Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Decana de América - Fundada el 12 mayo de 1551

Universidad
Nacional Mayor de
San Marcos.
Profesor:
Alfredo Torres León.

Curso:
Circuitos electrónicos I
Informe Final 5
Transisor bipolar NPN caraterísticas básicas
Alumna:
Quispe León Rosa Esmeralda

Código:
14190244

Informe final V
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I. PROCEDIMIENTOS:

i. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar la tabla

1.

RESISTENCIA DIRECTA(Ω) INVERSA(Ω)

Base – emisor 0.907 K >>30 M
Emisor – colector 0.899 K >>30 M
Colector –Emisor >>30 M >>30 M
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (usar P1=0).
b) Medir los voltajes entre el colector-emisor (Vce), entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1= 56K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Teóricos 3.695 123.148 30 7.492 0.6 0.839
Medidos 6.6 240 27.5 3.96 0.68 1.39

d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en
la tabla 3 (por ajuste de P1).

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Valores (R1= 68K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

3
Teóricos 2.986 99.522 30 8.357 0.6 0.876

Medidos 5.4 200 27 5.24 0.68 1.16

e) Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ.

observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5.

P1 100 K 250 K 500 K 1 M

Ic (mA) 1.4 0 0 0
Ib(uA) 5.02 0 0 0
Vce (v) 10.08 11.63 11.63 11.64
(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)

ii. Ajustar el generador de señales a 50mv.pp, 1KHz., onda senoidal. Observar la

salida de Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.

TABLA Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) 1.1 7.12 154.5 3.2 343.8

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II. CUESTIONARIO FINAL:

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(a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación
operativa con el Ohmímetro.

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-

colector y colector-emisor en polarización directa son bajas, ya que en
polarización directa el transistor conduce corriente. En polarización
inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual está bien
ya que en polarización inversa el transistor no conduce corriente.

(b) Representar la recta de carga en un gráfico Ic VS Vce del circuito del

experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2, 3 y 5.

Ic (µA) vs Vce(v)
7

0
0 2 4 6 8 10 12 14

(c) ¿En qué regiones de trabajar se encuentran los puntos de las Tabla 2
y 3?

Los puntos de la tabla 2 y 3 se encuentran en la región activa

(d) ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambios R1 a 150kΩ?

Explicar lo ocurrido e indicar sus valores teóricos.

Si aumentamos el R1 el punto de operación se desplazará hacia la región

de corte.

(e) Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
PNP).
La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la
polaridad de sus electrodos

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Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un

polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para 5
un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es
necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado
si es un NPN o un PNP.

III. CONCLUSIONES

Al aumentar el valor de R1 el punto de operación se desplaza hacia la

región de corte ya que la corriente de colector y la corriente de base
empezó a disminuir y el voltaje de colector-emisor a aumentar cuando
aumentamos R1.

Lo mismo sucede en el caso de la Re ya que cuando hicimos Re=0 el punto

de operación se desplazó hacia la región de saturación.

Informe final V