“AÑO DE LA UNION NACIONAL FRENTE A LA CRISIS

EXTERNA”

Especialidad
SISTEMAS AUTOMATICOS
PROGRAMABLES

Profesor : Luis Vilca

Alumno : Quijandria Aquije Juan Carlos
Semestre : IV

Ica – Perú
2010

El diodo de potencia
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales,
no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único
procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una
pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

 Características estáticas:
Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
Parámetros en conducción.
Modelo estático.
 Características dinámicas:
Tiempo de recuperación inverso (trr).
Influencia del trr en la conmutación.
Tiempo de recuperación directo.
 Potencias:
Potencia máxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
 Características térmicas.
 Protección contra sobreintensidades.
El transistor de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

 Bipolar.

 Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).

 IGBT.

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Coste Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga
en corriente de los transistores bipolares:

• Trabaja con tensión.

• Tiempos de conmutación bajos.
• Disipación mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

• Pequeñas fugas.
• Alta potencia.
• Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
• Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
• Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado (VCE máxima elevada).
• Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace
instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base -
emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.

Principios básicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de
actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una
corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control
se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia
vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son
substancialmente distintas.

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en
los otros dos terminales.

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

• En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

• En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
• En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante
mayor.

Tiempos de conmutación

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro
se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va
a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a
ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al
aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado
a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de apagado

(toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.
 Tiempo de retardo (Delay Time, td):
Es el tiempo que transcurre desde el
instante en que se aplica la señal de
entrada en el dispositivo conmutador,
hasta que la señal de salida alcanza el
10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr):

Tiempo que emplea la señal de salida
en evolucionar entre el 10% y el 90%
de su valor final.

Tiempo de almacenamiento (Storage

time, ts): Tiempo que transcurre
desde que se quita la excitación de
entrada y el instante en que la señal
de salida baja al 90% de su valor
final.

Tiempo de caída (Fall time, tf):

Tiempo que emplea la señal de salida
en evolucionar entre el 90% y el 10%
de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que el
tiempo de encendido (ton).

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a la cual
puede conmutar el transistor:

Curva característica del diodo

• Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ). La tensión umbral (también
llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la
tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de
 potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
• Corriente máxima (Imax ). Es la intensidad de corriente máxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del
mismo.

• Corriente inversa de saturación (Is ). Es la pequeña corriente que se establece

al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco
debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º
en la temperatura.

• Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la

superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la
tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente
superficial de fugas.
• Tensión de ruptura (Vr ). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de

saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo
normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

• Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan

pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la
tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía
cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su
salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran
por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos
a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.
• Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede
expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo
esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del
orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
 Rectificador controlado de silicio (SCR)
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es
un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura
PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.

Símbolo del tiristor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada
de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como
un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción
y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir.
Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito.

Tiristor
El pulso de disparo ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se
estátrabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el
pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga.
Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará
conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de
mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor,
éste puede dispararse y entrar en conducción aún sin corriente de puerta. Por ello se da
como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener
bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente
entre la puerta y el ánodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control,

especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de
tipo electrónico.

El TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la
familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR
en antiparalelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo)
y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

Aplicaciones más comunes

 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes
alternas.
 Una de ellas es su utilización como interruptor estático
ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos
convencionales y los relés.
 Funciona como switch electrónico y también a pila.
 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones
como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores
 eléctricos, y en los sistemas de control computarizado de
muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las
precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga
correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente
alterna.
 Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.

Resistencias Especiales
Resistencias fabricadas a medida del cliente y para todo tipo de aplicaciones siendo
siempre asesorado por un departamento técnico, para elaborar la resistencia más
adecuada a cada aplicación, y definiendo características y materiales de acuerdo con la
solicitud de cliente.
Estas resistencias se pueden elaborar en todo tipo de materiales y potencias sin
necesidad de cantidades mínimas y con cortos plazos de entrega para facilitar así las
labores de mantenimiento de maquinaria.

Algunos ejemplos de fabricaciones especiales: