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TP N°3

Le transistor Unijonction

1) Objectifs:

 Etude pratique des conditions de fonctionnement de l'UJT et mesure de ses paramètres.


 Etude des principaux circuits dans lesquels il est utilisé.

2) Introduction:

Les montages utilisant le transistor unijonction (UJT: Unijunction transistor) sont aussi bien
nombreux que variés. Leurs applications s'étendent à des fonctions de génération d'impulsions de
commande, de relaxation, de conversion tension/fréquence, de synchronisation, etc. L'utilisation de
l'UJT comme oscillateur à relaxation fait l'objet de ce travail.

3) Structure et schéma équivalent:

L'UJT (ou diode à deux bases) est constitué par un petit bâtonnet de silicium N peu dopé dont les
extrémités comportent deux connexions ohmiques nommés base 1 (B1) et base 2 (B2). Entre les
deux bases, plus prés de B2, est disposé un troisième contact (Emetteur) réalisé au moyen d'un
matériau P, ce qui constitue une jonction PN (figure 1). Le schéma équivalent d'un UJT est
représenté sur la figure 2.

B2 B1
IB2
B2 rB2
D
IB2
N E A
IE
E P E rB1
VE VA VBB

B2
B1

B1
Figure 1: Structure et symbole de l'UJT Figure 2: Schéma équivalent de l'UJT

Fonctionnement et caractéristique:
 Lorsque VE<VA: la diode D est polarisée en inverse. IE=IE0, courant de fuite de la jonction, il est
donc négatif et très faible tant que VE<VA (figure 3).
Tant que la diode est polarisée en inverse on a :
rB1
V A  V BB     V BB (1)
rB1  rB 2

où  est le rapport intrinsèque de l'UJT.

 Lorsque VE=VA: IE=0 .


 Lorsque VA<VE<VA+VD: où VD est la tension de seuil de la diode (0,5V à 10µA), la diode est
polarisée en directe mais sa tension reste inférieure à la tension seuil. IE est alors positif mais très
faible.

Transistor Uni jonction 1/6


 Lorsque VE atteint la tension VA+VD: la diode est polarisée en directe et un courant important
commence à circuler dans la diode. Les résistances rB2 et rB1 (surtout) se trouvent diminuées sous
l'effet des porteurs injectés dans la base par l'émetteur (il s'agit de trous minoritaires). Ces trous
se recombinent avec les électrons assurant la neutralité électrique du barreau. Il en résulte une
diminution nette de rB1, d'où augmentation du nombre de trous qui, traversant la jonction,
produisant une nouvelle diminution de rB1 et ainsi de suite jusqu'à la saturation, ce qui explique
la partie CD de la caractéristique à résistance négative

VE
VBB

C
Vp

VA B

VV A D

IE0 IP IV IE

Figure 3: Caractéristique de l'UJT

 région de blocage . Ip : courant de pic.


 région à résistance dynamique négative. VV : tension de vallée.
 région de saturation. IV : courant de vallée.
IE0 : courant de fuite de la jonction d'émetteur. VD : tension de seuil de la diode.
Vp : tension de pic ( V p    VBB  VD ). VBB : tension interbase (VB2-VB1) (tension
d'alimentation).
 : rapport intrinsèque de l'UJT.

5) Oscillateur à relaxation:

RB1 et RB2 sont des résistances de faibles valeurs (figure 5).

RB1  rB1 et RB 2  rB 2

Initialement, le condensateur C se charge à travers R. VE augmente jusqu'à VP , Alors l'UJT conduit


brusquement. IE augmente très vite et la capacité C se décharge à travers la jonction polarisée en
directe E-B1 et RB2.
Lorsque C est déchargée, et si la résistance R de manière à ce que le courant de vallée ne puisse se
maintenir , l'UJT se désamorce et C peut donc se recharger et le cycle A'BCD'DA' recommence.
On obtient ainsi les formes d’ondes schématisées par la figure 6.

Transistor Uni jonction 2/6


VBB

R RB1

IE
B2

C B1

RB2

Figure 5: Oscillateur à relaxation

Calcul de la période T:

Le temps de décharge étant très court, et en supposant que le condensateur se charge de V V(t=0) à
VP, l'équation de charge est :

t
VC (t )  VE (t )  VBB  (VV  VBB ). e Rc (2)

donc, au temps de charge Tch est sachant que Vv<<Vb, on obtient:

V V   1 
T  RC. Log BB V   RC. Log  (3)
 VBB  VP   1  
Condition d'oscillation:
Pour que le montage de la figure 5 puisse osciller, la résistance R doit satisfaire aux deux
conditions suivantes:
1) au point C : IR doit être supérieur à IP pour pouvoir passer à D'.
2) au point D : IR doit être inférieur à IV pour pouvoir passer à A'.
d'où la condition d'oscillation suivante:

VBB  VV V  VP
 R  BB (4)
IV IP

Transistor Uni jonction 3/6


VE

VBB
C

B D'

A'
VV
D
A t

VB
1

D'

C D

A B
t
Tdéch Tch T

Figure 6: Signaux obtenus avec le circuit de la figure 5

6) Générateur de dents de scie linéaires :

La résistance R peut être remplacée par une source de courant I0:

VZ RE

VZ
IE 
RE

Figure 7: Source de courant

Transistor Uni jonction 4/6


VE

RB2 VP
I0

B2
VE
B1
VV
C
RB1 t

Figure 8: Générateur de dents de scie linéaires

Par le biais du montage de la figure 8, on obtient des dents de scie (ou rampes) parfaitement
linéaires. La tension VE étant de la forme a. t  b , où a et b sont des constantes. La période T au
bout de laquelle VE ( t )  VP est donnée par l'expression:

V V
T  P V C (5)
I0
8) Préparation théorique:

1) Dans le montage de la figure 5, quel est le rôle des résistances RB1 et RB2 ?
2) Démontrer les formules (2) et (3).
3) Prouver la condition sur la résistance R (formule 4). En déduire Rmin et Rmax ainsi que fmin et fmax
que l'on peut obtenir avec la capacité C de la maquette UJT.
4) La disposition de la diode zener dans la figure 7 est-elle unique ? si non, est-elle plus ou moins
avantageuse?

Données numériques:

Transistor utilisé : 2N2646. IV = 6 mA.


 = 0,65. VV = 2 V.
IE0 = 5 nA. VD = 0,5 V à 10 µA.
rB1+rB2 = 7 k. VBE des transistors et des diodes = 0,6V.
IP = 1 µA. VBB = Ealimentation = 15V.

09) Manipulation:

Remarques:
 Indiquer avec précision les échelles et les axes sur toutes les courbes.
 Commenter les résultats à chaque fois qu'il est nécessaire.

Transistor Uni jonction 5/6


Figure 9.a Figure 9.b
a) Oscillateur à relaxation simple:
1) Réaliser le montage de la figure 9.a.
2) En faisant varier VBB de 4V a 12V, Tracer la courbe VP  f (VBB ) , En déduire la valeur de 
.
3) Réaliser le montage de la figure 9.b.
4) Faire varier R et remarquer son effet sur la période du signal VE(t).
5) Choisir une fréquence dans la plage de fonctionnement de l'UJT et tracer avec précision
VB1 ( t ) , VB 2 ( t ) et VE ( t ) . Préciser les valeurs de VV et VP.
6) Mesurer, pour (4), la fréquence de relaxation, Vérifier par calcul. En déduire la valeur de  en
utilisant la valeur approchée. Comparer les deux valeurs de .
b) Générateur de rampes:
1) Réaliser le montage de la figure 10. Expliquer le fonctionnement de ce montage.
2) Relever la tension VE(t), commenter.
3) quel est l'effet de la résistance variable R.

Figure 10 : Générateur de rampe


Transistor Uni jonction 6/6