Vous êtes sur la page 1sur 13

2

BN-88/3375-32/24

Tablica 1. Wymiary obudowy CE 30

Symbol Wymiary mm Symbol Wymiary mm wymiaru wymiaru min nom max min nom max A 4,06
Symbol
Wymiary mm
Symbol
Wymiary mm
wymiaru
wymiaru
min
nom
max
min
nom
max
A
4,06
-
4,83
2,16
-
2,92
1 1
b
0 , 64
-
0,89
L
12 , 7
- -
1,22
-
1,40
7,62
-
8,89
b 1
L 1
C
0,38
-
0,43
ej)
P
3,53
-
3,63
D
14,61
-
15,88
Q
2,54
- 3,05
e
2 , 03
-
3,05
z
1,02
-
1,52
4,57
-
5,64
E
10,03
- 10,04
e 1
F
-
1,27
-
9 , 20
-
9,40
E 1
5,97
-
6,73
7,62
- 8,13
H 1
E 2
e)
badania podgrupy B , C
i
DO-wg tab!.
5,
c
f)
parametry elektryczne sprawc!żane w czasie i po
ba-
daniach grupy B,
C
i
D wg tab!.
6 ,
Bo--
.._
~
g)
wartość AQL dla jako'ści podstawowej dla
podgrupy
C2 - 4% dla podgrupy C4 - 2 , 5%.
[
typ,
R 1 = 6k~!
7.
Pozostale
postarrowlenia -
wg llN- 80 / 3375- 32/00.

I BN-8S/3375-32!24-21

Typ. R 2 = 100~!

Rys.

2. Schemat połączeń

  • 5. Badania w grupie A,

p.

5.

B,

C,

D

-

wg BN - 80/3375-32/ 00

  • 6. Wymagania szczegółowe do badań grupY A, B , C i D

 

a)

badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów A, b,

b 1 , D,

e,

(w odległości 6,45 •

6,50 mm od obudowy) wg rys.

l

i

tab!.

l,

 

b)

badania podgrupy A2 - sprawdzenie podstawowych pa-

rametrów elektrycznych wg tabl. 2,

 
 

c)

badania podgrupy A3 - sprawdzenie drugorzędnych

parametrów elektrycznych wg tabl. 3,

 

d)

badania podgrupy A4 - sprawdzenie parametrów e-

lektryc"nych w temperaturze tumb = 100 0 C (poziom III i IV) wg tab!. 4,

T

2 BN-88/3375-32/24 Tablica 1. Wymiary obudowy CE 30 Symbol Wymiary mm Symbol Wymiary mm wymiaru wymiaru

8

+
+
R8 . Re
R8 .
Re

IBN-8B/3375-32124-31

Rys. 3. Układ do pomi«ru napięcia U BE metodą impulsową

G

-

generator (źródło prądu impulsowego bazy),

T

- mie-

rzony tranzystor, V 1 - woltomierz impulsowy napięcia szczytowego, V 2 - woltomierz napięcia stałego kolektor- -emiter, V 3 - woltomierz impulsowy napięcia szczytowego

baza-emiter, W -wskaźnik równowagi, Z-źródło napięcia

stałego kolektor-emiter, R B '

Re - rezystory

Tablica 2.

Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom l, lII, IV)

       

--

-

       

Wartość graniczna

 

Lp.

Oznaczenie literowe parametru

.

 

Metoda pomiaru wg

   

Warunki pomiaru

 

Jednostka

 

BD 64L

 

BD 646

 

BD 648

BD 650

Lp. Oznaczenie literowe parametru . Metoda pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BD 64L BD 646 BD
 

-

 

min

max

min

max

min

max

min

 

max

 

1

 

2

 

3

 

4

 

:)

6

7

8

9

10

11

12

 

13

 

1

-ICBO

!

PN-74/T -01504/05

 

-

U CB

= 45

V

 

/-lA

-

200

-

-

-

-

-

 

-

 

2

-ICBO

 

PN-74/T -01504/05

   

-UCB

= 60

V

 

1"A

-

-

-

200

-

-

-

 

-

 

,

                     
 

3

-ICBO

 

PN-74/T-01504/05

 

-

U cn

= 80

V

 

!-lA

-

-

-

-

-

200

-

 

-

 

4

-[CBO

 

PN-74/T-01504/05

   

-U CB =100V

   

!lA

-

-

-

-

-

-

-

 

200

 

5

-U(BR)CEO 1)

   

PN-74/T -01504/07

   

-lC

= 0,1

A

 

V

45

.

-

60

-

80

-

100

 

-

 

r

                           

o

-UeBR)EBO

   

PN-74!T -01504/04

 

-lE

= 5

mA

 

V

5

-

:)

-

5

-

:)

 

-

I

         

i

                         

I

I

I

 

7

h 21E 1)

   

PN-7 4/ T-01504/08

 

-

lC

= 3

A,

- U CE

= 3

V

 

-

750

-

750

-

750

-

750

 

-

 

8

-u

BE

1)

 

p.

6 rys.

3

 

-lC

= 3

A,

-U CE

= 3

V

 

V

-

2,5

-

2,5

-

2.5

-

 

2,5

 
           
 

9

-U ( BR ) C,BO

   

PN-74/T-01504/04

   

-lc

= 200

!lA

 

V

45

-

60

-

80

-

100

 

-

 

----

1)Pomiar impulsowy:

-

-

tp~ 300 ,""s,

tS ~ 2%.

-

------ --- ----- - -----------------

 

-\

--

 

.,.

0:1

Z

,

CP

CP

W

---

W

vi

~

,

W

N

N

---

-I'-

w

~ Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrup y A3 i C2 (poziom l, III,
~
Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrup y A3 i C2 (poziom l, III, IV )
Wartość graniczna
Lp.
Oznaczenie literowe
parametru
Metoda
pomiaru
Warunki pomiaru
Jednostka
BD 644
BD 646
.
BD 648
BD 650
wg
min
max
min
max
min
ma x
min
max
l
2
3
4 5
6 7
8 9
10 11
12
13
l
PN-74/T-01504 /06
- l C
= 3
A,
- l B
~
12
mA
V
- 2
-
2
-
2
-
2
-U C E sat 1)
,
2
PN-74 / T- 01504/06
-IC =3A,- IB
=
12 mA
V
-
2,5
-
2,5
-
2.5
-
2 ,5
-U
sat 1)
BE
..:
.
-U
=lOV, -IE
=O
3
PN-74/T-01504 / 22
CB
pF
-
100
-
100
-
100
100
eCBO
-
'
f = l
MHz
lJj
-lc=
3
A,
- U CE = 3
V
Z
4
1"1'
PN-74 / T-01504 /24
MHz
l -
l -
l
-
1
-
I
to
l
=
1 MHz
to
---
W
~
1) Pomiar iinpulsowy:
t p ~ 300
p.s:
6 ~2%.
Ul
I
---
-
--
W
ł\:)
Tablica 4 . Parametry e lektryc zne sprawdzane w badaniu podgrupy A4 ( poziom III i IV )
---
~
Wartości graniczne
Lp.
Oznaczenie literowe
parametru
Metoda pom ia ru
wg
Warunki pomiaru
Jednostka
BD 644
BD 646
BD 648
BD
650
min
max
min
max
min
max
min
max
1
2
3
4 5
6 7
8
9
10
11.
12
13
-U CB =
45
V
mA
-
c::
.,
-
-
-
-
-
-
-U
=
60
V
mA
-
-
-
5
-
-
-
-
-I
= O
CB
E
l
PN - 74/ T- 01504/05
-I CBO
o
,
=
100
C
t amb
= 80
V
mA
-
-
-
-
-
5
-
-
-U CB
-Ucs =lOO V
mA
-
-
-
-
- -
-
5
J
..

BN-88/3375-32/24

5

Tablica 5. Wym a g ania szcze gółowe do badań gr upy B, C i D
Tablica 5.
Wym a g ania
szcze gółowe do badań gr upy B, C i D
Podgrupa
Lp.
Rodzaj badania
Wymagania szczególowe
badań
l
2
3
4
l
Bl,
Cl
Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej
próba Ub .
5
N
±O,5 N
wyprowadzeń
liczba cykli 3,
próba
Va 1,1O N
Sprawdzenie szczelności
próba QI
2
B3
Sprawdzenie wytrzymaŁości n a spadki
swobodne
położenie tranzystora w czasie spada n ia
wyprowadzeniam i do góry
Sprawdzenie wytrzymałości na udary wie-
3
B4
i
C4
mocowanie za obudowę
l okrotne
4
B6
i
C6
wg PN-78/T - 015l5 p .
metoda badan ia
5.3 . 22 tabl.
5;
SprClwdzenie odporności na narażenia
elektryczne
a) układ OB
BO 644
-
=
35
V,
- le
= 0,7
A
V eE
-
BD 646
-
=
45
V,
U CE
BO 648
60
V,
-U eE =
BD 650
80 v,
=
- le =O.3 A
- le = 0,25
-le =O,1 A
A
-U eE
+"oC
=
25
-
J
,
t c ase
lub
-
= 20
V,
-le
= 0,09
A
U eE
t a m b =2SoC
5
Sprawdzenie masy
~3
~2
g
6
C4
Sprawdzenie wytrzymaŁości na przyspie-
szenie stale
kierunek
probierczy: obydwa kieru n ki
I
wzdlu ż osi wyprowadzeń; mocowanie za
obudowę
Sp r awdzenie
wytrzymałości na udary wie-
mocowanie
za obudowę
l o krotne
Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o
mocowanie za obudO\vę
stałej częstotliwości
Sp r awdzenie
wytrzymaŁości na ciepło luto -
7
C5
!!:
wania
tempe r atura kąpieli 350°C
czas regeneracji 6 h
8
CJO
Sp r
awdzenie
wym iarów
wg rys.
1
i tabl.
1
~
Dl
odporności
na
niskie ciś-
9
(poziom jakoŚCi
Sp r awdzenie
nienie atmosf er yczne
temperatura
2SoC
naraże n ia
łll ilV )
10
D2
Sprawdzenie wytrzymałości na
czalniki
r ozpusz-
a l kohol etylowy.
aceton
11
D3
Sprawdzenie pa lności
palność zewnętrzna
12
04
S prawd zenie wytrzymałości n a pleśll
b r ak
porostu pleśni po bada n i u
(poziom jakoŚCi
III
IV)
l
13
05
Sp r awdzenie
wytrzymałości na
mgłę
położenie tranzystora dowo l ne
(poziom jakośc i
solną
III
i
IV)

Tablica 6.

Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupY B, C i D (poziom I, III, LV)

           

.1

Wartości graniczne

 

Oznaczenie

Metoda pomiar u

 

Warunki badań

 

Podgr u pa badań

Jednostka

BD644

B D 646

BD 648

 

BD 650

 

literowe

wg

   

parametrów

 

min

max

min

ma x

min

max

min

 

max

 

l

Z

 

3'

 

4

5

6

7

8

9

10

11

 

1Z

13

       

45

V

B1,

B3,

B 4,

B5

 

-

ZOO

 
  • - -

-

 

-

 

-

-

 

60

V

CI,

CZ ,

C3

!lA

-

-

 
  • - ZOO

-

-

 

-

-

 

80

V

C4,

C5,

' =7

-

-

 

-

  • - ZOO

-

   

-

-

 

100

V

 

-

-

 
  • - -

-

 

-

 

-

ZOO

-lCBO

PN-74 / T-01 504 / 05

 

-1 E

=

O

                     
   

45

V

-

1,0

  • - -

-

-

 

-

-

   

-U CB

                   
 

=

 

60

V

B6, C6,

C8

mA

-

-

  • - 1 ,0

-

-

 

-

-

   

80V

 

-

-

 
  • - -

-

 

1.0

 

-

-

,

 

100

V

-

-

 
  • - -

-

 

-

 

-

1,0

 

45

   

-

5,0

 
  • - -

-

 

-

 

-

-

 

60

V

CZ 2 )

 

mA

-

-

 

5,0

  • - -

 

-

 

-

-

 

80

V

 

-

-

 

-

  • - 5,0

-

   

-

-

 

100

V

-

-

 
  • - -

-

 

-

 

-

5, 0

     

B1, B3,

B4,

B5

                 
 

-

750

-

750

-

7 50

-

750

-

 

-le

=

3

A

CI,

CZ, C3,

C4

h ZI E 1)

PN-7 4 / T- 01504 / 08

-U

 

3

V

 

C5

C7,

Dl

,

 

=

 

.,

               
 

CE

 

B6,

C 6,

C8

-

60 0

-

600

-

600

-

600

-

 

CZ Z )

-

500

-

500

-

500

-

5 00

-

1)

Pom iar im pul sowy: t p ~ 300 p.s,

 

2) W czasie badania.

 

--

-

-

-----

Informacje dodatkowe

KONIEC

CT\

tr1

Z

,

O>

O>

W

---

w ·

--.]

Ul

,

W

N

---

~

Informacje dodatko';"e do BN - 88/ 3375-32/24

7

INFORMACJE

DODATKOWE

  • 1. Instytucja opracowująca normę -

Naukowo- Produk·

cyjne Centrum Pólprzewodników ,Fabryka PóŁprzewodni­ ków TEWA, Warezawa, ul. Komarowa 5.

  • 2. Normy związane

PN-74/T-01504/01

Tranzystory.

Pomiar h 21E i

U BE

PN-74/T-01504/04

Tranzystory.

Pomiar napięć przebicia

U(BR)

CBO

i

V (BR)

EBO

PN-74/r-01504/05

Tranzystory.

Pomiar prądów

wstecz-

nych

ICBO i

IEBO

PN-74/T -01504/06

Tranzystory.

Pomiar napięć nasycenia

  • V CE sat

i

V

BE

sat

PN-74/T -01504/07

Tranzystory. Pomiar napięć

przebicia

V(BR)CEO' V(BR)CER' V(BR)CES,V(BR)CEX'

PN-74/T-01504/08

Tranzystory.

 

PN-74/T -01504/22

TI'imzystory.

  • i C EBO

PN-74/T -01504/24

Tranzystory.

metodą impulsową

Pomiar

h

21E

metodą

POI"Qiar pojemności CCBO

Pomiar modułu Ih

21e

I w

zakresie W.cz. i częstotliwości f T

PN-78/T -01515

Elementy półprzewodnikowe. Ogólne

wy-

magania i badania

BN-80/ 3375- 32/00

Elementy półprzewodnikowe.

Tranzy-

story mocy malej częstotliwości. Wymagania i badania

3. Symbol wg KTM

lm 644

- 1156231321000,

BD 646

-

1156231322000,

BD 648

- 1156231323001,

BD 650

- 1156231324002.

  • 4. Wartości dopuszczalne - wg tabI.

1- 3.

I-l

i

rys.

I-l,

8D644 8D646 t case =2!?C I -[ C A 10 -'I ... I~ r'I ~ fO@.
8D644 8D646
t case =2!?C
I
-[
C
A
10
-'I
...
I~ r'I
~
fO@.
l\
1
lIl
III
1\\
0,1
80644
8D646
_i
10
tOO
V
-U CE
IBN- 88/3375 - 3m4 -I-I/
Rys.
1- l.
Dopuszczalny obszar
pracy tranzystora B D 644,

BD 646,

-lC = f(-U CE )

SD 648, SD650 -Je A 10 " " "\ ." DC ~ ~ lolT!J. 1 --'
SD 648, SD650
-Je
A
10
"
"
"\ ."
DC
~
~
lolT!J.
1
--'
I
El
0,1
BO 648
BD6s0
I
  • 10 100

fcase-25°C

V

-Uel

IBN-88f337S-J2124- I-31

Rys. 1-3.

Dopuszczalny obszar pracy tranzystora BD 648,

BD 650, -lc· j(-U CE )

CJj Tablica l-l. Wartości dopuszczalne Wartości dopuszc zalne Oznaczenie Lp. Nazwa parametru Jednostka parametru BD 644
CJj
Tablica l-l.
Wartości dopuszczalne
Wartości dopuszc zalne
Oznaczenie
Lp.
Nazwa parametru
Jednostka
parametru
BD 644
BD 646
BD 648
BD 650
l
2
3 L
5
6
7
8
l
Napięcie kolektor- baza
przy
1 E
O
V
45
60
BO
=
100
-U CSO
[
°
,
3
2
Napięcie kolektor-emiter przy
l B =
O
V
45
60
80
100
-U CEO
Il>
n
~
.
(1)
~
O
~
Il>
3
-UEBO
Napięcie emiter- baza przy
lC =
O
V
5
5
5
5
~
?\"
~
(!)
,
~
O
-1 C
4
Prąd kolektora
A
8
8
8
8
lJj
Z
I
CP
CP
---
W
-1 B
Prąd bazy
:J
A
0,15
0,15
0, 15
0,15
CH
-
..
,J
Ul
I
CH
N
---
t case ::::;' 2SoC
~
W
62,S
62,5
62,S
62,S
q
Całkowita moc wejściowa na
P tot
wszystkich elektrodach
o
I
tamb~ 25 C
W
1,78
1,78
1,78
1,78
I
Oc
\
7
Temperatura złącza
155
155
155
155
t j
,
Oc
8
tam b
Temperatura otoczenia w czasie pracy
-40
~ +100
-40
~ +100
-40
~
+100
-40:- +100
Oc
9
Temperatura
przechowywania
-40
~ +155
-40
~
+155
-40
~
+155
-40
~
+155
t stg
-
o Tablica 1-2'. Dane charakterystyczne (t amb = 25 C) Typ Oznaczenie BD 650 Nazw'u parametru
o
Tablica 1-2'. Dane charakterystyczne (t amb = 25 C)
Typ
Oznaczenie
BD 650
Nazw'u parametru
Jednostka
BD 644
BD 648
Lp.
parametru
Warunki pomiaru
o
BD 646
tamb = 25
C
max
min
typ
max
min
typ
max
min
typ
max
min
typ
3
4
8 9
10
6 7
11
12 13
14
15
16
17
l
2
5
Napięcie przebicia
-
60
-
-
80
-
-
100
-
-
kolektor-emiter przy
l
=0,1 A
V
45 -
-U(BR)cEO 1)
-lC
lB
= O
-
= 25
V
-
500
- -
-
-
-
-
-
-
-
I
~UCE
....
Prąd zerowy kolekto-
2
-lCEO
=30V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
-
,
.
~
ra przy
lB = O
-U CE
O
pA
-
-
-
-
~.
= 40
V
-
-
-
-
-
-
-
500
-U CE
n
~.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
fi>
500
= 50 V
-
-
-U CE
P-
8.
-
-
200
- -
-
-
-
-
-
-
-
= 45
V
~
-U CE
'.
~
-
-
-
-
3
-lCBO
Prąd zerowy bazy
lE = O
-
- -
-
-
-
fi>
= 60
V
-
200
przy
-U CE
P-
p.A
O
-
-
-
- -
-
-
200
-
-
= 80 V
-
-
c:I
.
-U CE
Z
,
-
= 100 V
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
200
~
-U CE
---
w
~
Napięcie prze bicia
Ul
,
4
emiter- baza przy
LC = O
V
-
-
-lE
= 5
mA
5
5
-
-
-
-
5
-
5
-
-U(BR)EBO
id
--- N
~,
-lC
= 3
A;
. 2,5
- .
-u
V
-
-
-
-
-
-
-
1)
Napięcie
2,5
2,5
2,5
5
BE
baza-emiter
=3V
~
-U CE
-lC
= 3
A;
1)
6
-UCEsat
Napięcie nasycenia
kolektor- emiter
V
-
-
2
-
-
2
-
-
2
-
-
2
,
-lB
=
12mA
I
.
-l C
=
3
A;
1)
7
-UBEsat
Napięcie nasycenia .
baza-emiter
V
-
-
2,5
-
-
2,5
-
-
2,5
-
-
2,5
-lB
= 12 mA
I.D
c d. tab !. 1- 2 "- . ..... Typ O Oznaczenie Wa r unki p0lT11J.
c
d.
tab !.
1- 2
"-
.
.....
Typ
O
Oznaczenie
Wa r unki
p0lT11J. rU
N a zwa parametr u
Jednos ' kił
Bll 6L.4
B D 646
B D 6.',8
BO 650
Lp .
parametru
tomb ~
2SoC
min
t y p
max
min
typ
max
min
typ
' ma x
min
typ
max
l
2
3
4 J
o
7 S
9
10
11
12 13
14
15
16
17
.
-
l e '
O,3A, -U
=J\!
-
1500
-
-
1500
-
-
1300
-
-
1500
-
C E
Statyczny wspól'czyn -
8
h 21E 1)
nik wzmocnienia prą-
dowego
- 1c=3 A,
=3V
750 -
-
-
-
730
-
750
-
-
750
-
-
- U CE
-
l c
=
6
A,
·
3\!
- 750
-
-
750
-
-
750
-
-
750
-
- U CE
I
-
1C = 3
A.
+ 1B
= -1 B
=
9
C z as
w lą c za n ia
= 12 mA
-
0 ,5
-
-
-
0, 5
-
0.5
-
-
0.5
-
ton
j.l.5
=
l i) V
-U CE
2:
-IC =3 A.
+l B
=
lB
=
~
I
Il>
n
10
Czas
=
12 mA
-
I-' S
2,5
-
wył ąc zania
-
2,5
-
-
2,3
-
-
2 . 5
-
~
.
t o11
"
o.
8-
= 10 V
-U CE
Il>
M
;<"
~
11
Częstotliwość odcię- -lc
"
thf e
-
=
3
1.00
-
-
A,
= 3 V
k H z
-
100
-
-
100
-
100
-
- U CE
P-
cia
o
tt:!
Z
,
():)
12
CCBO
Pojemność ko l ektor- -l
- baza
-
E
=
= 10\1
pl'
100
..
-
100
-
100
-
-
--
():)
O
-
100
-
"U C B
W
W
,
Ul
,
W
-
l
= 5
A
'"
Rezystancja term icz -
C
-
-- '"
13
°C I W
-
2
-
-
-
-
..
po.
Rth;-c
-
2
2
2
n a złącze-obud owa
= 1 5
V
-U C B
-
IC = 0,178
A
R ezys t a n cja
te r mi c z -
14
°C/W
-
..
70
-
-
7 0
-
-
70
-
-
· 70
R th ; - a
na złącze. otoczeni e
-
= 10 V
-U CB
-U
1)
15
Napięcie prze w odze -
n la di o dy
-lF = 3
A
V -
1 ,8
-
-
1 , 8
-
-
1, 8
• -
-
1 ,8
-
F
1) Pom i a r
impul s ow y :
t p ~ 300
6 ~2% .
j.l.5 ;
I
-
-----

Informacje dodatkowe do BN-88/337S-32/24

11

  • S. Dane chal'aktcrysly c zne - wg lab L

1-2;

rys.

1-2,

1-4~1-9.

BD 644, BD 646 P tot , W UCE~ D< ?5 V ~ 60 :\ I
BD 644, BD 646
P tot
,
W
UCE~ D< ?5 V
~
60
:\
I
l\ \
l
50
I
1
1\
40
I
\
30V
1,,\
1\
30
I
'\
\
I
I
\
20
'"
I
~
,
\
4SV
1\
I
.......
~
10
...
69 V
.............
t\.\
i"-- ...
1
""~~
I
25
50
100
150
oC

t case

IBtF8813375-32124-r-21

Rys. 1-2. Moc całkowita w funkcji temperatury

BD 648, BO 650

-- UCf U?;V \ 60 1\ - I' \ 50 l' \ 30V I~ 1\ 40
--
UCf U?;V
\
60
1\
-
I'
\
50
l'
\
30V
I~
1\
40
II
\
l,
"
II
'\
1\
r\.
30
II
\
\
1\
I
.
45V
20
I........
~
" " \
\
~
,\
1
i'o ..
10
Bar
......
.
-
~
"
~
"'"
:---
100~
..........
~
I
25
tOO
150
oC t case

IBN-88/3375-32/24-r -41

Rys.

1- 4.

Moc całkowita w funkcji

temperatury

Informacje dodatkowe do BN-88/337S-32/24 11 S. Dane chal'aktcrysly c zne - wg lab L 1-2; rys.

P tot = !(tcaae)

BD 644+650 . BD 644 - 650 h 21ć = f(-IcJ • famo ~ ~ /
BD 644+650
.
BD 644 -
650
h 21ć = f(-IcJ
famo
~
~
/
1000
~
"
100

10

100

1000

Informacje dodatkowe do BN-88/337S-32/24 11 S. Dane chal'aktcrysly c zne - wg lab L 1-2; rys.

-le

mA

f0000

IBN-SB/33'75-32/2H -51

Rys. I-S. Charakterystyka

statycznego

współczynnika wZmocnienia prąd·owego w funkcji prądu kolektora

12

Informacje dodatkowe do BN-BB/3375-32/24

3

2

1

8D644-;-650

-Uccsat=f(-J c )

t; =250

  • 1 10

12 Informacje dodatkowe do BN-BB/3375-32/24 3 2 1 8D644-;-650 -Uccsat=f(-J ) 1 10 -le A I

-le

A

IBN -BB!3375- 32/24- I-b I

Rys. 1-6. Naplęcie nasycenia kolektor - emiter w flmkcji prądu kolektora

,BO 644.;.650

3

2

1

o

0,1

-UBEsat=f(-J e )

1

fa =250

10

-Je

A

IBN- 68/3375-32/24-I-21

Rys. 1- 7. Napięcie nasycenia baza - emiter w funkcji prądu kolektora

Informacje dodatkowe do BN-88/3375-32{24

13

t case -25"C

-Je A 10 -UC[:o3V 8 II 6 I / 4 J / 2 V J 1
-Je
A
10
-UC[:o3V
8
II
6
I
/
4
J
/
2
V
J
1
2
3

IBN-88f331S-J2I)I-I-BI

Rys. l-B. Charakterystyka przej§ciowa :" le -!(-U BE )

Informacje dodatkowe do BN-88/3375-32{24 t -25"C -Je A 10 -UC[:o3V 8 II 6 I / 4
10 8 "- J - 6 " I V 4 V ~ 2 V ., ....
10
8
"-
J
-
6
"
I
V
4
V
~
2
V
., ....
V
1
1,5
2,0
-UF 2,5V

18N-88/337S-3m4+9 ,

Rys. 1-9. Prąd przewodzenia w funkcji napięcia

dzenia diody

-1 F - f( - U F)

przewo-