/estime a potência elétrica média descarregada e
a energia envolvida
• Um Datacenter possui equipamentos sensíveis a frequência iguais
um inferiores a 500 Mhz. Dimensione a malha metálica da gaiola (de
Faraday) aterrada que deve revestir a edificação. Explique o que
ocorre.

Comunicação via Satélite
• Até 15.000Km de distância entre sí

• Até 36.000Km de altitude
• Freqüências de 4 a 6 GHz. Máx. 12 GHz
• Potência 100W
– Exercicio – Potencia Antena x Recepcao
– Exercicio – distancia entre satélites geoestacionarios

Propagação de Sinais Eletromagnéticos
• 1. Frequência e Antenas Eficientes
• 2. Ondas Eletromagnéticas fazem mal?
LANDELL

• 1. Frequência e Antenas Eficientes
• Regra prática de avaliação – maior distância entre elementos ativos

~ lambda/2 (*)
• Exercício – Avaliação Monopolos (com plano de terra) ou dipolos

- Espectros: AM, FM, TV Digital, WiFi, Celular
Obs.: (*) projetar antenas não possui técnica evidente/simples. Na análise, utilizam-se
métodos computacionais de elementos finitos.


• 2. Ondas Eletromagnéticas fazem mal?
– Campos EM Ionizantes e não Ionizantes
– Para campos não ionizantes:
• SAR ou Specif Abortion Rate
• Brasil - Resolução nº 303, de 02 de julho de 2002 da Anatel, que
estabelece o valor máximo da SAR de 2 watts por quilo (W/kg)
(*)
• EUA - Federal Communications Commission (FCC) é de 1,6
W/kg
• OMS - Comissão Internacional de Proteção contra as Radiações
Não Ionizantes (ICNIRP) – 1,6 W/Kg
• Obs.: (*) ponto de atenção no Brasil:

– 1.o Fiscalização
– 2.o Sobreposição de limites pelas Operadoras (ex. Av.
Paulista ...)
• 2. Ondas Eletromagnéticas fazem mal? (Cont, ...)

– SAR – exemplo de calculo
• TV – antena emissora: Av Paulista (15 KW, torre a 224m do chão)
• Qual o SAR aplicado a um homem de 80 Kg exposto frontalmente a antena
(1,70m x 0,4m), no térreo do edifício, pressupondo uma irradiação
omnidirecional (na prática – tem-se que relevar a diretividade da antena)?
• Omnidirecional  Pot/M^2 (d) = 15 KW / (4.PI.d^2)
• d=224 m -> Pot/M^2 (d) = 2,30 E -2 [W/m^2]
• Pot absorvida = Area_Exposição_Homem x Pot/M^2 = 16,19 [mW]
• SAR = Pot absorvida / Massa = 0,2 mW/Kg
• E se o homem estivesse no ultimo andar a 3 m da antena?
– SAR = 1,12 W/Kg
– Exercício (Home) – efetue o mesmo cálculo imaginando que o homem

está do lado (0,1 m) de um transmissor WiFi doméstico.


– E as recomendações adicionais para o uso de celulares?
– Pesquisas realizadas pelo Interphone Study Group em parceria com
a Internacional Agency for Research on Cancer (IARC)  suspeitas
de aumento de tumor maligno no sistema nervoso central para usuários
que utilizam frequentemente o celular do mesmo lado da cabeça
– Pesquisa - Universidade de Tampere (Finlândia) - tumores malignos
em usuários de celular não se localizam necessariamente em partes
atingidas pela radiação emitida pelos aparelhos, ou seja, eles podem
surgir em outros lugares do corpo


– E as recomendações adicionais para o uso de celulares?
– Universidade de Oxford - riscos de tumor maligno associado ao uso
prolongado do celular (mais de cinco anos), 30 min ao dia.
– Trabalho gerido pela IARC - chances de ocorrência de câncer em
10 anos aumentam em até em 40%, (celular utilizado perto da
cabeça por em média 30 minutos por dia).
 Recomendações:
 Não utilizar o Cel (rádio) sobre a cabeça por mais de 30 min por dia
 Use fone de ouvidos ao falar no celular!


– E morar próximos a ERBs – Estações Rádio Bases?
– 2 aspectos a considerar:
• Cálculo SAR
• Evidências/Estudos científicas:
– Estudo - Brasil BH - existência de correlação espacial entre as
mortes por neoplasia (tumor maligno) em Belo Horizonte e a
presença de estações radiobase (antenas e torres):
» 10 anos - registradas sete mil mortes por neoplasia - todas
dentro de um raio de até 500 metros das estações radiobase.
Fora desse raio, as mortes por neoplasia foram decrescendo
proporcionalmente à distância das torres e antenas.
– Antenas e torres de telecomunicação - a IARC também classifica
essa radiação como possivelmente carcinogênica.
Recomendação: evite residir muito próximo (<500 m) de torres de

ERBs ou radiocomunicação de potência. Lembrando que as
evidências apresentadas são científicas, não matemáticas!!

Exercício faça
um sumário dos
casos
apresentados
sobre ondas
eletromagnéticas
e sua influência
na saúde de seres
humanos.
• Não lineares:
– Os primeiros elementos não lineares discretos, em
função de alguns inconvenientes, tais como:
• Circuitos Grandes;
• Energia para alimentação anódica
• Transportabilidade / Mobilidade
- Instigaram uma série de pesquisas científicas buscando
materiais e dispositivos alternativos de tecnologia sólida
– os Semicondutores

Condutores
e Isolantes
Prof. Newton
Licciardi Fundamentos da Eletrônica
Prof. Newton Licciardi
Condutores
e Isolantes
Estrutura atômica e
bandas eletrônicas
Fundamentos da Eletrônica
Condutores e Isolantes
• Estrutura atômica e bandas eletrônicas (ex.
metal)

Classificação dos sólidos

• Cristais: são caracterizados pela chamada rede cristalina, uma estrutura altamente
ordenada
• Policristalinos: apresentam uma ordem intermediária, com pequenas regiões
chamadas de grãos, tendo cada estrutura cristalina unida pelos limites dos grãos.
• Amorfos: Estrutura totalmente aleatória, sem ordem definida.

Semicondutor
(estrutura
cristalina)
Estrutura atômica e bandas
eletrônicas (ex. silício - Si)
Semicondutor
Estrutura atômica e bandas eletrônicas (ex. silício - Si)
Semicondutores
• Exemplo – Silício e Germânio

Semicondutores (intrínseco)
• Exemplo – Silício e Germânio
• Elétron na banda de condução, Lacuna,
Temperatura

Semicondutores
• Fluxo elétron – lacunas em semicondutores

Semicondutores
• Fluxo elétron – lacunas em semicondutores
Elétrons – maior mobilidade

Lacunas – menos mobilidade
Por quê?

Exercício (pesquisa):
como é produzido o
toróide de silício (cristal)
que permite a usinagem
dos ‘waffles’ que são
usados na produção de
circuitos integrados?

Dopagem de
Semicondutores
• Para obter elétrons

livres (-)
– Materiais
pentavalentes
• Para obter lacunas
livres (+)
– Materiais
trivalentes
Dopagem de Semicondutores
• Para obter elétrons livres (-)
– Materiais pentavalentes (ex.
fósforo)
• Proporção típica 1 átomo
dopante : 10e6 Si (ou Ge)
– Dá origem ao semicondutor
(extrínseco) tipo N
• Para obter lacunas livres (+)
– Materiais trivalentes (ex. Boro)
– Dá origem ao semicondutor
(extrínseco) tipo P
• Proporção típica 1 átomo
dopante : 10e6 Si (ou Ge)
Fundamentos da Eletrônica Prof. Newton Licciardi
• Para obter elétrons livres (-)
– Materiais pentavalentes
– Dá origem ao semicondutor tipo N
• Para obter lacunas livres (+)

– Materiais trivalentes
– Dá origem ao semicondutor tipo P

• Semicondutor tipo N
• Semicondutor tipo P

• UNIVERSIDADE
Na década de 20 do secPRESBITERIANA
XX, diversas MACKENZIE – ENG ELÉTRICA
tentativas de dopagem de
semicondutores como Germânio e
Silicio foram tentadas. Mas, observou-
se que uma pequeníssima concentração
de material ‘contaminante’ (tri ou
pentavalente, alguns ppm), mudava
muito o comportamento elétrico do
semicondutor.
• Nesta época, ‘papers’ científicos
chegaram a afirmar que os
dispositivos de estado sólido seriam
inviáveis de serem utilizados na prática.
• Gordon Moore da Intel!
Dopagem de
Semicondutores
Fundamentos da Eletrônica Prof. Newton Licciardi


Diodo não polarizado

• Junção PN
– Camada de Depleção – Barreira de Potencial


• Junção PN
– Camada de Depleção – Barreira de Potencial


• Junção PN
– Camada de Depleção – Barreira de Potencial (típica Si – 0,7V, Ge
– 0,3V)

Polarizações do Diodo
• Direta e Inversa

• Direta e Inversa

• Inversa - POLARIZAÇÃO INVERSA Na figura é evidenciado o
fluxo dos portadores minoritários. A barreira de potencial AUMENTA
e SE ALARGA

• Direta - POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura é evidenciado o
fluxo dos portadores majoritários.
A JUNÇÃO CONDUZ
EXCLUSIVAMENTE SE
FOR POLARIZADA
DIRETAMENTE, ISTO É,
COM O POLO POSITIVO
DA ALIMENTAÇÃO
LIGADO À ZONA P E O
POLO NEGATIVO
LIGADO À ZONA N.

• Direta - POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura é evidenciado o
fluxo dos portadores majoritários.
A JUNÇÃO CONDUZ
EXCLUSIVAMENTE SE
FOR POLARIZADA
DIRETAMENTE, ISTÉ,
COM O POLO POSITIVO
DA ALIMENTAÇÃO
LIGADO À ZONA P E O
POLO NEGATIVO
LIGADO À ZONA N.

Exercícios – Semicondutores e Junções PN

– Comente e justifique se as afirmações abaixo estão corretas ou são equívocos:
• Um semicondutor não conduz a temperatura ambiente (25 graus Celsius)
• A barreira de potencial observada em uma junção PN ocorre devido a recombinação dos elétrons-
lacunas nas duas área semicondutoras
• O que ocorre na recombinação do elétron-lacuna no semicondutor?

• Como podemos aumentar a corrente elétrica em um cristal
semicondutor submetido a uma diferença de potencial? Qual a
concentração de elementos que devemos tipicamente utilizar? Por
quê?

• Simbolo elétrico e encapsulamento típico para
montagens PCB (diodo retificador)

Diodos, Símbolo
• Tipos (ex. principais) e símbolos

Diodos, Invólucro

Diodos, Invólucro

Diodos
• Recombinação ou “Queda” do Eletron irradia luz
– Aproveitamento para construção do LED
• Barreira de Potencial e Temperatura (na junção
diferente da ambiente!)
– No Silicio

Diodos
• Barreira de Potencial e Temperatura (na junção diferente da ambiente!)
– No Silicio
Questão:

Diodos
• Barreira de Potencial e Temperatura (na junção diferente da ambiente!)
– No Silicio

Diodos
• Silicio x Germânio
– Fabricação de dispositivos de Ge em larga escala (pela tensão de
condução ser mais baixa que a do Si) é mais difícil e hoje
praticamente abandonada
• Corrente de Fuga da Superfície
• Corrente de Saturação reversa

Diodos

Diodos

Exercício Diodos
– Quais as propriedades dos semicondutores, isolantes e condutores em termos
elétricos?
– Como alteramos o comportamento de um semicondutor intrínseco?
– Que fenômeno ocorre na junção PN?
– O que ocorre nas polarizações direta e inversa de uma junção?
– Quais os efeitos da temperatura sobre um diodo?
– A eletrônica computacional seria viável (veja exemplo russo na época da União
Soviética)? Haveriam restrições? Quais?
– Faça um gráfico (Matlab ou Octave) da tensão de barreira de potencial do Si (PN)
entre -50 a 130 Graus Celsius.
– Considere um diodo polarizado reversamente. Faca um gráfico da corrente reversa
total (reversa de saturação da junção + de fuga) considerando os dados dos
exemplos anteriores e T=80 graus Celsius, Tensão = 100V

Circuito com Diodo

• Diodo como retificador

Circuito com Diodo

• Diodo como retificador (a região direta e a inversa/reversa)

Circuito com Diodo

• Diodo como retificador (a região direta e a inversa)

Circuito com Diodo

• Diodo como retificador (a região direta e a reversa)
– Tensão de Joelho (aprox. 0,7V)
– Resistência de Corpo (aprox. 1 ohm)
– Dissipação de potência (Vd.Id ou Vmax.Imax)
– Ruptura depende da aplicação e efeito a ser explorado (ex. retificação AC, Regulação)

Circuito com Diodo

• Teste Diodos

Circuito com Diodo (LED)

• LED (GaAs) – típico 15 a 20 mA (1,8V)

Circuito com Diodo

• Exemplos
• Uso do Equivalente de Thevenin
• Que diodos estão Polarização direta / reversa?

Circuito com Diodo

• Exemplos
• Equivalente de Thevenin
• Polarização direta / reversa

Diodo Ideal
• Condução direta – diodo real (Si)


%
% Apresentação da Curva Real do Diodo
%
% O diodo é um dispositivo de efeito não linear
% a dependência da corrente obtida na junção em função
% da tensão é exponencial
% e depende da temperatura da junção!
% e da corrente de saturação (reversa/inversa)
%
% Prof. Newton Licciardi
%
% Agosto 2018
vd=-0.5:0.01:1;
Is=5*10^-6; % corrente de saturação
Vt=25*10^-3; % Vt=kT/q (para T=25 Graus Celsius => Vt ~25 mV)
%valor de idealidade n (método de fabricação – dopagem, n 1 melhor método
n=2;
id=Is*(exp(vd/(n*Vt))-1);
plot(vd,id);
title ('Diodo Real');
xlabel('Vd [V]');
ylabel('id [A]');


Diodo Ideal – Modelo 1







• Modelo 1 – interessante:
– Verificar “defeitos” nos circuitos (passa / não passa corrente)
– Valores de Tensão são elevados em relação a tensão de “joelho”
– Modelo 2  quando precisamos de maior precisão nos cálculos de corrente




• Quando a resistência que trabalhamos no circuito for
próxima a resistência de “corpo” (passagem de corrente em
condução direta) do diodo – na prática aprox. 1 ohm.
Utilizamos esta análise para obter resultados de precisão.



Diodo Ideal – Modelos

Exercícios – Diodos (Diodo em CC)

• Quais são os modelos que podemos utilizar no cálculo de circuitos
com diodos. Quais as recomendações para utilizar cada modelo?
• Calcule a corrente e tensão na carga e a potência dissipada pelos
diodos nos circuitos a seguir.

Exemplo Data Sheet

Diodo Retificador Típico (série 1N400x)

Exemplo Data Sheet

• Tensão típica operação? Fator
de Segurança?
• Corrente Reversa (condução
junção + fuga)?
• Capacitância?

Exemplo Datasheet
• Resistência de corpo?
• Variação da corrente
reversa com a temperatura
– observar.
• Resistência CC (diodo –
não linear):
– Resistência direta
– Resistência reversa a uma
dada temperatura?

Reta de Carga

Diodos
Circuitos Ceifadores e Limitadores
Positivo

Diodos
Negativo

Diodos
Ceifadores de Proteção

Diodos
Ceifadores Polarizados
(Obs – na prática não se uso a Fte DC!)

Diodos
Ceifadores (positivo e negativo) Polarizados

(Obs – na prática não se uso a Fte DC!)

Diodos
Ceifadores (a) – prático, (b) – por divisão de tensão

Diodos
Ceifadores (b) – limitar 5,7 (d) – condução ~0V

Diodos

Diodos
Exercícios: Desenhar os circuitos ceifadores das

transparências anteriores no CircuitLab ou Multisim.
Simular. Explicar o que observa no simulador, se
necessários, com cálculos.

Diodos
Exercícios:
(1) Considerando uma fonte de 60sen(2.Pi.60.t) V,
projetar um circuito que produza uma onda
(aproximadamente) quadrada de 0 a 5V.
(2) Idem anterior, com uma saída quadrada de 0 a
3,5V.
(3) Idem anterior com uma saída de -5V a +5V.
(4) Idem anterior, com uma saída de -3,5V a 3,5V.

Diodos
Circuitos Grampeadores

Diodos

Diodos

Diodos

Diodos
Circuitos Grampeadores (utilização)
Tanto o grampeador positivo como o negativo sao muito utilizados. Por exemplo,
os receptores de televisao usam um grampeador para mudar o nivel de referencia
do sinal de video. Os grampeadores sao usados tambem em radares e
circuitos de comunicacao.

Diodos
Detector de pico a pico (exemplo)
Um retificador de meia onda com filtro de entrada com capacitor produz uma tensão CC na saida
que e aproximadamente igual ao valor de pico do sinal de entrada. Quando o mesmo circuito usa
um diodo de pequeno sinal, ele e chamado de detector de pico. Tipicamente um detector de pico
opera em frequencias muito mais altas que 60 Hz. A saida do detector de pico e util para medicoes,
processamento de sinais e comunicacoes.

O Transformador

Diodos
Circuitos Multiplicadores de Tensão
A Figura e um dobrador de tensao. A configuracao e a mesma do detector
de pico a pico, exceto que usamos diodos retificadores e operamos com frequencia
de 60 Hz. A secao de grampo adiciona uma componente CC a tensao do secundario.
O detector de pico produz uma tensao CC de saida que e 2 vezes a tensao do
secundario.

Diodos
Conectando outra secao podemos obter um circuito triplicador de tensao na Figura. As duas
primeiras secoes funcionam como um dobrador. No pico do
semiciclo negativo, D3 esta diretamente polarizado. Isso carrega C3 com 2 Vp com
a polaridade mostrada na Figura 4-34b. A saida triplicada aparece nos terminais
entre C1 e C3. A resistencia de carga pode ser conectada na saida do triplicador de
tensao. Enquanto a constante de tempo tiver um valor suficientemente alto, a saida
sera aproximadamente igual a 3 Vp.

Diodos
A Figura e um quadruplicador de tensao com quatro secoes em cascata
(uma apos a outra). As tres primeiras secoes formam um triplicador e a quarta
faz do circuito total um quadruplicador. O primeiro capacitor se carrega com Vp.
Todos os outros se carregam com 2 Vp. A saida do quadruplicador e entre os terminais
de C2 e C4. Podemos conectar uma resistencia de carga na saida do quadruplicador
para obter uma tensao de 4 Vp.

Diodos
Aplicação.
Teoricamente, podemos adicionar secoes indefinidamente, mas a ondulacao
fica pior a cada nova secao. Ondulacoes maiores e outra razao que explica por que
os multiplicadores de tensão (dobradores, triplicadores e quadruplicadores) nao
sao usados nas fontes de alimentacao de baixa tensao. Como dito anteriormente,
os multiplicadores de tensao sao quase sempre utilizados para produzir altas tensoes,
da ordem de centenas ou milhares de volts. Os multiplicadores de tensao
sao a escolha natural para casos em que se necessite de altas tensoes e baixas
correntes em como os dispositivos de tubo de raios catodicos (CRT) utilizados nos
receptores de televisao, osciloscopios e monitores de computador.

Diodos
Grampeadores e Multiplicadores
Exercícios: Desenhar os circuitos grampeadores e

multiplicadores anteriores no CircuitLab ou Multisim.
Simular. Explicar o que observa no simulador, se
necessários, com cálculos.

Diodos
Circuitos Grampeadores e Multiplicatores
Exercícios:
(1) Considerando uma fonte de 140sen(2.Pi.60.t) [V],
(aproximadamente) V=10+14sen(2.Pi.60.t) [V].
(2) Idem anterior com uma saída de
V=28sen(2.Pi.60.t)-10 [V].
(3) Projetar um Circuito capaz de produzir 280V (dc).
(4) Idem (3), produzindo 740V (dc).

Diodos
Exercícios:
(1) Considerando uma fonte de 60sen(2.Pi.60.t) V,
(aproximadamente) quadrada de 0 a 5V.
(2) Idem anterior, com uma saída quadrada de 0 a
3,5V.
(3) Idem anterior com uma saída de -5V a +5V.
(4) Idem anterior, com uma saída de -3,5V a 3,5V.

Diodos
De uso especial - Reguladores

Diodos
Zener Ideal

Diodos
Zener Ideal - exemplo

Diodos
Zener Ideal – com carga

Diodos
Zener Ideal – com carga
Observe que Vth fornece a

“dica” se o Zener entrou em
condução (regulação), ou não!

Diodos
Zener Ideal – com carga – exemplo
O Zener está operando na região de ruptura?

Diodos
O Zener está operando na região de ruptura?

Diodos
(1) Para o exemplo anterior e Valim = 15V, qual a tensão Is, Il e Is?
(2) O que faz o circuito abaixo?
(3) Ceifador a Zener – explique o que ocorre com o circuito

Diodos
Zener Ideal - exemplo

Circuito com Diodo (CA)

Retificador de Meia Onda








• Valor Médio (CC)?

• Frequência de Saída?

Retificador de Meia Onda (CA) – Uma aplicação

Exercício
Tensão Média (1.a e 2.a aprox.)?

Retificador de Meia Onda – Uma aplicação

Retificador de Meia Onda – Uma aplicação

O Transformador c Retificador de Meia Onda



Exercícios – Retificador de Meia Onda

• Repita o exercício anterior imaginando que a tensão de entrada é
bifásica (220V) e a relação de espiras é de 8:1. Qual o diodo da
família 1N400X seria adequado para realizar este projeto. Explique.


Onda Completa com Tomada Central













Circ Onda Completa com Tomada Central

Aplicação


Aplicação


Aplicação


Exercícios
Ex (1) – se a relação de espiras mudar

de 5:1, calcule a tensão de pico de
entrada e de saída, usando uma
aproximação de 2.a ordem. E tbem, a
tensão média na carga.
Ex (2) – Se um dos diodos abrir, o que

ocorreria com as tensões do Circuito?

Retificador de onda Completa em Ponte














Aplicação
Tensão Média na carga (1.a e 2.a aprox.)? f?


Aplicação

Aplicação
Circuito com Diodo (CA) – Retificadores

Exercício
Exercício
(1) Repita o caso anterior para um Trafo de 5:1. Qual
a corrente máxima na carga?
(2) Idem anterior para um Trafo de 40:1. Qual a
corrente máxima na carga?
Circuito com Diodo (CA) - Retificadores
Na prática: Xrf?
Na prática: XL alto?






Deduza: aprox. 1.a ordem!


Ex. icc=10mA, C=200pF

Ex. icc=10mA, C=200pF

Exemplo

Exemplo
Pico a Pico da Ondulação


Exemplo (Onda completa)


Exercício
Exercício
(1) Repita o exercício anterior com um Trafo de
20:1, capacitor de 470uF e Resistor de 1K.
(2) Simule o circuito (1) no CircuitLAB ou
Multisim. Explique eventuais diferenças e plote as
principais formas de onda na entrada e saída.



Comparações dos Exemplos



Exercício

Exercício

Exercício
Exercício
(1)Repita o exercício anterior com um Trafo de 10:1,
capacitor de 5200uF e Resistor de 1K.
(2) Simule o circuito (1) no CircuitLAB ou
Multisim. Explique eventuais diferenças e plote as
principais formas de onda na entrada e saída.

Tensão de Pico Reversa
Retificador de Meia Onda  PIV = 2.Vp

Onda Completa e filtro Capacitivo  PIV = Vp
Ponte e filtro capacitivo  PIV

Tensão de Pico Reversa - Exemplo

Tensão de Pico Reversa - Exemplo

Comparação
Retificação (1) (Sumário Idéias)

Retificação (2) - Filtragem

(Sumário Idéias)

TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR

(TJT)

Transistor Bipolar
PRIMEIRO TRANSISTOR PATENTEADO PELA BELL (1948)
Inventado quase que por acaso

na Bell laboratories. Os
pesquisadores focavam sua
atenção em estudos de como
melhorar a eficiência de diodos
eliminando ou minimizando a
resistência de encapsulamento
(óxido-resistiva). Passaram
então a investir nos transistores
“de contato” e a geração de
amplificação de sinais.

Transistor Bipolar

Transistor Bipolar
Pesquisadores da Bell Laboratórios da Física de Estado
Sólido. Na 2.a Grande Guerra pararam seus estudos para
se dedicar ao esforço de Guerra (desenvolvimento de
radares para os Bs-29, detecção magnética de
submarinos).
William Bradford Shockley Jr. foi um físico e inventor,
nascido em Londres em 1910. Mudou-se para Palo Alto,
na Califórnia, com 3 anos de idade. Bacharel de ciências
do Instituto de Tecnologia da Califórnia em 1932, PhD no
MIT em 1936.
John Bardeen nasceu em Wisconsin, em 1908.
Engenharia Elétrica em 1928 universidade de Wisconsin.
PhD em 1936 sobre Física do Estado Sólido.
Walter Houser Brattain nasceu em 1902 em Amoy, na
China, Graduado no "Whitman College", em Washington,
em 1924. PhD na universidade de Minnesota em 1929.
Invenção do pós-guerra – “Point Contact Resistor”. Ótimo
cientista implementador.
Transistor Bipolar

Transistor Bipolar
23/12/1947 – invenção do dispositivo

capaz de ter ganho elevado como as
válvulas tríodo e em diversas
frequências. (Obs – vejam a data! Foi
presente de Natal!)
1/07/1948 – Comunicado a imprensa

pela Bell
1956 – Nobel em Física

Transistor Bipolar
1956 – Nobel em Física

Versões comercialmente
viáveis inicialmente em
Germânio e depois em
Silício. Grupos de pesquisa
derivados formaram a AMD e
Intel.

Transistor não polarizado

Um transistor tem três regiões dopadas, conforme
mostrado a esquerda. A região inferior e chamada
de emissor, a região do meio e a base e a região
superior e o coletor. Em um transistor real, a região
da base e muito mais estreita comparada com as
regiões do coletor e do emissor. O transistor da
Figura e um dispositivo npn porque existe uma
região p entre duas regiões n. Lembre-se de que os
portadores majoritários são elétrons livres em um
material tipo n e as lacunas em um material tipo p.
Os transistores podem ser produzidos também
como dispositivos pnp. Um
transistor pnp tem uma região n entre duas regiões
p. Para evitar confusão entre os transistores npn e
pnp, o estudo se concentrara no transistor npn.

Transistor não polarizado

Níveis de dopagem
Na Figura, o emissor e fortemente dopado.
Por outro lado, a base e fracamente dopada. O
nivel de dopagem do coletor e intermediario,
entre a forte dopagem do emissor e a fraca
dopagem da base. O coletor e fisicamente a
regiao mais larga das tres.
Os diodos emissor e coletor

O transistor da Figura tem duas juncoes: uma
entre o emissor e a base e outra entre o
coletor e a base. Por isso o transistor e similar
a dois diodos virados costa com costa. O
diodo debaixo e chamado de diodo-base
emissor ou simplesmente diodo emissor. O
diodo de cima e chamado de diodo-base
coletor ou diodo coletor.

Transistor polarizado
Normalmente os efeitos
interessantes ocorrem quando
uma junção está polarizada
diretamente (emissor) e a
outra reversamente (coletor).

Transistor polarizado
Emissor – “fonte de elétrons”
Base polarizada diretamente. Se
Vbe > 0,7V, o que ocorre?
Caminhos da corrente de
emissor – ou pela base estreita
(aprox. 1%a 5% dos elétrons) ou
para o coletor (99% a 95% dos
elétrons).
Pequena Corrente de Base

regula grande corrente de
coletor.

Transistor polarizado - Correntes


0,99 > α > 0,95 (tipicamente)
300 > β > 20 (tipicamente)

Como a partir de αcc

calculamos βcc e
vice-versa?
0,99 > αcc > 0,95 (tipicamente)
300 > βcc > 20 (tipicamente)



Transistor polarizado - Conexões

Conexão EC
Existem três modos utilizados para
conectar um transistor: em EC (emissor
comum), CC (coletor comum) ou BC (base
comum). As conexões CC e BC serão
estudadas depois. Vamos nos concentrar na
conexão EC já que é a mais utilizada.
Obs.: “Comum” = GND tipicamente.

Transistor polarizado - Conexões

Transistor polarizado – Curva de Base
1ª e 2ª aprox,



BC548 – transistor uso geral – ic(max)=100 mA

Qual o Bcc? E o αcc? O que isto significa?

BC548 – transistor uso geral – ic(max)=100 mA

Qual o Bcc? E o αcc? O que isto significa?


BC548 – observe que a fonte de corrente se
mantem no Circ CE mesmo quando elevamos Rce
para 11K. Qual a potência dissipada pelo transistor,
nesta situação?


BC548 – observe que a fonte de corrente se
mantem no Circ CE mesmo quando elevamos Rce
para 11K. Qual a potência dissipada pelo transistor,
nesta situação?


BC548 – nesta situação duplicamos a resistência de
base. Observe que ib diminui pela metade, e como
a fonte de corrente no secundário se mantem
proporcional!


BC548 – nesta situação duplicamos a resistência de
base. Observe que ib diminui pela metade, e como
a fonte de corrente no secundário se mantem
proporcional!
E note o efeito
transistor: uma
pequena corrente e
potência de base,
controlando uma
corrente 300x (Bcc)
maior no Circuito
CE


Repetindo o cálculo agora para o TIP31, um
transistor de potência, que é capaz de dissipar até
1W. Bcc? E o αcc? Potencia dissipada pelo
transistor?


Repetindo o cálculo agora para o TIP31, um
transistor de potência, que é capaz de dissipar até
1W. Bcc? E o αcc? Potencia dissipada pelo
transistor?

Transistor polarizado – Curva de Coletor

Este gráfico é do
transistor 2N3904,
muito usado com
transistor de baixa
potencia.





BC548


e Limites típicos





Transistor polarizado – Aproximação

Transistor polarizado – Aproximação

Aproximações mais precisas
A resistência de corpo do diodo emissor torna-se
importante apenas quando aplicadas em alta potencia
em cujas aplicações estas correntes sao altas. O efeito
da resistência de corpo no diodo emissor aumenta
VBE acima de 0,7 V. Por exemplo, em circuitos de
alta potencia, o valor de VBE no diodo base-emissor
pode ser maior que 1 V. Do mesmo modo, a
resistência de corpo do diodo coletor pode ter um
efeito notável em alguns projetos. Alem das
resistências de corpo do emissor e do coletor, um
transistor tem muitos outros efeitos de ordem superior
que torna os cálculos manuais tediosos e demorados.
Por essa razão, os cálculos além da segunda
aproximação devem usar um computador para as
soluções.

Transistor polarizado – Cálculos









Região Ativa
Ruptura
Região Saturação
Região Corte

Transistor polarizado – dependência da

Temperatura (ex. TIPxx)

Estes modelos apresentados são bem interessantes

para quando conhecemos o Bcc do transistor, e,
portanto a diferença ib x ic para determinar a região
de poalarização. Vimos tbem que o Bcc sofre uma
variação, de acordo com Vce. Na prática, estes
circuitos apresentados são ótimos para
compreensão do efeito transitor e utilização de
regiões de CORTE e SATURAÇÂO (Digitais).

Para podermos trabalhar com a região de

amplificação (ativa) o mais independente possível
de Bcc do transitor, desenvolveram-se outros
modelos práticos usados hoje, em CC e AC. Tal
modelo foi estudado entre outros, por Darcy
Domingues Novo, pesquisador da Bell, brasileiro e
professor.

Polarização de Emissor
Ponto Q –
quiescente –
polarização
(Vce, ic/ie)

Polarização de Emissor - pto Q

Polarização de
Emissor - pto Q




Circuitos de Polarização

15 a 20 anos de trabalhos! ....
Polarização por Divisão de Tensão

(PDT)

(PDT)


Ex.: VCE? IE?


Análise (mais) Precisa para PDT
Fonte de Tensão

Análise Precisa para PDT



Variando RC


Variando RC (Programa Matlab)


Condição
Vce > 0


Corte Satur.


Regras de PROJETO


Regras de PROJETO (Ex)
Transistor 2n3904
Vcc=10V
Desejamos Ic=10 mA
obs.: (100<Bcc<300)
e Q ~ em Vcc/2 (!!)


Transistor 2n3904
Vcc=10V
Desejamos Ic=10 mA
obs.: (100<Bcc<300)
Q ~ em Vcc/2 (!!)

Regras de PROJETO


Regras de PROJETO


Transistor TIP31
Vcc=10V
Desejamos Ic=1 A
obs.: (20<Bcc<100)
e Q ~ em Vcc/2 (!!)


Regras de PROJETO
Transistor TIP31
Vcc=10V
Desejamos Ic=1 A
obs.: (20<Bcc<100)
e Q ~ em Vcc/2 (!!)


Regras de PROJETO
Transistor TIP31
Vcc=10V
Desejamos Ic=1 A
obs.: (20<Bcc<100)
e Q ~ em Vcc/2 (!!)


Regras de PROJETO


Regras de PROJETO
Afrouxando R1 e R2 p/ menor consumo de corrente


Regras de PROJETO


Criando estágios para sinal AC
(Analise VCE - HOME)

Análise de Circuitos com BJT em CA

idéia básica ...
Capacitores
De
Desacoplamento

Análise de Circuitos com BJT em CA

idéia básica ...

Análise em CA
idéia básica ...

Análise em CA
idéia básica ...

Análise em CA (Ex. Calculo Pto Q)

Análise em CA

Análise em CA (Sinal CA - qualitativo)

Análise em CA (qualitativo)

Análise em CA (qualitativo)

Análise em CA

Análise em CA

Análise em CA

Análise em CA

Análise em CA

Análise em CA (PDT)




Redução da Distorção

Análise em CA (PDT) (Ex.)





Ie~3ma

(1) Modelo de Ebers-Moll

Ou Modelo T

(1) Modelo П (PI)
Evidência impedância de entrada

B  hFE – nas folhas dos Data Sheets


(CA + CC  superposição)

(CA + CC  superposição)

(CA + CC  superposição Ex.)











Escala
A: 100mV/div
B: 2mV/div



Análise em CA (PDT) TIP31

Análise em CA (PDT) TIP31

TIP 31

TIP 31

TIP 31

TIP 31

Análise em CA. Ex.: Analise!!
Se houver qq.
Distorção, corrija
Projeto!

Análise em CA. Ex.: Analise!!

Amplificadores Operacionais

“O amplificador operacional recebeu este nome porque foi projetado

inicialmente para realizar operações matemáticas utilizando a tensão como uma
analogia de uma outra quantidade. Esta é a base dos computadores analógicos
onde os amp ops eram utilizados para realizar as operações matemáticas básicas
(adição, subtração, integração, diferenciação, e outras). Neste sentido, um
verdadeiro amplificador operacional é um elemento do circuito ideal. Os
amplificadores reais utilizados, feitos de transístores, válvulas, ou outros
componentes amplificadores, são aproximações deste modelo ideal.” (fonte –
Wikipedia)  Computação Analógica!

O amplificador operacional recebeu este
nome porque foi projectado inicialmente
para realizar operações matemáticas
utilizando a tensão como uma analogia
de uma outra quantidade. Esta é a base
dos computadores analógicos onde os
amp ops eram utilizados para realizar as
operações matemáticas básicas (adição,
subtração, integração, diferenciação, e
outras). Neste sentido, um verdadeiro
amplificador operacional é um elemento
do circuito ideal. Os amplificadores reais
utilizados, feitos de transístores, válvulas,
ou outros componentes amplificadores,
são aproximações deste modelo ideal.
Computação Analógica!






O Circuito Integrado 741
Alimentação simples
limite inferior: +3V / -3V

limite superior: +15V / -15V
Ex: Se Vcc=+12/-12V a VE não deve ser superior a +10 /-10 V
Corrente de entrada da ordem de 1 µA.
Corrente de saída 5 mA
Dissipação de potência 500 mW




Cálculo?

Cálculo? Ganho 50  f x Ganho?




fcl=100kHz -> Av=10 (<50)

fcl=100kHz -> Av=10 (<50)

Ganho? Largura de banda?




Ganho?
Largura de
banda?
freq=250Khz


freq=250Khz



Tensão na saída?

Tensão na saída?


Tensão e impedância na saída?

Tensão e impedância na saída?



(Exemplo)






Derivador

Derivador














Exercício - Faça a análise do circuito a
Seguir
XSC1
Rc1
Ext Trig
21
50Ω V1 3+
6_
R4 C2a 10V
1
2
A B
10kΩ
21
1
4
2
5
+ _ + _
1
2
2
C1a Q1 470µF
C
1
2 1 B TIP31AG
E
470µF
3
R5
Re1
21
4.4kΩ Ce1 Rl1

21
10Ω
2 1
470µF 8Ω
1
2 Formas de onda e frequência
no 741. Ie amplificador.
Ganho.
1
Verificação tensões
R2
12
polarização. Tensão de saída
10kΩ XSC3 do amplificador de audio.
R6
U1 100kΩ Verificar comportamento no
21
7
Ext Trig
V2
VS+
BAL2
BAL1
3+
3
12V 6_
Simulink
1
2
IN+ A B
OUT 6
1
4
2
5
+ _ + _
2 IN-
VS-
C1 V3
741
4
-12V R7
1
2
10nF
1
2
100Ω
21
R1
12 R3
1 2
10kΩ
10kΩ
1

Exercício - Faça a análise do circuito a Seguir
XSC1
Rc1
Ext Trig
21
50Ω V1 3+
6_
R4 C2a 10V
1
2
B
10kΩ
A
Formas de onda e frequência
21
1
4
2
5
+ _ + _
1
2
2
C1a Q1 470µF no 741. Ie amplificador.

C
1
2 1 B TIP31AG
Ganho.
E
470µF
3
R5
Re1
21
4.4kΩ Ce1 Rl1

21
10Ω
2 1
470µF 8Ω
1
2
do amplificador de audio.
Verificar comportamento no
Simulink. Repare que o
1
capacitor de 1Uf age com a

R2 XSC2
12 impedância de ebtrada do
10kΩ
R6
Ext Trig
3+
6_
circuito TIP31 como um
U1
FPB, para o sinal gerado no
21
B
10kΩ A
7
V2
1
4
2
5
+ _ + _
VS+
BAL2
BAL1
3
12V
amp op
1
2
IN+
OUT 6
2 IN-
VS-
C1 V3
741
4
-12V R7
1
2
10nF
1
2
100Ω
21
R1 C2
12 R3
1 2 1µF
10kΩ
1
2
10kΩ
1

Projeto
XSC1
Rc1
Ext Trig
21
50Ω V1 3+
6_
R4 C2a 10V
1
2
A B
10kΩ
21
1
4
2
5
+ _ + _
1
2
2
C1a Q1 470µF
C
1
2 1 B TIP31AG
E
470µF
3
R5
Re1
21
4.4kΩ Ce1 Rl1

21
10Ω
2 1
470µF 8Ω
1
2
1
R2 XSC2
12
10kΩ Ext Trig
3+
R6 6_
U1
21
B
10kΩ A
7
V2
1
4
2
5
+ _ + _
VS+
BAL2
BAL1
3
12V
1
2
IN+
OUT 6
2 IN-
VS-
C1 V3
741
4
-12V R7
1
2
10nF
1
2
100Ω
21
R1 C2
12 R3
1 2 1µF
10kΩ
1
2
10kΩ
1
Formas de onda e frequência

no 741. Ie amplificador.
Ganho.
do amplificador de audio.
Verificar comportamento no
Simulink. Repare que o
capacitor de 1Uf age com a
impedância de ebtrada do
circuito TIP31 como um
FPB, para o sinal gerado no
amp op

Projeto
Projete um oscilador de audio de 1Khz que seja capaz de alimentar um alto falante de 4 ohms de impedância (caixa
acústica) com 4W de potência instantânea aproximadamente. Deixe claro em seu projeto: circuito e cálculos de
polarização, cálculo do ganho, FPB na saída do operacional (741).
XSC1
Rc1
Ext Trig
21
50Ω V1 3+
6_
R4 C2a 10V
1
2
A B
10kΩ
21
1
4
2
5
+ _ + _
1
2
2
C1a Q1 470µF
C
1
2 1 B TIP31AG
E
470µF
3
R5
Re1
21
4.4kΩ Ce1 Rl1
21
10Ω
2 1
470µF 8Ω
1
2
1
R2 XSC2
12
10kΩ Ext Trig
3+
R6 6_
U1
21
B
10kΩ A
1
V2
1
4
2
5
+ _ + _
VS+
BAL2
BAL1
3
12V
1
2
IN+
OUT 6
2 IN-
VS-
C1 V3
741
4
-12V R7
1
2
10nF
1
2
100Ω
21
R1 C2
12 R3
1 2 1µF
10kΩ
1
2
10kΩ

Projeto - Exercício Rc1
XSC1
Ext Trig
21
50Ω V1 3+
6_
R4 C2a 10V
1
2
A B
10kΩ
21
1
4
2
5
+ _ + _
1
2
2
C1a Q1 470µF
C
1
2 1 B TIP31AG
E
470µF
3
R5
Re1
21
4.4kΩ Ce1 Rl1
21
10Ω
2 1
470µF 8Ω
1
2
1
R2 XSC2
12
10kΩ Ext Trig
3+
R6 6_
U1
21
B
10kΩ A
1
V2
1
4
2
5
+ _ + _
VS+
BAL2
BAL1
3
12V
1
2
IN+
OUT 6
2 IN-
VS-
C1 V3
741
4
-12V R7
1
2
10nF
1
2
100Ω
21
R1 C2
12 R3
1 2 1µF
10kΩ
1
2
10kΩ
1
Projete um circuito:
- Baseado em Amp Op 741, oscilador, saída ceifada a zener em 3,9V (Vz  3,9+0,7=4,6V) e que seja alimentado com
uma fonte alanceada de +-10V capaz de oscilar a frequência de 500 Hz
- Idem anterior com Zener de 4,3V (=Vz) e frequência de 1200 Hz
- Cada Amp Op passa por um filtro passa baixa de fc = 1/(2.PI.C.R), em que C precisa ser calculado e R é a impedância
de entrada de um inversor (seguidor de tensão) de 10Kohms de entrada e 100 Kohms de impedância de saída, ao qual o
filtro está ligado.
- Os dois Amp Ops anteriores alimentam um Misturador (somador) baseado em Amp Op (+-10Vdc, 741) com ganho
1/1000
- O misturador alimenta um Circuito de potência baseado em TIP31 capaz de alimentar uma caixa-acústica de 8 ohms de
impedância. Qual a potência média na cx acústica? Deixe claro todos os circuitos de polarização, tensões, cálculos de
ganho

418

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• SEDRA, A., & SMITH, K. (1998). Eletrônica, quarta edição.

• MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica–Volumes 1 e 2.

• LICCIARDI, Newton. Apostilas Teoria e Laboratório. 2018

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• Conhecimento e Pilotagem para Drones (RPAs)

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