Polarización del transistor

Objetivo: Comprobar experimentalmente el funcionamiento de las distintas configuraciones de

polarización para transistores BJT.

Material y equipo empleado:

• Fuente de alimentación variable de CD.

• Osciloscopio con puntas de medición.

• 3 puntas para osciloscopio.

• Resistencias de distintos valores.

• 7 Transistores 2N222.

• Potenciómetros de 5 KΩ, 10 KΩ , y 50 KΩ.

• Protoboard.

• Alambres para conexión

• 2 Multímetros.

Desarrollo:

SECCIÓN 1

1. Construya el circuito de polarización fija que se muestra en la figura 11.

2. Calcule los valores de las resistencias de polarización RB y RC, de tal manera que el transistor se
encuentre operando en la región activa. 3. Calcule teóricamente y mida experimentalmente las
corrientes Ib e Ic, y el voltaje VCE, compare sus resultados teóricos con los experimentales y
calcule el porcentaje de error. 4. Realice la gráfica del punto de trabajo para este experimento.

SECCIÓN 2

1. Construya el circuito de Polarización con divisor de voltaje que se muestra en la figura 12.

2. Calcule los valores de las resistencias de polarización R1, R2, RC Y RB, de tal manera que
el transistor se encuentre operando en la región activa. 3. Calcule teóricamente el valor de
las corrientes de base, colector y emisor, además el voltaje VCE., 4. Con el Multímetro
mida en el circuito el valor de las variables calculadas anteriormente, con los valores
experimentales compare los resultados teóricos y obtenga el porcentaje de error. 5.
Calcule teóricamente el valor de los factores de estabilidad Si, Sv del experimento. 6.
Muestre en una tabla los resultados obtenidos, así como el cálculo del porcentaje de error.

SECCIÓN 3
1. Construya el circuito de Polarización con Retroalimentación que se muestra en la
figura 13. 2. Ajuste el potenciómetro R1 con la perilla a su valor mínimo, realice
incrementos hasta completar cinco lecturas diferentes comprendidas en el intervalo
del valor mínimo hasta el valor máximo del potenciómetro. 3. Utilizando uno de los
multímetros, registre la corriente en la base del transistor para cada incremento del
potenciómetro R1. 4. Utilizando el otro multímetro, registre la corriente en el colector
del transistor para cada incremento del potenciómetro R1. 5. Calcule la corriente de
base IB y el voltaje entre colector y emisor VCE ; mida estas variables en el circuito y
compare sus resultados teóricos con los experimentales, calcule el porcentaje de
error. 6. Calcule el valor de los factores de Estabilidad Si, Sv y Sb.
Cuestionario:
1. Explique de qué manera se ve afectada la corriente de base en cada una de las
polarizaciones desarrolladas en esta práctica.
R: Mientras la base de un transistor esté a mayor potencial que el emisor, y la
corriente de la base tenga el valor suficiente para activar el transistor en la región
de saturación, el transistor permanece cerrado, siempre que la unión de colector a
emisor tenga la polarización correcta; La corriente es disminuida por cada
polarización.
2. Explique qué es una configuración estable.
R: Es la distribución de los electrones de un átomo en los diferentes estados
energéticos determinados por los orbitales en dicho átomo. Así, mediante la
configuración electrónica se representan los diferentes estados de los electrones
presentes en el átomo.
3. ¿Cómo se comprueba que el circuito está polarizado?
R: Cuando el circuito está trabajando en su región activa, La tensión de
alimentación Vcc se distribuya por partes iguales entre la carga (R) y el transistor
(colector/ emisor). De esta manera, las variaciones de corriente ic (alter-na)
producirán fluctuaciones de tensión sobre el resistor en forma simétrica
4. ¿Cómo se puede obtener el parámetro hfe en forma experimental?
R: Se mide con el multímetro, algunos multímetros traen integrado un medidor de
la hfe.
5. Explique la relación que existe entre la corriente de base y la corriente de emisor y
explique cómo se pueden obtener en forma experimental.
R: Son las corrientes que guardan una relación estrecha ya que si una aumenta o
disminuye la otra lo hace para así mantener una compensación cada una
dependiente su dopado; medir experimentalmente seria con pruebas de ensayo y
error proponer resistencias de un valor y comprobar si el transistor está en la
región activa.
6. Explique cómo se comportan los factores de estabilidad SI , Sv , SB, en cada uno de
los experimento realizados.
R: Se definió un factor de estabilidad S para cada uno de los parámetros que
afectan la estabilidad de la polaridad, en cada caso el símbolo delta significa un
cambio de la cantidad y el numerador de cada ecuación es el cambio en la
corriente según se establece.
7. Que representa el parámetro BETA en un transistor y cuál es el efecto que ejerce
la temperatura sobre el transistor.
R: El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del
transistor, relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto
mayor es el número de Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una
corriente de base pequeña es capaz de entregar una corriente de colector grande
(ganancia de corriente del transistor), en algunos libro se lo suele encontrar como
hfe que también se refiere a la ganancia pero analizada desde los parámetros H de
teoría de cuadripolos.
8. Explique el efecto de la corriente de saturación inversa.
R: En polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón libre
tiene que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor
de W. Entonces no hay conducción de electrones libres o huecos, no hay
corriente.
En esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de pares
electrón-hueco. Los pocos electrones generados térmicamente pierden energía y
bajan de p a n, es la "Corriente Inversa de Saturación" (IS) que es muy pequeña.
Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n. Entonces
sería negativa en este caso