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PHYS0092

Physique expérimentale
Electronique et instrumentation

N. D. Nguyen
Chargé de cours

N. D. Nguyen PHYS0092-1 | Physique Expérimentale : Electronique et Instrumentation | #8


1
PHYS0092

Remarques

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Chapitre 1 - Milieux semi-conducteurs

Etat solide
‣ Métaux, isolants et semi-conducteurs
Semi-conducteur à équilibre thermique
‣ Concentrations en porteurs de charge et loi
d’action des masses
‣ Effet de la température sur les concentrations
‣ Dopage

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Introduction
Matière = agrégat d’un très grand nombre d’atomes
Etats physiques :
‣ Gaz : distance moyenne intermoléculaire beaucoup plus grande que les dimensions des atomes et molécules,
forces intermoléculaires beaucoup plus faibles que les forces qui maintiennent ensemble les atomes dans
chaque molécule
๏ Chaque molécule garde son individualité

‣ Solides : les atomes ou les molécules sont très rapprochés et maintenus dans des positions plus ou moins
fixes par des forces électromagnétiques qui sont du même ordre de grandeur que celles des liaisons
moléculaires
๏ La forme et le volume d’un solide restent constants si la température et la pression ne varient pas de façon importante

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Solides
Dans la plupart des solides, les atomes ou les molécules n’existent pas comme des particules
indépendantes
‣ Leurs propriétés sont modifiées par les particules voisines
‣ Existence d’un réseau cristallin
๏ Les atomes sont si voisins les uns des autres que leurs électrons de valence constituent un système unique d’électrons,
commun au réseau tout entier
๏ Ces électrons obéissent au principe d’exclusion (W. Pauli)
๏ Les états d’énergie des couches les plus extérieures des atomes sont modifiés quelque peu par la présence des atomes
voisins
๏ Au lieu de trouver pour chaque atome les niveaux d’énergie qui lui sont propres en l’absence du réseau, le cristal tout
entier possède des bandes d’énergie composées d’un très grand nombre de niveaux d’énergie séparés mais très voisins
les uns des autres
• Il y a autant de tels niveaux que d’atomes dans le solide
• La bande ressemble à un ensemble continu de niveaux et joue le rôle des niveaux d’énergie dans un atome

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Formation des bandes d’énergie
Par analogie avec l’ion hydrogène, dans un cristal
formé de N ions, chaque état d’énergie
atomique donne lieu à N niveaux rapprochés, en
fonction de la distance entre ions 2s 2s
Si N est très grand, les différents niveaux sont
très rapprochés et forment, en bonne
Energy

Energy

Energy
approximation, une bande continue
‣ Cette bande de N niveaux peut être occupée par
2N électrons
1s 1s
Dans un réseau cristallin, chacune des
nombreuses bandes d’énergie correspond à l’un
des niveaux d’énergie des atomes formant le
a
réseau r r
‣ Bande permise
(a) (b)
‣ Bande interdite

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separated by forbidden gaps. The separation and electron p
Cas du sodium (métal)
Recouvrement 3s 3p
Na Z = 11

1s2 2s2 2p6 3s1

Distance d’équilibre
dans le solide Na
‣ 0,367 nm

Un atome Na ne
possède qu’un seul
électron 3s dans sa
couche de valence
‣ La bande d’énergie
3s du cristal Na est
seulement occupée à
moitié

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ded as a continuous band of energy levels, as in Figure
have any energy within an allowed energy band, but can-
he band gap, or the region between allowed bands. Note
y E g is indicated in Figure 28.23c. In practice we are only Métaux
tructure of a solid at some equilibrium separation of its
ove the distance scale on the x-axis and simply plot the al-
Casadu
solid as sodium
series of horizontal bands, as shown in Figure
‣ Recouvrement 3s - 3p 3p
‣ Niveau atomique 2p pratiquement inchangé
Les électrons de conduction ont beaucoup plus d’états
3s
disponibles que ceux correspondant à la seule bande 3s
ulators
Situation
the band énergétique
structure of ades métaux et solid
particular des conducteurs
is quite compli-
‣ Sibroadening
mic levels on applique un champ électrique
by varying à un morceau
amounts anddesome Na solide,
levels
les électrons acquièrent facilement de l’énergie supplémentaire 2p
so muchtoutthat en they
restantoverlap. Nevertheless,
dans leur bande it is
d’origine et tout en possible
respectant to
tanding of whether
le principe a solid
de Pauli, grâceisauagrand
conductor, an insulator,
nombre d’états disponibles or
sidering
‣ only
Un bon the structure
conducteur ofsolide
est un the dont
upper or upper
la bande occupée two
la plusen- 2s
they are occupied
élevée en énergieby electrons.
n’est pas complètement remplie
energy‣band
Un telissolide
empty (unoccupied
constitue également unby bonelectrons),
conducteur partially
ut in basically
thermique themais
same wayalors
il s’agit as d’excitations
for the energy-level
thermiques popula- 1s
désordonnées
ute the total number desof électrons
electrons from the lowest energy
Figure 28.24 Energy bands of
ent with the exclusion principle. While we omit the details sodium. Note the energy gaps (white
importantN. D.case
Nguyen is that shown in Figure 28.25a (page 926), regions)
PHYS0092-1 between the allowed
| Physique Expérimentale : Electronique etbands;
Instrumentation | #8
8 electrons can’t occupy states that lie
y occupied band is only partially full. The other important
in these forbidden gaps. Blue
ccupied band is completely full, is shown in Figure 28.25b.
Isolants
926 Chapter 28 Atomic Physics
La bande occupée la plus élevée est complète (bande de valence) et
ne recouvre
Figure 28.25 pas
(a) la bande suivante,
Half-filled band plus élevée en énergie, qui est vide
of aCes
metal, an bandes
deux electrical
sontconductor.
séparées par un intervalle d’énergie, une bande Conduction band
(b) interdite
An electrical insulator at T ! 0 K
ou gap, important
has a filled valence band and an
‣ conduction
empty Tous les états band.
de la bande de valence sont remplis
(c) Band
structure of a semiconductor at Energy gap
‣ Lestemperatures
ordinary
électrons qui les occupent ont des énergies qui ne peuvent pas varier à
(T ! 300 K).
cause du principe d’exclusion Eg
The energy gap is much smaller than
Uninsulator,
in an électronand
peutmany
en principe être excité de la bande de valence vers la
electrons
occupy
bandestates
de in the conduction
conduction, mais enband.
pratique, l’énergie requise est beaucoup
trop élevée Valence band
‣ Si on applique un champ électrique faible à modéré, on n’observe pas de
courant électrique Insulator
Metal Eg ! 10 eV
La plupart des solides covalents (atomes liés entre eux par des liaisons
analogues à celle de la molécule H2) qui sont formés(a)
d’atomes ayant un (b)
nombre pair d’électrons de valence sont des isolants

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With 9 these
ideas and definitions we are now in
what determines, quantum mechanically, whether a so
Cas du carbone
Carbone solide (diamant)

C Z=6 1s2 2s2 2p6

Si on rapproche les atomes de C


pour former le solide, les bandes
2s et 2p commencent par se
recouvrir, puis se séparent à
nouveau en deux bandes quand la
distance entre atomes continue à
décroître
‣ Gap environ 5 eV
Distance d’équilibre dans le solide
‣ 0,15 nm

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cs
Semi-conducteurs
Différence quantitative avec un isolant
Conduction band
Si la température du solide augmente, un nombre croissant d’électrons
sont capables de sauter dans la bande de conduction, laissant, dans la
bande de valence qu’ils quittent, un état quantique vide, appelé trou
Energy gap
‣ Les électrons ainsi excités se comportent dans la bande de conduction Conduction band
comme dans un métal
Eg
‣ Les trous se comportent comme des électrons positifs
Eg
Il apparaît donc une conduction électrique d’électrons dans la bande
de conduction et de trous dans la bande de valence
Valence band Valence band
‣ Cette conductivité augmente rapidement avec la température
Insulator
๏ Dans le silicium, le nombre d’électrons excités est multiplié par un facteur 106 Semiconductor
lorsque la température augmente de 250EKg à!
Metal 45010K eV Eg ! 1 eV
Un semi-conducteur
(a) est un isolant dans lequel le
(b)gap entre bandes de (c)
valence et de conduction est de l’ordre de l’électron-volt et où il est
facile d’exciter thermiquement les électrons de la bande de valence
vers la bande de conduction (conductivité intrinsèque)
With these ideas and definitions we are now in a position to understand
what determines,
N. D. Nguyen
quantum mechanically, whether
11 a solid will be a conductor or an
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insulator. When a modest voltage is applied to a good conductor, the electrons ac-
Résumé
ysics

Conduction band

Energy gap
Conduction band
Eg
Eg

Valence band Valence band

Insulator Semiconductor
Metal Eg ! 10 eV Eg ! 1 eV
(a) (b) (c)

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With these ideas and definitions we12 are now in a position to understand
what determines, quantum mechanically, whether a solid will be a conductor or an
Chapitre 1 - Milieux semi-conducteurs

Etat solide
‣ Métaux, isolants et semi-conducteurs
Semi-conducteur à équilibre thermique
‣ Concentrations en porteurs de charge et loi
d’action des masses
‣ Effet de la température sur les concentrations
‣ Dopage

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Le silicium

Exemple par défaut et cas d’étude


Configuration (Z = 14)
‣ Electrons : 2 / 8 / 4
‣ Liaisons covalentes, 4 premiers voisins
La phase cristalline du silicium est similaire à
celle du diamant, avec une structure résultant
de deux réseaux cubiques à faces centrées
s’interpénétrant l’un l’autre.
Le côté du cube a pour dimension 5.43 Å

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Liaisons covalentes dans le silicium pur
Représentation plan

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

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Silicium dopé, type n
Electrons dans un silicium de type n avec phosphore comme dopant

Si Si Si Si Si

Si Si Si P Si Electron en excès (-)

Un atome de
Si P Si Si Si phosphore
(dopant de type n)
Si Si Si P Si

Si Si Si Si Si

N. D. Nguyen
Les atomes de type donneur PHYS0092-1 | Physique Expérimentale : Electronique et Instrumentation | #8
fournissent des électrons16en excès
pour former un cristal de Si de type n
Silicium dopé, type p
Trous dans un silicium de type p avec bore comme dopant

Si Si Si Si Si

Si Si Si B Si + Trou

Atome de bore
Si B Si Si Si (dopant de type p)

Si Si Si B Si

Si Si Si Si Si

Les atomes de type accepteur


N. D. Nguyen fournissent une vacance 17d’électron pourPHYS0092-1 | Physique Expérimentale : Electronique et Instrumentation | #8
former un cristal de Si de type p
Concept de conduction par trou
Le mouvement du trou dans un cristal

Le bore est neutre mais Le bore est L’éjection d’électron d’un


un électron peut venir atome à un autre est mue
maintenant un ion
remplir la vacance par l’énergie thermique
négatif

La vacance d’électron est


considérée comme une
particle chargée
positivement (trou)
Le trou s’est déplacé de
2 vers 3 et 4, et se
déplacera vers 5

Electronique et Instrumentation - 12/02/2010 35

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Concentrations en por teurs de charge
dans un semi-conducteur intrinsèque
Intrinsic silicon - pure, perfect, R.T.:
• All bonds filled at 0 K, po = no = 0

Silicium intrinsèque Energie électronique


bande

‣ A température nulle (0 K) de conduction

๏ n 0 = p0 = 0 Si
Eg Si 1,1 eV -
๏ Comportement isolant Eg

bande

de valence +
‣ A température ambiante (300 K)
๏ Création de paires électron-trou C. Fonstad

Densité d’états • At R. T., po = no = ni = 1010 cm-3


๏ n0 = p0 ⇡ 1010 cm 3
• Mobile holes (+) and mobile electrons (-)
๏ A comparer à la densité atomique du Si (environ 5 x 1022 cm-3) • Compare to ! 5 x 1022 Si atoms/cm3
Clif Fonstad, 9/10/09

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Distribution statistique des électrons
Les électrons dans les solides obéissent à la statistique de Fermi-Dirac
‣ Electrons indistinguables
‣ Aspect ondulatoire
‣ Equation de Schrödinger
‣ Principe d’exclusion de Pauli
Fonction de distribution de Fermi-Dirac

Probabilité qu’un état


d’énergie disponible E soit
occupé par un électron à la
température T

Remarque : Constante de Boltzmann, 1.38 × 10-23 J/K


Energie de Fermi

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Distribution de Fermi-Dirac

Paramètre : température absolue

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Concentrations en por teurs de charge
dans un semi-conducteur intrinsèque
Le semi-conducteur intrinsèque est un matériau solide pur et parfait
‣ Toutes les liaisons covalentes entre atomes sont remplies à 0 K
‣ A température non nulle, certaines liaisons sont rompues et un équilibre s’établit entre le nombre de
liaisons complètes et le nombre de paires électron-trou créées
‣ La création (génération) et la destruction (recombinaison) de paires électron-trou sont des processus
dynamiques qui ont lieu en permanence, bien que le cristal soit en équilibre thermique
‣ On définit alors la concentration en électrons (de conduction) et en trous comme des valeurs
moyennes au cours d’un intervalle de temps suffisamment long par rapport au temps caractéristiques
des phénomènes de génération et de recombinaison
๏ Concentration en électrons
 n0
Concentration en trous
 p0
Concentration intrinsèque en porteurs de charge ni = n 0 = p0
๏ Ces quantités sont fortement dépendentes de la température

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Effet de la température sur les concentrations en
por teurs de charge
Soit un cristal de silicium intrinsèque Concentration d’électrons dans la bande de
conduction
E

Ec
Eg EF Densité effective électronique dans la bande de conduction

1 (Ec EF )/kT
Ev f (Ec ) = ⇡e
1 + e(Ec EF )/kT
Approximation Maxwell-Boltzmann

Densité d’états Probabilité
 Densité d’états



d’occupation occupés

N (E) f (E) f (E) N (E)

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Effet de la température sur les concentrations en
por teurs de charge
Concentration d’électron dans la bande de conduction

Concentration de trous dans la bande de valence

Pour un semi-conducteur intrinsèque


‣ Silicium à 300 K : ni ⇡ 1010 cm 3

Loi d’action des masses

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Le semi-conducteur extrinsèque

Dopants pour un semi-conducteur du groupe IV

Structure cristalline du diamant

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25
Etats hydrogénoïdes

Introduction d’éléments de la colonne V Introduction d’éléments de la colonne III

E E

Ec Ec
Ed 10 - 50 meV

Ea
10 - 50 meV
Ev Ev

Densité d’états Densité d’états

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Donneurs et accepteurs
Eléments de la colonne V
‣ Donneurs
‣ Concentration atomique Nd
‣ Concentration en donneurs ionisés N +
d
Eléments de la colonne III
‣ Accepteurs
‣ Concentration atomique Na
‣ Concentration en accepteurs ionisés Na
A température ambiante, presque tous les atomes-dopants sont ionisés


Nd+ ⇡ Nd et Na ⇡ Na

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Concentrations en por teurs de charge
dans un semi-conducteur extrinsèque
Dans un semi-conducteur extrinsèque, étant donné les concentrations atomiques en
donneurs et en accepteurs, comment déterminer les concentrations en porteurs de
charge à l’équilibre thermique ?
Il y a 2 inconnues : n0 et
 p0

Deux équations sont nécessaires

Conservation de la charge électrique (la charge nette est nulle)

q(p0 n0 + Nd+ Na ) = 0 p0 n0 + N d Na = 0

Loi d’action des masses

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Concentrations en por teurs de charge
dans un semi-conducteur extrinsèque
Combinaison de l’équation de neutralité de la charge et de l’équation exprimant la loi
d’action des masses
n2i
n0 + N d Na = 0
n0
s !
Nd Na 4n2i
Résolution pour n0 n0 = 1± 1+
2 (Nd Na ) 2
✓ ✓ ◆◆
Nd Na 2n2i
n0 ⇥ 1± 1+
2 (Nd Na )2
La solution admet une simplification remarquable dans 2 cas
‣ Cas I (semi-conducteur de type n) : Nd > Na et (Nd Na ) ni
‣ Cas 2 (semi-conducteur de type p) : Na > Nd et (Na Nd ) ni
Presque toutes les situations réelles correspondent à l’un ou l’autre de ces deux cas

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Concentrations en por teurs de charge
dans un semi-conducteur extrinsèque
Cas 1, le semi-conducteur de type n Nd > Na et (Nd Na ) ni
‣ Concentration nette en donneurs ND ⌘ Nd Na
n2i (T ) n2i (T )
‣ Solutions pour les concentrations en porteurs de charge : n0 ⇡ ND , p0 = ⇡
n0 ND
‣ La concentration en électrons est beaucoup plus grande que la concentration en trous

Cas 2, le semi-conducteur de type p Na > Nd et (Na Nd ) ni


‣ Concentration nette en accepteurs NA ⌘ Na Nd
n2i (T ) n2i (T )
‣ Solutions pour les concentrations en porteurs de charge : p0 ⇡ NA , n0 = ⇡
p0 NA
‣ La concentration en trous est beaucoup plus grande que la concentration en électrons

Dans tous les cas, la neutralité électrique du matériau doit rester vérifiée !

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Concentrations en por teurs de charge
en26 fonction de la température
DEVICES AND CIRCUITS
MICROELECTRONIC

Temperature (K)
8 0
A très haute 

2 % $ ? % E
0 0 0
2 In
Ir
I I I I I I 1

température
Ionisation complète Intrinsic
Comportement intrinsèque
Silicon
Nd+ ⇡ Nd Na ⇡ Na
A basse
ni ⇥ |Nd+ Na | température
n0 ⇡ p0 ⇡ n i Ionisation incomplète
Dopage extrinsèque
Nd+ < Nd
Aux alentours de
la température
 |Nd+ N a | ⇥ ni
ambiante
n0 ⇡ Nd+ N a < Nd Na
Ionisation complète
Dopage extrinsèque n2i (T )
p0 =
Nd+ ⇡ Nd Na ⇡ Na n0
(Na Nd ) ni
n2i (T ) 13
n 0 ⇡ N D , p0 = 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5
n0
1000/T (K-')
C. Fonstad
FIGURE 2.9
Variation of the equilibrium electron concentration over a wide temperature range for a
N. D. Nguyen PHYS0092-1scale;
representative n-doped semiconductor sample. The vertical axis is a logarithmic | Physique Expérimentale : Electronique et Instrumentation | #8
31
the horizontal axis is inverse temperature, UT. With this choice of axes the asymptotic
behavior of the carrier concentration is linear in each of the three regions: freeze-out,
extrinsic, and intrinsic.
Résistivité du silicium en fonction de la concentration en dopants
Résistivité à température ambiante
1021

1020

Dopant Concentration (atoms/cm3)


1019

1018

1017
n-type p-type
1016

1015

1014

1013
10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
N. D. Nguyen Electrical Resistivity (ohm-cm)PHYS0092-1 | Physique Expérimentale : Electronique et Instrumentation | #8
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