Práctica 8.

Polarización de
amplificadores con transistores bipolares

Solis Robles Juan Manuel 182325

Mercado Castro Rolando 141184

Electrónica analógica

14/11/2018 Cd. Obregón, Sonora.

Resumen
En la presente práctica se implementarán los circuitos de polarización indicados con
transistores bipolares, se verificaran los criterios de estabilidad de polarización para
variaciones ℎ𝐹𝐸 y 𝑉𝐵𝐸 , así como también se verificará el criterio de máxima excursión
simétrica de señal, en la que se verificará la correcta amplificación simétrica de la
señal de entrada.

Introducción
Los transistores son elementos fundamentales en la electrónica, pues estos forman
una parte esencial en la creación de compuertas lógicas, inversores, reguladores,
OPAMS, circuitos integrados, comparadores, etc. En esta práctica se estudiará el
comportamiento de estos transistores y se estudiarán experimentalmente algunos
de sus parámetros.

Antecedentes teóricos
El punto de operación en CD.
Un transistor debe ser apropiadamente polarizado con un voltaje de cd para que
opere como amplificador lineal. Se debe ajustar el punto de operación en cd de
modo que las variaciones de la señal en la terminal de entrada se amplifiquen y
reproduzcan con precisión en la terminal de salida. Cuando se polariza un transistor
se establece el voltaje de cd y los valores de corriente. Esto significa, por ejemplo,
que en el punto de operación en cd, IC y VCE tienen valores especificados. El punto
de operación en cd a menudo se conoce como punto Q.
La polarización establece el punto de operación en cd (punto Q) para la operación
lineal apropiada de un amplificador. Si un amplificador no se polariza con voltajes
de cd correctos a la entrada y salida, puede irse a saturación o a corte cuando se
aplique una señal de entrada.
En la figura, en la parte (a), la señal de salida es un réplica amplificada de la señal
de entrada excepto porque está invertida, lo que significa que está desfasada 180°
con respecto a la entrada. La señal de salida oscila del mismo modo por encima y
por debajo del nivel de polarización en cd de la salida, VCD(sal). Una polarización
inapropiada puede distorsionar la señal de salida, como se ilustra en las partes (b)
y (c). La parte (b) ilustra cómo la parte positiva del voltaje de salida se limita debido
a que el punto Q (punto de operación en cd) está demasiado cerca del corte. La
parte (c) muestra cómo la parte negativa del voltaje de salida se limita debido a que
el punto de operación en cd se encuentra demasiado cerca de la saturación.

Figura 1. Ejemplos de operación no lineal de un amplificador inversor (símbolo de

triángulo).
Análisis gráfico El transistor de la figura 2(a) se polariza con VCC y VBB para
obtener ciertos valores de IB, IC, IE y VCE. Las curvas características de colector
de este transistor particular se muestran en la figura 2(b) y se utilizarán para ilustrar
gráficamente los efectos de polarización en cd.

Figura 2. Circuito con transistor polarizado en cd con voltaje de polarización variable

(VBB) para generar las curvas características del colector mostradas en la parte (b).
Recta de carga en cd. La operación en cd de un circuito con un transistor se describe
gráficamente con una recta de carga en cd. Ésta es una recta sobre las curvas
características desde el valor de saturación donde IC _ IC(sat) sobre el eje y hasta el
valor de corte donde VCE _ VCC sobre el eje x, como se muestra en la figura 3(a). El
circuito externo (VCC y RC) determina la recta de carga, no el transistor mismo, lo cual
es descrito por las curvas características.

Figura 3. Recta de carga en CD.

El punto donde la recta de carga corta una curva característica representa al punto
Q con ese valor particular de IB. La figura 3(b) ilustra el punto Q sobre la línea de
carga con valores distintos de IB.
Operación lineal. La región a lo largo de la recta de carga que incluye todos los
puntos entre los estados de saturación y corte en general se conoce como región
lineal de la operación del transistor. En tanto el transistor opere en esta región, el
voltaje de salida es idealmente una reproducción lineal de la entrada.
La figura 4 muestra un ejemplo de la operación lineal de un transistor. Las
cantidades de ca se muestran con subíndices de letras cursivas minúsculas.
Suponga que se superpone un voltaje senoidal, Vent, a VBB: esto hace que la corriente
en la base varíe senoidalmente 100 mAsobre y debajo de su valor de punto Q de
300 mA. Esto, a su vez, provoca que la corriente en el colector varíe 10 mA sobre y
debajo del valor del punto Q de 30 mA. A consecuencia de la variación de la
corriente en el colector, el voltaje en el colector con respecto al emisor varía 2.2 V
por encima y por debajo su valor de punto Q de 3.4 V. El punto A sobre la recta de
carga en la figura 4 corresponde al pico positivo del voltaje de entrada senoidal. El
punto B corresponde al pico negativo y el punto Q al valor cero de la onda seno,
como se indica. VCEQ, ICQ e IBQ son los valores de punto Q sin voltaje senoidal de
entrada aplicado.

Figura 4. Variaciones de la corriente en el colector y del voltaje en el colector con

respecto al emisor, a consecuencia de una variación de la corriente en la base.
Distorsión de la forma de onda. Como se mencionó, en ciertas condiciones de señal
de entrada la ubicación del punto Q sobre la recta de carga puede hacer que un
pico de la forma de onda Vce se limite o recorte, como se muestra en las partes (a) y
(b) de la figura 5. En ambos casos, la señal de entrada es demasiado grande para
la ubicación del punto Q y lleva al transistor al estado de corte o saturación durante
una parte del ciclo de entrada. Cuando ambos picos están limitados como en la
figura 5(c), el transistor se lleva tanto a saturación y como a corte por una señal de
entrada excesivamente grande. Cuando sólo el pico está limitado, el transistor se
lleva hacia corte pero no hacia saturación. Cuando sólo el pico negativo está
limitado, el transistor se lleva a saturación pero no a corte.
Figura 5. Gráfica de la recta de carga de un transistor que está siendo llevado a
saturación y/o corte.
Desarrollo Experimental
Se realizaron los cálculos para determinar las resistencias R2 y R1 del circuito de la
figura 6:

Figura 6. Circuitos de polarización de transistores.

Se obtiene hFE y VBE.
Se calcularon las variables de polarización y se anotaron en la tabla 1.
Se implementó el primer circuito y utilizando dos transistores diferentes se midieron
sus criterios de estabilidad y de polarización, los datos se anotaron en la tabla 2 y
3, una para cada transistor.
A continuación se armó el circuito de la figura 7.

Figura 7. Circuito de polarización con atenuadores.

Se verificó que los datos obtenidos concordaran con los obtenidos. Se observó la
señal producida en el osciloscopio y se obtuvo la figura 8.

Figura 8. Señal obtenida del circuito de la figura 7 en el emisor.

Después de esto se implementó el circuito de la figura 9 y se notó que aún la señal
no era simétrica:

Figura 9. Circuito de verificación de máxima excursión de señal.

Posteriormente, se calcularon nuevamente las resistencias R1 y R2, y se volvió a
armar el circuito observando la señal de salida. Lo obtenido fue lo observado en la
figura 10.

Figura 10. Señal con máxima excursión de señal.

Datos experimentales y datos calculados
Cálculos

1
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 5𝑚𝐴 ( ) + 0.7𝑉 = 3.9𝑉
1 1
+
1.2𝑘Ω 1.2kΩ
(13.1𝑉 − 0.7𝑉)
𝐼𝐶𝑄𝑀𝐴𝑋 = = 6.28𝑚𝐴
1.2𝑘Ω + 220Ω + +600Ω
200(220)
𝑅𝐵𝐵 = = 4.4𝑘Ω
10
𝑅𝐵𝐵
𝑉𝐵𝐵 + 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐸 + ) + 𝑉𝐵𝐸
200
𝑉𝐵𝐵 = 1.91𝑉
4.4𝑘
𝑅1 = 5𝑚𝐴 (220 + ) = 5.15𝑘Ω
200
𝑅𝑄𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝑅2 = = 30.17𝑘Ω
𝑉𝐵𝐵
Tabla 1.
𝑉𝐶𝐸 = 6 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
IBQ=21microA
RBB=344.4KΩ
Tabla 2.
Δ𝐼𝐶𝑄 Δℎ𝐹𝐸
𝐼𝐶𝑄 ℎ𝐹𝐸
Valor Valor Valor
Δ𝐼𝐶𝑄
teórico o experimental experimental = (𝐼𝐶𝑄1 = (ℎ𝐹𝐸1
Δℎ𝐹𝐸
propuesto con Q1 con Q2 − 𝐼𝐶𝑄2 ) − ℎ𝐹𝐸2 )

∗ 100% ∗ 100%

𝐼𝐶𝑄 (𝑚𝐴) 5 5.04 3.09 38.7 0.021

𝑉𝐶𝐸𝑄 (𝑉) 6 5.97 8.3

𝐼𝐵𝑄 (𝜇𝑎) 25 21.2 21.2

𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 0.6 0.6 0.62
 ℎ𝐹𝐸 200 238.86 145.75 39.01

Tabla 3.
Δ𝐼𝐶𝑄 Δℎ𝐹𝐸
𝐼𝐶𝑄 ℎ𝐹𝐸
Valor Valor Valor
Δ𝐼𝐶𝑄
teórico o experimental experimental = (𝐼𝐶𝑄1 = (ℎ𝐹𝐸1
Δℎ𝐹𝐸
propuesto con Q1 con Q2 − 𝐼𝐶𝑄2 ) − ℎ𝐹𝐸2 )

∗ 100% ∗ 100%

𝐼𝐶𝑄 (𝑚𝐴) 5 5.12 4.91 4.1 0.0028

𝑉𝐶𝐸𝑄 (𝑉) 6 5.9 6.1

𝐼𝐵𝑄 (𝜇𝑎) 25 21.6 31

𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 0.6 0.63 0.63

ℎ𝐹𝐸 200 237.03 158.38 33.18
Análisis de resultados
Los datos obtenidos concordaron con los valores esperados. Se observó también
que, como ya se había denotado antes, un transistor del mismo tipo, de la misma
marca o de la misma serie puede tener un valor hfe distinto de otro transistor igual,
como en el caso de los transistores que se utilizaron. Los valores hfe obtenidos
fueron 145 para el primer transistor y 158 para el segundo. Los datos calculados
ayudaron a obtener las resistencias R1 y R2 que se utilizaron en los circuitos, pero
estas no concordaron totalmente con los datos esperados, como una corriente de
5mA y 6V en VEC. Esto es debido a que el primer circuito utilizado no era muy
estable y el hfe varió mucho.

Conclusiones
Los criterios de estabilidad y de polarización de los transistores son muy
importantes, puesto que estos definen el comportamiento que estos tendrán, y el si
es útil usarlos o no, debido a que si estos no presentan un cierto grado de
estabilidad, no sirven para aplicaciones prácticas. La verificación de la excursión de
la señal nos ayudó a observar cómo se ve una señal no simétrica y como se obtuvo
y después se practicó para obtener un punto Q donde se encontrara la máxima
excursión posible dentro de los límites del circuito, para obtener una señal simétrica
no muy distorsionada.

Bibliografía
Floyd, T. L. (2008). Dispositivos electrónicos. México: Pearson Educación.
Apéndice