Transistores BJT

PROF. NEWTON MARUYAMA

Transistores BJT
Seção transversal de um transistor NPN
Símbolos
Polarizações e fluxo de corrente
Resumo das relações corrente-tensão no modo
ativo
Comportamento da corrente
Relações de corrente no modo ativo para BJT
NPN
 Um modelo do transistor BJT NPN

Vários tipos de modelos

são utilizados para
representar o
comportamento do
transistor.
Um possível modelo para
grandes sinais (large
signals) está
representado na fig. ao
lado.
Diodo + fonte de
corrente
Analogia hidráulica para BJT NPN
Curva em função de
Tensões de ruptura
Correntes de fugas

Corrente de fuga na junção

BE com coletor aberto

Corrente de fuga na junção

CB com base aberta

Corrente de fuga na junção

CB com emisstor aberto
 Transistor como chave

A aplicação mais simples para um transistor é a utilização

como chave eletrônica: ora desligada, ora ligada. Para esta
aplicação, a configuração mais utilizada é a emissor
comum, mostrada na Figura 2.1. O resistor RC faz o papel
de carga e a corrente IC que o atravessa é controlada pelo
transistor Q. V CC
IC ↓
RC
C
RB B
VBB Q VCE
→
IB
VBE E
O chamado circuito de base é composto pela fonte
VBB, o resistor RB e a junção base-emissor (BE) do
transistor. Essa junção opera como um diodo
diretamente polarizado.
Dessa forma, VBE é equivalente a tensão de limiar de
condução VD0 dos diodos, e costuma ser indicada nos
datasheets como VBEsat (VBE de saturação).
V CC
I ↓
Nos transistores de silício em geral, tem-se R
C
C

tipicamente VBEsat entre 0,5 a 1,0 V. V

R B B
C
BB
→ Q VCE
IB
VBE E
No circuito da figura, desde que VBB > VBEsat, a
corrente de base IB é dada por: VCC
IC ↓
RC
VBB − VBEsat C
IB = VBB
→
RB B
Q VCE
RB IB
VBE E

caso contrário (se VBB < VBEsat), o diodo base-emissor

não conduz e tem-se IB = 0 (e nesse caso VBE = VBB).
O circuito de coletor compreende a fonte VCC, o
resistor RC e os terminais coletor-emissor (CE) do
transistor.
Repare que o emissor faz parte dos dois circuitos –
daí o nome dessa configuração.
VCC
IC ↓
RC
C
RB B
VBB Q VCE
→
IB
VBE E
O transistor controla a corrente de coletor IC por meio da
tensão coletor-emissor VCE.
A corrente IB aumenta proporcionalmente a
condutividade entre o coletor e o emissor, fazendo a
tensão VCE cair e a corrente IC aumentar.
Pelas leis de Kirchhoff, a relação entre VCE e IC é regida
pela equação:

VCE = VCC − RC I C
conhecida como reta de carga. É importante entender
os limites dessa reta de carga
Reta de carga
O transistor é um elemento passivo e não pode
fornecer energia ao sistema. De imediato, sabemos
que VCE não pode ser maior que a tensão de
alimentação VCC, e portanto a corrente IC no mínimo
será nula mas não negativa. Isso determina o
chamado ponto de corte da reta de carga, em que o
transistor funciona como uma chave aberta e se tem
IC = 0 e VCE = VCC. I ↓
V
C
CC

RC
C
RB B
VBB Q VCE
→
IB
VBE E
Por outro lado, VCE não pode se tornar negativo pois
passaria a operar como gerador. Idealmente, o limite
inferior de VCE seria 0 V, no entanto VCE não consegue
cair abaixo de uma tensão mínima conhecida como VCEsat
(VCE de saturação).
VCC
IC ↓
RC
C
RB B
VBB Q VCE
→
IB
VBE E
Tem-se assim o outro extremo da reta de carga, chamado
de ponto de saturação, no qual o transistor melhor se
aproxima de uma chave fechada, tal que VCE = VCEsat e a
corrente de coletor atinge a máxima ICsat (IC de
saturação) dada por:
VCC − VCEsat
I Csat =
RC
O VCE de saturação é fornecido nos datasheets e varia de
0,2 V (nos transistores de sinal) a alguns Volts (nos
transistores de potência).
Entre os limites de corte e saturação, o transistor pode
ser aproximado por um dispositivo linear tal que:

IC = β I B

onde β é um adimensional conhecido como ganho de

corrente.
Nos datasheets, esse parâmetro é representado pelo
símbolo hFE, e tipicamente varia de 100 a 400 (A/A) nos
transistores de sinal e ficando em torno de 50 nos
transistores de potência.
Teoricamente então seria possível colocar o
transistor em operação no meio da reta de carga
(definida pela expressão ) com tensão VCE = VCEQ e
corrente IC = ICQ arbitrários.
Assim, para uma dada tensão de entrada VBB no
circuito de base, no circuito de coletor tem-se

VBB − VBEsat
I CQ =β
RB
VBB − VBEsat (2.6)
VCEQ = VCC − β RC
RB
Lembre-se que VBEsat é tensão no diodo base-emissor
e é praticamente constante.
O ponto (VCEQ, ICQ) é chamado de ponto quiescente e
deve se situar entre os pontos de corte e saturação,
ou seja (VCC > VCEQ > VCEsat) e (0 < ICQ < ICsat).
Dissemos “teoricamente” porque na prática o ganho
não pode ser usado como parâmetro confiável.
O valor de varia muito de um transistor para outro e
também com a temperatura, com a corrente IC e com a
tensão VCE.
Por isso, a configuração emissor comum não deve
ser usada quando se precisa fazer o transistor
operar na região linear – mais adiante veremos uma
configuração mais apropriada para isso, denominada
polarização de emissor.
Modos de operação: corte, linear e saturação

CORTE:
Para deixar o transistor cortado e ter IC =0, basta zerar a
corrente.
SATURAÇÃO:
Com o ganho de corrente, podemos determinar a tensão
VBB (do circuito de base) que leva a tensão VCE (do
circuito de coletor) ao limiar de saturação.
Sendo VBBlim e IBlim a tensão e corrente de limiar, temos:
I Csat VCC − VCEsat
I B lim = =
β β RC

VBB lim = RB I B lim + VBEsat

Como IC satura em ICsat, uma corrente de base maior que
IBlim (ou equivalentemente VBB > VBBlim) a princípio não
contribui para aumentar a corrente IC (na verdade, IC
chega a aumentar um pouco devido a diminuição de
VCEsat por conta do aumento da corrente de base).
REGIÃO LINEAR:
Entre o corte e a saturação, temos o transistor operando
na região linear com tensão VCE e corrente IC impostas
pela reta de carga.
 Modos de operação

Operação IB (A) IC (A) VCE (V)

Corte (Q 0 0 VCC
aberto)
Região linear 0 < IB < β IB VCC – RC IC
ICsat/β

Saturação (Q IB > ICsat/β ICsat VCEsat

fechado)
 Saturação fraca e forte

Suponha que se queira garantir que o transistor Q do circuito

esteja saturado com uma certa tensão de entrada VBB = VBBH.
Com a equação (2.6), pode-se especificar o resistor de base RB
tal que
VBBH − VBEsat VBBH − VBEsat
RB lim = =β
I B lim I Csat
Repare que RBlim é o valor de resistência que levaria o
transistor ao limiar de saturação se o ganho de corrente β
fosse estável e conhecido com precisão. Como isso não
acontece, é necessário usar um resistor RB menor para impor
uma corrente de base IB maior que o limiar IBlim e assim
garantir a saturação do transistor.
 Saturação fraca e forte

Por exemplo, pode-se adotar uma corrente de base 5

vezes maior e assim tem-se RB = RBlim/5, o que é
equivalente a projetar o circuito de base adotando-se
um ganho β cinco vezes menor que o esperado. Esse
critério de projeto é conhecido como saturação
fraca.
Outro critério também usado é a chamada
saturação forte, em que se usa uma corrente de base
dez vezes maior e por conseguinte RB = RBlim/10 (ou
equivalentemente, adota-se um ganho β /10).
 Exemplo 1: Fonte de corrente

Uma configuração simples como o circuito

abaixo pode funcionar como uma fonte de
corrente.
 Exemplo 2: Fonte de corrente

A corrente de base pode ser calculada através da seguinte

equação:
então:

A corrente de coletor pode ser calculada como

! !
A corrente controla a corrente de coletor
através da tensão e do resistor .
Exemplo 2: Operação como chave liga-desliga

Suponha que se deseja projetar um circuito para acionar uma

lâmpada como ilustrado na figura abaixo:

• lâmpada
L: 12V @ 1.2W,
• Transistor
• Q: ,
• + ( ,
)*
• .
Um sinal na entrada do circuito (base) assume o valores
"#
$ e %&'% ( respectivamente para desligar ou ligar
a lâmpada.
Calcular o valor dos resistores e e a potência
dissipada no transistor
Exemplo 2: Operação como chave liga-desliga

A potência da lâmpada -" !. e sua tensão nominal

" ! podemos calcular a corrente através de
-" " " logo:
/0
"
0

Admitindo operação em saturação a potência do

transistor pode ser calculada como
1 2 1 3=50mW
Utilizando a lei de Kirchoff podemos escrever:
456 " 7 ( ( !
Exemplo 2: Operação como chave liga-desliga

32 38 1 2
829
13
Utilizando o conceito de saturação forte: 456
:
; <ara garantir saturação.
&= &=
Dessa forma: =
:>?@ :
Dimensionamento do resistor
2 1A
BC19
1 13
Obviamente para 1D o sistema está em
corte e 1
 Exemplo 3: Circuito NAND

Dado o circuito abaixo:

Qual o valor da tensão #E6 para uma tensão de

entrada que pode assumir os valores
"#$ , %&'% (
 Exemplo 3: Circuito NAND

Para 1D o transistor está em corte logo

2D
Quando a tensão de entrada for &F ( a corrente de
GH J
base é dada por KL
I
Admitindo que o circuito está em saturação, i.e,
456 ( então
== M >?@ J J
L OL
N
A corrente de coletor é apenas 10 vezes menor do que a
corrente de base o que indica que o sistema opera em
saturação forte.
 Exemplo 3: Circuito NAND

O circuito em questão opera como uma porta digital

NAND
 Amplificador de pequenos sinais

• Uma das principais aplicações de transistores é a

implementação de amplificadores de sinais.
• A fig. mostra um amplificador de pequenos sinais, isto é,
para sinais oscilatórios de pequena amplitude e média
nula.
VCC

RC
R1
VOUT
C1
VIN Q
R3
R2 +
RE C2
−
A tensão coletor-emissor VCEQ e a corrente de coletor
ICQ definem o ponto quiescente, isto é, a tensão e a
corrente impostas pelo circuito de polarização a que
o transistor está sujeito quando a entrada VIN se
encontra desconectada.
VCC

RC
R1
VOUT
C1
VIN Q
R3
R2 +
RE C2
−
 Cálculo da polarização do transistor

Determinação do ponto quiescente (ICQ, VCEQ)

Divisor resistivo.
Somente considera-se a parte referente ao sinal DC.
Objetivo: dimensionar resistores VCC VCC
I1 ↓ IC ↓
R1 RC
IB
VB → Q VCE
VBE
I2 ↓ ↓ IE
R2 RE
Podemos determinar IC e VCE de forma aproximada,
assumindo que o ganho de corrente β (ou hFE) do
transistor é elevado.
A polarização deve manter o transistor na região linear
(ou seja, fora da saturação), e portanto temos que IC =
βIB.
Se β é bem elevado e IC não, podemos supor que a
corrente de base IB é muito pequena e desprezível em
relação às correntes I1 e I2 que fluem pelos resistores do
divisor resistivo.
Dessa forma:

(2.11)

Com isso, a tensão VB praticamente não varia com a

corrente IB e pode ser aproximada por:
A tensão de base impõe a corrente de emissor IE. Isso
porque, como já vimos, a tensão VBE permanece
praticamente constante se a junção base-emissor estiver
conduzindo. Tem-se então:
VB − VBE
IE = ≅ I C (2.13)
RE
já aproximando IC por IE dado que IE = IC + IB e IB é muito
menor que IC, uma vez que assumimos um ganho de
corrente elevado (IB << IC).
Dessa forma, a tensão entre o coletor e o emissor pode
ser calculada por:
(2.14)

VCE = VCC − RC IC − RE I E ⇒ VCE ≅ VCC − I C (RC + RE )

Com as expressões (2.13) e (2.14) podemos estimar o
ponto de operação quiescente (ICQ, VCEQ) do
circuito.
Devemos uma corrente ICQ baixa, da ordem de mili-
Amperes, para minimizar a potência quiescente
desperdiçada.
Escolhemos RC e RE de modo a deixar a tensão do coletor
(VCQ) próximo à VCC/2 (metade da tensão de
alimentação), e o emissor (VEQ) próximo à zero (na
prática, de 5 a 10% de VCC).
Quando o amplificador estiver em operação, a tensão VCE
poderá excursionar por uma faixa mais ampla, tanto para
cima como para baixo.
Por exemplo, podemos adotar:
VC = VCC − RC I C ≅ 0,5VCC e VE ≅ I C RE < 0,1VCC
Os resistores R1 e R2 devem ser escolhidos seguindo a
expressão para estabelecer na base do transistor a tensão
VB = VE + VBE, com VBE = 0,6 V (para transistores de
silício).
Ao final convém verificar se nossa suposição inicial, dada
pela expressão (2.11), é satisfeita. Ou seja, verifique se:

Se não for o caso, basta utilizar resistores R1 e R2

menores para aumentar a corrente no divisor resistivo
 Análise do amplificador

Sinais AC.
VCC

RC
Para um sinal VIN, a R1
VOUT
C1
saída VOUT é VIN Q
invertida. R2
R3
+
RE C2
Sinal oscila em torno −

(VCQ)
VOUT
Sinal pode saturar VCC

como indicado. V
IN

VCQ
t

VEQ
t
O sinal VIN é injetado na base do transistor através
de um capacitor de desacoplamento.
O capacitor elimina o nível DC imposto na base pela
polarização, pois sua impedância tende a zero em
altas frequências e apenas as componentes
alternadas do sinal são injetadas na base do
transistor.
As componentes AC do sinal causam variações na
tensão de base, que são amplificadas e modulam a
tensão VCE do transistor.
O fator de amplificação neste caso o não é o ganho de
corrente , mas a relação exponencial entre a corrente
IE de emissor e a tensão VBE sobre a junção base-
emissor, conhecida como modelo de Ebers-Moll,
dada por: VBE

I E (VBE ) = I S e VT − I S
Assim, pequenos sinais injetados em VBE causam
grandes variações na corrente de coletor do
transistor.
No entanto, como esta relação não é linear, as
flutuações em VBE devem ser de pequena amplitude
para que o sinal de saída não seja distorcido
significativamente.
onde IS (corrente de saturação reversa) é a pequena
corrente de fuga que circula entre o emissor e a base
quando essa junção está reversamente polarizada, e é da
ordem de nano-Amperes (nA).
A tensão VT varia com a temperatura e deriva do
princípio quântico de funcionamento do transistor. Seu
valor é dado por:
kT
VT =
q
onde k é a constante de Boltzmann (1,38 x 10-23 J/K), q é a
carga elementar do elétron (1,60 x 10-19 C), e T é a
temperatura da junção base-emissor, em Kelvin.
Considerando-se apenas sinais AC de pequena
amplitude, o sistema pode ser aproximado pelo circuito
da fig. abaixo, onde o transistor foi substituído por uma
fonte de corrente controlada por dVBE , variações emVBE

RC

C δVOUT
δVBE δIE(δVBE)
δVIN
B E rE
RE R3
Note que, na análise AC, a fonte de alimentação se
comporta como um ponto de terra, uma vez que a tensão
sobre ela não varia (dVCC = 0).
Além disso, o resistor R3 foi aterrado, uma vez que o
capacitor C2 funciona como um curto-circuito para altas
frequências
RC

C δVOUT
δVBE δIE(δVBE)
δVIN
B E rE
RE R3
Conforme mostra a figura, a resistência vista pelo
emissor cai para um valor denominado rE, que é
resultado da associação em paralelo entre RE e R3,
(2.19)

Se o ganho de corrente β do transistor é muito alto,

podemos admitir que os circuitos de base e de coletor são
independentes.
Ou seja, desprezando-se a corrente de base IB, pode-se
admitir que a tensão de base VB praticamente não varia,
mesmo que haja oscilações na corrente de coletor IC.
Desta forma, o sinal de entrada dVIN pode ser escrito
como:
δ VIN = δ VBE + rE .δ I E (2.20)
Admitimos também que IC é aproximadamente igual
a IE, o que também é válido se β é elevado. Tem-se
dessa forma que o sinal AC resultante na saída será
dado por
δVOUT = − RC .δI E
Linearizando a expressão
VBE

I E (VBE ) = I S e VT
− IS

em torno do ponto de operação quiescente de IE,

temos

∂I E
δVOUT = − RC δVBE (2.22)
∂VBE I E = I EQ
A derivada parcial acima representa o inverso da
chamada transresistência rTR.
Desprezando o termo –IS na expressão e lembrando
que as correntes IE e IC são próximas se β é alto,
temos que

(2.23)
A expressão do ganho G do amplificador é dado pela
razão entre os sinais de saída e de entrada. Usando as
igualdades (2.22) e (2.23), temos
δ VOUT RC δ VBE 1
G= =−
δ VIN r TR δ VIN
A relação dVBE/dVIN pode ser calculada derivando-se a
expressão (2.20) , ou seja,

∂VIN ∂I E ∂VBE rTR

= 1 + rE ⇒ =
∂VBE ∂VBE I E = I EQ
∂VIN rTR + rE
de tal forma que o ganho final pode ser aproximado
simplesmente por
δVOUT RC
G= =−
δV IN r TR + rE

com rE dado pela expressão (2.19) e rTR definido pela

expressão (2.23).
Note que o ganho é negativo. Isso significa que,
aplicando-se um sinal senoidal de pequena amplitude na
entrada, o sinal senoidal de saída estará defasado de 180o
em relação ao sinal de entrada.
 Dimensionamento dos capacitores

Na análise que fizemos, admitimos que as

impedâncias dos capacitores C1 e C2 são muito baixas
na frequência de operação do amplificador.
Portanto, para dimensioná-los, temos que definir
uma frequência nominal em torno da qual o
amplificador deverá funcionar.
Vamos representar essa frequência nominal por ωN
(em rad/s), ou fN (em Hz).
Comecemos dimensionando o capacitor C2, que está
em série com o resistor R3. A impedância
equivalente dessa associação é dada pela soma das
impedâncias de C2 e de R3.
Ao definir a resistência de emissor rE pela expressão ,
assumimos que a impedância de C2 é desprezível
com relação a R3 em regime senoidal.
Portanto, o capacitor C2 deve ser suficientemente
grande para que sua impedância na frequência
nominal seja muito menor que a resistência de R3.
Ou seja,
O capacitor C1 está em série com a fonte de sinal VIN.
Apenas sinais de alta frequência conseguem passar pelo
capacitor e atingir a base do transistor.
C1
B
δV B
δVIN rIN
Como mostra a fig., do ponto de vista da fonte dVIN de
pequenos sinais, todo o circuito do amplificador equivale
a uma única resistência, chamada de resistência de
entrada, representada na figura por rIN. O ponto B
corresponde à base do transistor.
Para que o sinal no ponto B seja próximo do sinal de
entrada, o capacitor C1 deve ser grande o suficiente para
que sua impedância na frequência nominal seja muito
menor que a resistência equivalente de entrada, ou seja