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1 AMPLIFICATEUR A LIAISONS CONTINUES

On considère le montage amplificateur à liaisons continues de la figure suivante, composé de deux étages, qui utilisent à la température de 25 °C, des transistors NPN intégrés identiques ayant le même courant I SBC et possédant :

• Un gain en courant β = 200

• Une tension de Early très importante

Les sources de courant I 1 et I 2 sont supposées idéales c’est-à-dire que leur résistance interne R i est infinie.

e g

+V CC = +15 V C 2 R 1 T 3 K C 1 B
+V CC = +15 V
C
2
R
1
T
3
K
C
1
B
T
3
4
I
C1
I C2
0
V
T 1
T 2
v s1
+
R
2
0 V
v e
E
-
B
2
I
v s
2
R i ∞
I
R i ∞
1
1 mA
- V EE
= -15 V
1° étage amplificateur
2 ° étage amplificateur

L’interrupteur K est ouvert pour isoler le premier étage.

1. Au repos, pour eg = 0 V, montrer que les transistors T 1 et T 2 ont le même courant de collecteur.

2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du premier étage.

3. Déterminer les expressions de la résistance d’entrée R e1 du premier étage ainsi que son gain en tension A 1 = v s1 / v e .

4. On désire obtenir :

Un gain en tension A 1 de –200

Une résistance d’entrée de 250 k

Calculer la valeur à donner à la résistance R 1 et à la source de courant I 1 .

1 © Ph. Roux 2005

http://rouxphi3.perso.cegetel .net

5. Déterminer l’expression de la résistance de sortie R s1 du premier étage.

Cette résistance étant trop importante, on ferme K. Le générateur de courant I 2 est fixé à 1 mA. On admettra que le courant de base de T 3 est faible devant le courant de collecteur de T 1 .

6. Quel est le montage utilisé dans la réalisation du 2° étage ?

7. Au repos, pour e g = V E = 0 V, on désire obtenir une tension de sortie V S nulle. Dans ces conditions, calculer la valeur de la résistance R 2 .

8. On désire déterminer la résistance de sortie R s du montage complet. Donner le schéma d’analyse en utilisant la méthode de « l’ohmmètre ». Déterminer alors l’expression de R s et Faire l’application numérique.

CORRIGE

Q1 : V E = 0 = V BE1 –V BE2 . Selon la loi des transistors intégrés identiques : I

C

déduit que : I C1 = I C2 .

=

I

SBC

exp(

V BE

U

T

), on en

Q2 :

B 1

v be1 E i r b1 be i b2 β.i b1 v e r be
v be1
E
i
r
b1
be
i
b2
β.i b1
v e
r be
v be2
β.i b2
R 1
v s1
B
2

Q3 : Equation au nœud E : (β + 1)

v

e

=

r

be

(

i

b

−=)

i

b

12

2

ri

be

b

1

i

b

1

+ (β + 10)

i

b

2

=

ii

bb

12

=

v e D’où = = 2 r R e 1 be i b 1 Sachant
v
e
D’où
=
= 2 r
R e 1
be
i
b 1
Sachant que : v s1 = -β. R 1 . i b1
R
1
A 1 = − β
2
r be
U
Q4 : R 1 = 250 kΩ
avec : r
= β
T
, on en déduit : I 1 = 80 µA.
be
I
C

Q5 : On exploite la méthode de « l’ohmmètre » : faire e g nul et rechercher l’expression du rapport u/i du générateur placé en sortie.

B 1

v be1 E i b1 r be i b2 β.i b1 r be v be2
v be1
E
i b1
r be
i b2
β.i b1
r be
v be2
+
i
β.i b2
u
R 1
-
B
2

R

S 1

=

R

1

u

// β. i

b

1

Sachant que la tension d’entrée v e est nulle, v e = 2r be .i b1 entraîne que le courant de commande i b1 est aussi nul, donc (β.i b1 ) est nul.

Dans ces conditions, R S1 = R 1 = 250 k.

Q6 : Montage collecteur commun de type « Darlington ».

Q7 :

e g

+V CC = +15 V C 2 R 1 T 3 5V K C 1
+V CC = +15 V
C
2
R
1
T
3
5V
K
C
1
B
T
3
4
I
I
0
V
C1
C2
3,8V
T 1
T 2
v s1
+
R
0 V
2
v e
E
-
B 2
I
2
R i ∞
v s
I 1
R i ∞
1 mA
- V EE
= -15 V

La résistance R 2 est égale à 3,8 k.

Q8 :

B 4 E 4 B 3 i r be3 r b3 i b4 be4 R
B 4
E 4
B
3
i
r
be3
r
b3
i b4
be4
R
2
i
+
R
1
β.i b3
β.i b4
u
1
-
u
1
=
u Ri
u
=
+
u
R
=+
R
R s
i 21
s
2
i
u
=−
ri
.(−
Rr
+
)
i
avec : (β + 1)
i
=−
i
(β + 1)
ii
=
1
be 44b
1
be 3
b 3
b
4
bb
34
i
i b3
2
= − (β +
1 )

u

R

R

u

1

=+=+

R

r

be

4

+

rR

be

+

31

= 3 8 k

,

s

2

i

2

β

+ 1

(β

+ 1

)

2