Vous êtes sur la page 1sur 6

ESCUELA

SUPERIOR POLITÉCNICA DE
CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA


CARRERA: INGENIERÍA ELECTRÓNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES

GUÍA DE LABORATORIO DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
QUINTO SEMESTRE PARALELO: C

PRÁCTICA No. 11 – DISEÑO POLARIZACIÓN FIJA Y DE ESTABILIZACIÓN EN EL EMISOR
CON TRANSISTORES BJT


1. DATOS GENERALES DE LOS ESTUDIANTES:

NOMBRES: CÓDIGOS:

………………………………………………………………… ………………………………….

………………………………………………………………… ………………………………….


GRUPO No.: ………….


FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:
dd/mm/aa dd/mm/aa

……………………………….. ……………………………….

2. OBJETIVO:

Diseñar la polarización fija y de estabilización en el emisor para el transistor BJT NPN
y PNP mediante su configuración emisor común.

3. INSTRUCCIONES

La siguiente práctica de laboratorio deberá ser desarrollada a través de los siguientes
lineamientos generales:
1. Solicitar en préstamo el kit de instrumentos ELVIS II, multímetro con sus puntas
correspondientes.
2. Si no lo ha hecho aún, instalar el software de instrumentación virtual de National
Instruments para el manejo del ELVIS NI.
3. Ambientarse a las interfaces de manejo de los instrumentos virtuales que posee
el ELVIS NI.
4. Construir los circuitos electrónicos que se indican en la siguiente sección.
5. Realizar las actividades de polarización de voltaje en CD.
6. Medir las señales de salida de acuerdo a lo indicado en la siguiente sección
7. Tomar apuntes, realizar observaciones, captura de imágenes y adquirir datos de
acuerdo lo solicitado en las siguientes secciones.
4. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

1. En el breadboard disponible en la instrumentación solicitada, construir el
siguiente circuito mostrado en la Figura 1.
2. Configure la fuente de alimentación virtual en su PC para obtener 10V en los
periféricos de alimentación ajustable del ELVIS NI.

Figura 1. Polarización fija con transistor BJT NPN



3. Con la ayuda del multímetro físico medir el valor h"# (factor de ganancia de
corriente directa):
β =
4. Calcular los siguientes parámetros con las fórmulas correspondientes:

V)) − V'#
I' = =
R'

I) = βI' =

I# = I' + I) =

V) = V)# = V)) − I) R ) =

V-' = V)) − V'# =

V-) = V)) − V) =

5. Con la ayuda del multímetro virtual o físico medir los siguientes parámetros
indicados en la Tabla 1:

Parámetros Valor calculado Valor Medido
I'
I)
I#
V)
V'
V-'
V-)
β
Tabla 1
6. Una vez que se haya medido la corriente de colector y de base, calcular el nuevo
valor del factor de ganancia y llenar en la Tabla 1 en los valores calculados:

I)
β= =
I'

7. Diseñar un circuito de polarización fija con el transistor 2N3904 para tener una
corriente de base de 73uA y un voltaje en el colector de 4V. Realizar una nueva
Tabla similar a la anterior y calcular los elementos necesarios para obtener los
valores antes mencionados.






































8. Asegúrese que el switch de alimentación principal del ELVIS NI esta desactivado
y en el breadboard disponible en la instrumentación solicitada, construir el
siguiente circuito mostrado en la Figura 2 sin conectar la alimentación.


Figura 2. Polarización fija con transistor BJT PNP

9. Con la ayuda del multímetro físico medir el valor h"# (factor de ganancia de
corriente directa):

β =
10. Calcular los siguientes parámetros con las fórmulas correspondientes:

V)) − V'#
I# = =
R
R# + '
β+1

I#
I' = =
β+1

I) = βI' =

𝑉0 = V#) = V)) − I# R 0 =

V-# = V)) − V# =

V-' = V)) − V-# − V'# =


11. Con la ayuda del multímetro virtual o físico medir los siguientes parámetros
indicados en la Tabla 2:

Parámetros Valor calculado Valor Medido
I'
I)
I#
V)
V'
V-'
V-)
β
Tabla 2
12. Una vez que se haya medido la corriente de colector y de base, calcular el nuevo
factor de ganancia y llenar en la Tabla 2 en los valores calculados:

I)
β= =
I'


13. Diseñar un circuito de polarización fija con el transistor 2N3906 para tener una
corriente de base de 27uA y un voltaje en el emisor de 4V. Realizar una nueva
Tabla similar a la anterior y calcular los elementos necesarios para obtener los
valores antes mencionados.







































5. RESULTADOS OBTENIDOS

Polarización fija con transistor BJT NPN

………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..

Polarización fija con transistor BJT PNP

………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..



6. CONCLUSIONES

………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..


7. RECOMENDACIONES

………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………..







Ing. Oswaldo Martínez
DOCENTE LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA I

Vous aimerez peut-être aussi