TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MINATITLÁN

Por la Independencia Tecnológica de México

Carrera
ELECTROMECÁNICA

Materia
ELECTRIONICA ANALÓGICA

Clave de la asignatura
IMF4-1

Horario de clases
Lunes-Martes 10:00am-11:00am/F2 Miércoles 10:00am-11:00am/F5 Jueves
14:00pm-16:00pm/AO

Grupo
1

Tema
PRINCIPIO DE CONDUCCIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES.
ETAPAS DE CONSTRUCCIÓN DE CONSTRUCCIÓN DE UNA FUENTE DE
VOLTAJE CON CL.

Nombre
HERNÁNDEZ ZEFERINO LUIS

Docente
JOSÉ SEVILLA MORFIN

Fecha

MINATITLÁN VER. 05-FEBRERO-2019

1
 INDICE

Contenido
INDICE.................................................................................................................................................. 2
PRINCIPIO DE CONDUCCIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES................................................................. 3
QUE ES UN SEMICONDUCTOR......................................................................................................... 3
TIPOS DE CONDUCTORES INSTRISECOS Y EXTRINSECOS (N y P) ..................................................... 3
ETAPAS DE CONSTRUCCION DE UNA FUENTE REGULADA DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO
(CI) ....................................................................................................................................................... 5
ETAPA DE TRANSFORMACIÓN ........................................................................................................ 6
ETAPA DE RECTIFICACIÓN ............................................................................................................... 6
ETAPA DE FILTRADO ........................................................................................................................ 6
......................................................................................................................................................... 6
ETAPA DE REGULACIÓN .................................................................................................................. 6
CONCLUSION ....................................................................................................................................... 8

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PRINCIPIO DE CONDUCCIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES

El principio de conducción de los semiconductores es un parámetro que caracteriza la

capacidad conductora de un semiconductor, la concentración de portadores, es decir, el
número de electrones de conducción por centímetro cúbico, cantidad que se representa
por N y el número de huecos por centímetro cúbico denominada P.

QUE ES UN SEMICONDUCTOR

Un semiconductor es un material que se encuentra entre los conductores y los aislantes,

en lo que es su capacidad de conducir corriente eléctrica. Es decir los semiconductores
son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen
conductor y la de un aislante.
Un semiconductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante.
Los semiconductores más comunes de sólo un elemento son el silicio, el germanio y el
carbón. Los semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de
indio, también son de uso común.
Los semiconductores de un solo elemento están caracterizados por átomos con cuatro
electrones de valencia.
Los materiales semiconductores en su estado intrínseco no conducen bien la corriente y
su valor es limitado. Esto se debe al número limitado de electrones libres presentes en la
banda de conducción y huecos presentes en la banda de valencia.
para aumentar su conductividad y hacerlo útil en dispositivos electrónicos se debe
modificar incrementando el número de electrones libres o huecos. Esto se hace añadiendo
impurezas al material intrínseco.

TIPOS DE CONDUCTORES INSTRISECOS Y EXTRINSECOS (N y P)

INTRÍNSECO
El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido
cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo; en
esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnología actual.
Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas externas se conocen
como portadores intrínsecos.

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Los materiales semiconductores en su estado intrínseco no conducen bien la corriente y
su valor es limitado. Esto se debe al número limitado de electrones libres presentes en la
banda de conducción y huecos presentes en la banda de valencia.

EXTRÍNSECO
Los semiconductores extrínsecos se obtienen mediante un proceso conocido como dopaje
y que consiste en la introducción de impurezas (dopantes) de forma controlada en
semiconductores intrínsecos. En función del dopante utilizado se puede obtener
semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores tipo N (negativos)

DOPADO
La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente mediante la
adición controlada de impurezas al material semiconductor intrínseco (puro). Este
proceso, llamado dopado, incrementa el número de portadores de corriente (electrones o
huecos). Los dos portadores
de impurezas son el tipo n y el tipo p.

LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N

son aquellos obtenidos por la adición de dopantes con más valencias que el
semiconductor intrínseco de partida.
Para incrementar el número de electrones de
banda de conducción en silicio intrínseco se
agregan átomos de impureza pentavalente.
Estos son átomos son cinco electrones de
valencia tales
como arsénico (As), fósforo (P), bismuto (Bi) y
antimonio (Sb).
Como la mayoría de los portadores de corriente son electrones, el silicio (o el germanio)
dopado con átomos pentavalentes es un semiconductor tipo (n expresa la carga negativa
de un electrón).

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EN LOS QUE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P
La situación es la contraria que en los tipo N.
Se utilizan elementos con menos valencias que los
semiconductores intrínsecos de partida.
Cuando al dopar introducimos átomos con tres
electrones de valencia en un elemento de átomos
con cuatro estamos formando un semiconductor
tipo P.
Estos átomos "extraños" que se añaden se
recombinan con el resto pero queda un hueco libre
que produce atracción sobre los electrones que circulan por nuestro elemento.
También se produce una circulación de estos huecos colaborando en la corriente.
Para incrementar el número de huecos en silicio intrínseco, se agregan átomos de
impureza trivalentes: átomos con tres electrones de valencia tales como boro (B), indio
(In) y galio (Ga).
Como la mayoría de los portadores de corriente son huecos, el silicio (o germanio) dopado
con átomos trivalentes se llama semiconductor tipo p. Los huecos son los portadores
mayoritarios en un material tipo p.
Aunque la mayoría de los portadores de corriente en un material tipo p son huecos,
también existen algunos electrones de banda de conducción que se crean cuando
térmicamente se generan pares electrón-hueco.

ETAPAS DE CONSTRUCCION DE UNA FUENTE REGULADA DE

VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO (CI)

Una fuente de alimentación proporciona un valor de tensión adecuado para el

funcionamiento de cualquier dispositivo.
La fuente de alimentación se encargara de convertir la entrada de tensión alterna de la
red en una tensión continua y consta de varias etapas, estas etapas son: Transformación,
rectificación, filtrado y regulación.

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ETAPA DE TRANSFORMACIÓN

Esta etapa consta básicamente de un

transformador que esta formado por un
bobinado primario y uno o varios bobinados
secundario, que tiene como función principal.
convertir la energía eléctrica alterna de la red ,
en energía alterna de otro nivel de voltaje, por
medio de la acción de un campo magnético.

ETAPA DE RECTIFICACIÓN

Esta etapa queda constituida por diodos rectificadores cuya función es de rectificar la
señal proveniente del bobinado secundario del transformador. Existen 2 tipos de
configuraciones que son rectificación de media onda y de onda completa.

ETAPA DE FILTRADO

Esta etapa queda constituida por uno o varios capacitores que se utilizan para eliminar la
componente de tensión alterna que proviene de la etapa de rectificación. Los capacitores
se cargan al valor máximo de voltaje entregado por el rectificador y se descargan
lentamente cuando la señal pulsante desaparece. Permitiendo lograr una nivel de tensión
lo mas continua posible

ETAPA DE REGULACIÓN

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Esta etapa consiste del uso de uno o varios circuitos integrados que tienen la funcion de
mantener constante las caracteristicas del sistema y tienen la capacidad de mantener el
estado de la salida independientemente de la entrada.
Esta etapa se puede dividir en : Reguladores lineales y regulador de conmutación
Reguladores lineados
Son dispositivos electrónicos que permiten controlan la tensión de salida ajustando
continuamente la caída de tensión en un transistor de potencia conectado en serie entre
la entrada y la salida.
Es decir que operan con una corriente continua, donde el nivel de tensión a la entrada
siempre debe ser superior a el de salida

Ventaja: Simplicidad de diseño, debido a que utilizan pocos componentes.

Desventajas: Disipación de calor, debido a su baja eficiencia el resto de la energía se disipa
en forma de calor.
Regulador de conmutación
Las fuentes conmutadas lo que se hace es utilizar un transistor en la zona de corte y
saturación, de esta forma se tiene periodos de tiempo en la que la corriente y la tension
son nulos. Esto se logra convirtiendo la tensión de entrada en una señal cuadrada .siendo
el concepto basico de las fuentes conmutadas.

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CONCLUSION

Nos mensiona sobre que un semiconductor es un material que se encuentra entre lo que
es un material conductor y un material aislante,que se clasifican en semiconductores
intrinsecos y extrinsecos y de los extrinsecos se encuentran los de tipo N y de tipo P,
cuando un material es instrinseco no conducen bien la corriente y esto se debe al número
limitado de electrones libres presentes en la banda de conducción y huecos presentes en
la banda de valencia.
En etapas de construccion de una fuente regulada de voltaje con circuito integrado, nos
mensiona que una fuente de alimentación proporciona un valor de tensión para el
funcionamiento de cualquier dispositivo, las etapas que se encuentran son: etapa de
transformacion, etapa de rectificación, etapa de filtrado y etapa de regulación, la etapa de
regulacion a su ves se divide en dos: reguladores lineados y regulador conmutacion.