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de Amplificadores de pequeña señal Amplificadores de pequeña señal con transistores FET Amplificadores en cascada
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de Amplificadores de pequeña señal

Amplificadores de pequeña señal con transistores FET Amplificadores en cascada y con varios transistores

En el circuito amplificador de la figura, se desea que el valor de la corriente
En el circuito amplificador de la figura, se desea que el valor de la corriente

En el circuito amplificador de la figura, se desea que el valor de la corriente de drenador I D a 25ºC tome valores dentro del rango 1.5mA I D 2.5mA, independientemente de las variaciones máximas y mínimas de los parámetros del transistor JFET canal n utilizado alrededor de sus valores típicos, representadas en la característica de transferencia de la figura F1. Determinar:

Los valores de R G1 , R G2 y R S necesarios, sabiendo que el valor de la impedancia de entrada debe ser Z IN =100k . La ganancia de tensión A V =V O /V I , considerando el valor típico de los parámetros característicos del transistor JFET, expresada en dB.

V CC = 24V R G1 R D = 5k v i R R G2
V CC = 24V
R
G1
R D = 5k
v
i
R
R
G2
S

v o

I D (mA) 10 7 4 max typ min -4 -2.6 -1.2
I D (mA)
10
7
4
max
typ
min
-4
-2.6
-1.2

V GS (V)

En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

Ganancias de tensión A V1 =V O /V I y A V2 =V O /V S , expresadas en dB. Impedancia de entrada Z IN . Ganancia de corriente A I =I O /I I , expresada en dB. Impedancia de salida Z OUT .

Considerar que V DD =15V, R G1 =820k , R G2 =100k , R G3 =1M , R D =2.2k , R S =1k , R I =600 y R L =10k , siendo los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña señal, g m =2.6mA/V, r ds =100k .

v S

V DD = 15V R R G1 D R i i o i i R
V DD = 15V
R
R
G1
D
R
i
i
o
i
i
R
R
G3
L
+
v i
-
R
R
G2
S

v o

En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

Ganancia de tensión referida al generador de señal de entrada A V =V O /V S , expresada en dB. Impedancia de entrada Z IN .

Considerar que V DD =15V, R S =600 , R G =100k , R S1 =1k , R S2 =1k y R L =22k , siendo los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña señal, g m =10mA/V, r ds =500k .

v S

V DD = 15V R S i o i i R R G S1 +
V DD = 15V
R S
i o
i
i
R
R G
S1
+
v i
R L
-
R
S2
-

v o

En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

Ganancia de transimpedancia A R1 =V 1 /I I . Ganancia de tensión A V2 =V 2 /V 1 . Ganancia de tensión A V3 =V O /V 2 . Impedancia de entrada Z IN . Impedancia de salida Z OUT .

Considerar que los parámetros en pequeña señal de los transistores bipolares Q 1 yQ 2 son: =100, r’ e1 =10 , r’ e2 =8.5 , y que los parámetros característicos del transistor JFET de canal n Q 3 , son: g m =20mA/V y r ds =100k .

V CC R D = 5k R C1 = 5.6k R B2 = 1M R
V CC
R D = 5k
R C1 = 5.6k
R B2 = 1M
R C2 = 3.6k
R G1 = 180k
v
o
Q 3
R G3 = 100k
+
Q 2
+
i
i
Q 1
v
v 1
2
R E1 = 40
R G2 = 56k
R S = 1k
R E2 = 220
-
-
Z
Z
in
out

Se dispone de un circuito amplificador de dos etapas con acoplo directo, como se muestra en la figura, constituyendo un amplificador CASCODO.

v S

V CC = 15V R L = 500 R B1 = 5k Q 2 R
V
CC = 15V
R
L = 500
R B1 = 5k
Q
2
R B2 = 25k
R S = 50
Q
1
+
-
R G = 1M
R
S = 1k

v o

Suponiendo que V BE =0.6V, >>1, I DSS =10mA y V p =-4V:

Identificar cada una de las etapas formadas por Q 1 y Q 2 . Calcular los puntos de trabajo de los transistores Q 1 y Q 2 . Calcular la ganancia de tensión A V =V O /V S , expresada en dB. CalcuIar la impedancia de entrada vista desde el generador de señal Z IN . Calcular la impedancia de salida Z OUT .

I D1 =2.1467mA, V DS1 =9.7533V, I C2 =2.1467mA, V CE2 =2.026V.

En el circuito amplificador de la figura, los parámetros característicos de los transistores JFET canal n Q 1 , Q 2 y Q 3 , son: g m =1mA/V y r ds =40k . Calcular:

La ganancia de tensión de cada etapa. La ganancia de tensión global A V =V O /V S .

v S

V DD R D1 = 40k R D2 = 10k Q 1 Q 2 Q
V DD
R D1 = 40k
R D2 = 10k
Q 1
Q 2
Q 3
v
o
+
R S3 = 5k
-
R S1 = 2k

A V =64.5.