UNIDAD IV

TRANSITOR

INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para

entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1 El término
transistor es la contracción en inglés de transfer resistor (resistor de
transferenci). Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados
circuitos integrados.

ESTRUCTURA FISICA DE UN TRANSITOR

El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras

separadas por dos uniones pn. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector.

Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo
consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere
al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura
de transistor. (Floyd, 2008)
Construción básica

La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-
emisor. un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores se
designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de la base está
ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la siguiente sección
explica la razón de esto). (Floyd, 2008)

Simbología del BJT

OPERACIÓN BASICA DE UN BJT Y POLARIZACIÓN

Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. La operación del pnp es la misma
que para el npn excepto en que los roles de los electrones y huecos, las polaridades del
voltaje de polarización y las direcciones de la corriente se invierten. (Floyd, 2008)

En ambos casos la unión base-emisor (BE) está polarizada en directa y la unión base-
colector (BC) polarizada en inversa. Esta condición se llama polarización en directa-
inversa.

La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los
electrones de banda de conducción (libres). Estos electrones libres se difunden con
facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo
p muy delgada y levemente dopada (flecha ancha). La base tiene una baja densidad de
huecos, los cuales son los portadores mayoritarios, representados por los puntos blancos.
Un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la base, donde se
recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base
hacia el emisor como corriente de huecos, como lo indican las flechas negras. (Floyd,
2008)

OPERACIÓN DE UN BJT QUE MUESTRA EL FRUJO DE ELECRONES

Fuente: (Floyd, 2008)

ESTRUCTURA FISICA DEL TRANSITOR JFET

El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una
unión pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Según su estructura,
los JFET caen dentro de cualquiera de dos categorías, de canal n o de canal p. (Floyd,
2008)

R e p r e s e n t a c i ó n d e l a e s t r u c t u r a b á s i c a d e l o s d o s t i p o s d e J FE T .

Fuente: (Floyd, 2008)

Cada extremo del canal n tiene una terminal; el drenaje se encuentra en el extremo
superior y la fuente en el inferior. Se difunden dos regiones tipo p en el material tipo n
para formar un canal y ambos tipos de regiones p se conectan a la terminal de la
compuerta. Por simplicidad, la terminal de la compuerta se muestra conectada sólo a una
de las regiones p. (Floyd, 2008)

Operación basica de un transitor JFET

El JFET siempre opera con la unión pn de compuerta-fuente polarizada en inversa. La

polarización en inversa de la unión de compuerta-fuente con voltaje negativo en la
compuerta produce una región de empobrecimiento a lo largo de la unión pn, la cual se
extiende hacia el canal n, y por lo tanto, incrementa su resistencia al restringir el ancho
del canal. El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia pueden controlarse
variando el voltaje en la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de corriente
en el drenaje, ID.

JFET de canal n polarizado

Fuente: (Floyd, 2008)
Simbología

Fuente: (Floyd, 2008)

POLARIZACIÓN DE UN JFET

Al igual que con el BJT, el propósito de la polarización es seleccionar el voltaje de cd de

compuerta a fuente apropiado para establecer un valor deseado de la corriente en el
drenaje y, por consiguiente, un punto Q apropiado. Existen tres tipos de polarización: la
autopolarización, la polarización mediante divisor de voltaje y la polarización mediante
fuente de corriente. (Floyd, 2008)

Autopolarizacón

Esta condición requiere un VGS negativo para un JFET de canal n y un VGS positivo
para un JFET de canal p. Esto se puede lograr con la configuración de autopolarización.
El resistor, RG, en serie con la compuerta, no afecta la polarización porque en esencia no
hay caída de voltaje a través de él, y por consiguiente, la compuerta permanece a 0 V. RG
se requiere sólo para hacer que la compuerta esté a 0 V y aislar una señal de ca de la tierra
en aplicación de amplificador. (Floyd, 2008)
Auntopolizacón (𝑰𝑺 = 𝑰𝑫 en todo los FET)