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L’énergie photovoltaïque

1. Historique:
La conversion de la lumière en électricité, appelée effet photovoltaïque, a été
découverte par Antoine Becquerel en 1839, mais il faudra attendre près d'un siècle
pour que les scientifiques approfondissent et exploitent ce phénomène de la
physique.

L’énergie photovoltaïque s’est développée dans les années 50 pour l’équipement de


vaisseaux spatiaux et le premier a été lancé dans l’espace en 1958. C’était le seul
procédé non-nucléaire d’alimenter des satellites en énergie. Les images satellites
reçues par votre téléviseur ne vous parviennent que grâce à l’énergie photovoltaïque.
l’énergie photovoltaïque soit également utilisable pour des applications terrestres.
La croissance de l’industrie fut spectaculaire.
Depuis le début des années 80, la quantité de modules photovoltaïques expédiés par
an (mesurés en MW-Crêtes) a augmenté et le prix des modules (par Watt-Crête)
diminuait au fur et à mesure que le nombre de modules fabriqués augmentait. Bien
que le prix se soit quelque peu stabilisé, la quantité de modules photovoltaïques
expédiés chaque année continue d’augmenter.

2. Quelques dates:
1839 : Le physicien français Edmond Becquerel découvre l’effet photovoltaïque
1875 : Werner Von Siemens expose devant l’Académie des Sciences de Berlin un
article sur l’effet photovoltaïque dans les semi-conducteurs. Mais jusqu’à la Seconde
Guerre Mondiale, le phénomène reste encore une découverte anecdotique

1954 : Trois chercheurs américains, Chapin, Pearson et Prince, mettent au point une
cellule photovoltaïque à haut rendement au moment où l’industrie spatiale naissante
cherche des solutions nouvelles pour alimenter ses satellites.
1954 : Trois chercheurs américains, Chapin, Pearson et Prince, mettent au point une
cellule photovoltaïque à haut rendement au moment où l’industrie spatiale naissante
cherche des solutions nouvelles pour alimenter ses satellites

1958 : Une cellule avec un rendement de 9 % est mise au point. Les premiers
satellites alimentés par des cellules solaires sont envoyés dans l’espace.
1973 : La première maison alimentée par des cellules photovoltaïques est construite
à l’Université de Delaware.

1983 : La première voiture alimentée par énergie photovoltaïque parcourt une


distance de 4000 km en Australie.

1995 : Des programmes de toits photovoltaïques raccordés au réseau ont été


lancés,au Japon et en Allemagne, et se généralisent depuis 2001.

3. Principe de fonctionnement:

Cellule photovoltaïque :
Une cellule photovoltaïque est un composant
électronique qui, exposé à la lumière (photons),
produit de l’électricité grâce à l’effet photovoltaïque
qui est à l’origine du phénomène. La tension
obtenue est fonction de la lumière incidente. La
cellule photovoltaïque délivre une tension
continue.
Les cellules photovoltaïques les plus répandues sont
constituées de semi-conducteurs, principalement à
base de silicium (Si) et plus rarement d’autres semi-
conducteurs :
séléniure de cuivre et d'indium (CuIn(Se)2 ou
CuInGa(Se)2), tellurure de cadmium (CdTe), etc.
Elles se présentent généralement sous la forme de
fines plaques d’une dizaine de centimètres de côté,
prises en sandwich entre deux contacts métalliques, cellule monocristalline
pour une épaisseur de l’ordre du millimètre.
Les cellules sont souvent réunies dans des modules solaires photovoltaïques ou
panneaux solaires, en fonction de la puissance recherchée
Le semi-conducteur:

Un semi-conducteur est un matériau dont la concentration en charges libres est très


faible par rapport aux métaux.
Pour qu'un électron lié à son atome (bande de valence) devienne libre dans un semi
conducteur et participe à la conduction du courant, il faut lui fournir une énergie
minimum pour qu'il puisse atteindre les niveaux énergétiques supérieurs (bande de
conduction).C'est l'énergie du "band gap" Eg, en électronvolts (eV). Cette valeur
seuil est propre à chaque matériau semi-conducteur et va de 1,0 à 1,8 eV pour les
applications photovoltaïques. Le spectre du rayonnement solaire est la distribution
des photons en fonction de leur énergie (inversement proportionnelle à la longueur
d'onde). Le rayonnement arrivant sur la
cellule solaire sera en partie réfléchi, une autre partie sera absorbée et le reste passera
au travers de l'épaisseur de la cellule.

Les photons absorbés dont l'énergie est supérieure à l'énergie du band gap vont
libérer un électron négatif, laissant un "trou" positif derrière lui.
Pour séparer cette paire de charges électriques de signes opposés (positive et
négative) et recueillir un courant électrique, il faut introduire un champ électrique E
de part et d'autre de la cellule.
La méthode utilisée pour créer ce champ est celle du "dopage" par des impuretés.
Deux types de dopage sont possibles :

Le dopage de type n (négatif) consiste à introduire dans la structure cristalline


semi-conductrice des atomes étrangers qui ont la propriété de donner chacun un
électron excédentaire (charge négative), libre de se mouvoir dans le cristal. C'est le
cas du phosphore (P) dans le silicium (Si). Dans un matériau de type n, on augmente
fortement la concentration en électrons libres.
Le dopage de type p (positif) utilise des atomes dont l'insertion dans le réseau
cristallin donnera un trou excédentaire. Le bore (B) est le dopant de type p le plus
couramment utilisé pour le silicium. Lorsque l'on effectue deux dopages différents
(type n et type p) de part et d'autre de la cellule, il en résulte, après recombinaison
des charges libres (électrons et trous), un champ électrique constant créé par la
présence d'ions fixes positifs et négatifs. Les charges électriques générées par
l'absorption du rayonnement pourront contribuer au courant de la cellule
photovoltaïque.
4. Les caractéristiques électriques d'une cellule photovoltaïque:

Une cellule PV est en fait un composant électronique bien connu que l’on appelle
‘’ DIODE’’, composant qui laisse passer le courant électrique dans un sens (avec
une chute de tension de l’ordre de 0,6 volt) et qui bloque son passage dans l’autre
sens.
Dans le cas de la cellule PV, on s’arrange pour que la surface de la jonction soit la
plus grand possible pour collecter le maximum d’énergie solaire.
Le schéma électrique simplifié de la cellule PV est le suivant :

Fig.1 : schéma électrique d’une cellule PV

On reconnait le symbole de la diode (traversé par le courant Id), en parallèle se


trouve le générateur de courant ICC qui correspond au flux d’électrons généré par le
flux de photons de la lumière (solaire ou autre) au sein de la jonction de la diode. En
parallèle à la diode, se trouve la résistance Rsh (Résistance shunt) qui correspond
aux pertes directes à travers la jonction et en série vers l’utilisation Vp et Ip , se
trouve la résistance Rs (Résistance série) correspondant entre autre aux pertes joules
dans les conducteurs.
Aux deux bornes de la photopile PV, l’énergie électrique se récupère sous forme
d’une tension Vp et d’un courant Ip.
L’équation entre Ip et Vp est la suivante :

La figure (1) présente le schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque:


Donc : Ip = ICC − Id − Ish

Ou :
ICC ou Iph = courant généré variable suivant l’irradiance lumineuse
Iph = (Ipn + Ki×∆T)G/Gn ∆T=(T-Tn)
Ipn : courant photonique généré dans les conditions standard (A).
G et Gn : ensoleillement et l’ensoleillement de réfrence (1000 w/m2).
Ki : coefficient de température court-circuit
T : température de référence 298(k).
Tn : température de la cellule(k).
Id : courant entre la diode qui égale :

Is = I0 : courant de saturation de la diode qui égale:

Bien que : Vt=kT/q


k =1.38 ×10-23 J/K (constante de Boltzmann).
q =1.6×10-19 C.
Vco : tension du circuit ouvert (v).
Isc : courant de court-circuit(A).
Rs : la résistance série (Ω).
V=Vp : la tension au borne de la cellule
Le courant de la résistance shunt égale:

Rsh : la resistance shunt (A)


Le tracé de l’équation Ip = f(Vp) est de la forme suivante :

Fig 2 : Caractéristique électrique d’une cellule solaire

Sur cette courbe, on peut reconnaître la courbe de la diode (vers le bas du fait du
signe – dans l’équation) et décalé vers le haut de la valeur ICC du courant généré
par l’irradiance lumineuse.
Points caractéristiques sur cette courbe pour une cellule en silicium cristallin :
Tension à vide (Ip = 0 A) Voc = 0,6 V (puissance P = 0W)
Courant de court-circuit (Vp=0V) = ICC (variable suivant l’irradiance, puissance
P=0W)
Tension en charge Vpm = 0,5 V au point de fonctionnement ou la puissance est
maximum
Courant Ipm (variable suivant l’irradiance) au point de fonctionnement ou la
puissance est maximum
Puissance maximum Pmax = Ipm . Vpm
Noter que, en faisant varier Vpm de de 0 à Voc (ou Ip de 0 à ICC), la puissance part
de 0W pour monter à un maximum Pmax puis redescendre à 0W

Le rendement de conversion de l’énergie lumineuse en énergie électrique d’une


cellule photovoltaïque de surface S, de puissance Pmax sous une irradiance
lumineuse Irrad est le suivant :
Rcell = Puissance électrique/puissance thermique
Donc :

On défini aussi un facteur de forme (ou fill factor), noté FF, représentant la qualité
d’une cellule photovoltaïque :

Les facteurs de forme typiques pour différentes technologies photovoltaïques sont


les suivant :
Technologie silicium cristallin (m-Si) : ff = 0,83
Technologie silicium amorphe a-Si : ff = 0,7
Technologie Tellure de Cadmium (CdTe) : ff = 0,76
Technologie Cuivre Indium Sélénium (CIS) : ff = 0,78

Suivant les technologies de cellules photovoltaïques, le tracé de l’équation Ip = f(Vp)


garde la même forme mais les valeurs de tension à vide sont légèrement différentes
et surtout, pour une même surface, les courants de court-circuit sont différents pour
la raison que les rendements de conversion sont différents pour chaque technologie.

Fig.
3 : Tracé de la courbe Ip = f(Pv) pour différents types de cellules PV (graphe source : Google)

Voici le rendement de conversion typique pour différentes technologies


photovoltaïques :
Technologie silicium cristallin (m-Si) : de 15 à 17 %
Technologie silicium amorphe a-Si : 6 à 8 %
Technologie Tellure de Cadmium (CdTe) : 11 à 12 %
Technologie Cuivre Indium Sélénium (CIS) : 12 à 13 %
Technologie cellule organique (à l’état de la recherche) : 5 % (record à 11 %)
5. Caractéristiques électriques d’un module photovoltaïque :

Une cellule élémentaire ne génère pas suffisamment de tension : entre 0.5 et 1.5 donc
pour augmenter la tension
Il faut presque toujours plusieurs cellule en série pour généré une tension utilisable.

Voici le symbole électrique d’un module photovoltaïque :

Historiquement, les premiers modules photovoltaïques comprenaient 36 cellules PV


en série (0,5 V . 36 = 18 V) .Ils étaient utilisés en sites isolés pour la charge des
batteries plomb-acide de 12 volts, pour cela, ces modules sont dit de type 12V. La
tension de 18 volts permet de charger les batteries 12V jusqu’à la fin de charge
(Typiquement 14,8 volts), même avec une faible irradiation (ou la tension chute
légèrement).

La tension de module est donc : Vm = Ns * Vp


Vm : la tension du module.
Ns : nombre de cellule en série par module.

En résumé, les cellules Photovoltaïques sont montées en série pour créer des
modules photovoltaïques, puis les modules sont montés en série et en parallèle pour
réaliser des champs photovoltaïques.
Cellule PV Module PV Champ PV

Les courbe caractéristiques d’un module photovoltaïque (pour différentes


irradiances) de l’intensité de sortie et de la puissance de sortie (c’est-à-dire du
produit Tension-Intensité) en fonction de la tension de sortie sont représentées ci-
après pour un module photovoltaïque de type 12V :

Fig 4 Influence de l’ensoleillement caractéristique I-V du module.

La figure 4 représente la caractéristique I=f(V) d’un module traduisant l’influence


de différents ensoleillements à température fixe, le courant du module est
proportionnel à l’ensoleillement, tandis que la tension de circuit-ouvert change
légèrement avec l’ensoleillement, l’optimum de puissance est aussi proportionnel à
l’ensoleillement.
Fig 5 I influence de l’ensoleillement sur caractéristique P-V du module

6. Influence de la température sur les caractéristiques électriques :


La température est un paramètre très important dans le fonctionnement des cellules
photovoltaïques parce que les propriétés électriques d’un semi-conducteur sont très
sensibles à la température.
La figure (6) représente la caractéristique courant-tension et puissance-tension
d’un module (PV) solaire en fonction de la température, à un éclairement et
constante.
On remarque que L’augmentation de la température entraîne une diminution de la
tension de circuit ouvert, ainsi qu’une diminution de la puissance maximale
Fig 6- a- influence de température caractéristique I-V du module

Fig 6-b Influence de température sur caractéristique P-V du module.


Conclusion
La modélisation analogique et mathématique d’un générateur photovoltaïque de
type one diode avec deux résistances série et shunt était l’essentiel de la première
partie de notre travail dans ce papier ce qui nous a permis d’entamer la partie de
simulation sous Matlab avec une méthodologie plus objective.

La modélisation analogique et mathématique d’un générateur photovoltaïque de type


one diode avec deux résistances série et shunt était l’essentiel de la première partie
de notre travail dans ce papier ce qui nous a permis d’entamer la partie de simulation
sous Matlab avec une méthodologie plus objective.
Les résultats de simulation montrent l’influence des paramètres qui entrent en jeux
dans la performance des systèmes solaires de production d’énergie électrique comme
l’irradiation solaire et la température.

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