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GénieGénie TélécomTélécom && RéseauxRéseaux 22 Technologies de fabrication des CIs Pr.Pr. MalikaMalika
GénieGénie TélécomTélécom && RéseauxRéseaux 22
Technologies de fabrication
des CIs
Pr.Pr. MalikaMalika ALAMIALAMI MARKTANIMARKTANI
malika.alamimarktani@gmail.commalika.alamimarktani@gmail.com
AU:AU: 2018/20192018/2019
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Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques  1947 Invention hasardeuse du transistor bipolaire (Bardeen,
Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques
 1947 Invention hasardeuse du transistor bipolaire
(Bardeen, Bratten, Schokley) Ge, Bell Laboratories
 1949 Invention du transistor unipolaire (Schokley)
1950 Besoins de la guerre:
Réduction de la taille, du poids et de la consommation des
circuits
Intégration
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques  1958 1 er Circuit intégré (CI), 2 transistors
Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques
 1958 1 er Circuit intégré (CI), 2 transistors au germanium (Ge)
par Jack KILBY
Premiers CI de Jack Kilby, TI et Fairschild
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques  1960 TI & Fairshild 1 er CI de
Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques
 1960 TI & Fairshild 1 er CI de 10 transistors
Circuit intégré (CI) ou (IC)? = Chip = puce
 CI= qlq mm 2 ou cm 2 Ex:
un chip de 256 Mb DRAM: 150 - 200 mm 2 ;
un pentium: quelques cm 2 ;
chips dans cartes à puce: 2 à 20 mm 2
 Ensemble très dense de dispositifs électroniques ayant une
fonction définie (résistances, condensateurs, diodes, transistors) Ex:
1Gb DRAM: 1.5 milliards de transistors, 1.1 milliards de
condensateurs
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés  Fabriqués en général sur un substrat en Silicium (Si), élément
Technologie des circuits intégrés
 Fabriqués en général sur un substrat en Silicium (Si), élément le plus
répandu sur terre après l’oxygène: 26%
 Incorporés dans tous les appareils électriques ou électroniques et dans la
plupart des objets situés autour de nous (PC, montre, tel, fax, copieur,
grille pain, autos, cartes à puce, …)
 Différents types de puce: microprocesseur, mémoire, capteurs, micro-
contrôleurs, etc…
 Fabriqués sur plaquettes de Si de 4, 5, 6, 8 ou 12 pouces de diamètre (1
pouce= 27.07 mm)
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés  Les premiers CI ont été dominés par la technologie bipolaire.
Technologie des circuits intégrés
 Les premiers CI ont été dominés par la technologie bipolaire.
 La
technologie
MOS
est
arrivée
plus
tard
à
cause
des
recherches d ’oxydes de grille stables et fiables
 Deux types de fonctionnement:
Analogiques: tous les niveaux de tension, Pb: circuits complexes
(linéarités des éléments)
Logiques: 2 niveaux (H (1) & B (0)), mise en cascade des éléments
et donc meilleure intégration. (FET, MOS, Bi. )
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC) Trois phases: 1.Phase des
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)
Trois phases:
1.Phase des découvertes
2.Phase de Développement technologiques & Dispositifs
3.Phase de production de masse
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC) 1. Phase des découvertes 
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)
1. Phase des découvertes
 Principes, théories, invention du transistor
 Naissance de la Silicon Valley:
 Shockley Semicondutor Lab. in 1955
 Fairchild Semiconductor Corp. in 1957
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC) 2.Phase de Développement
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)
2.Phase de Développement technologiques & Dispositifs
 SiO 2 pour passiver la surface du Si 1958
 Procédé planar 1960 (J.Hoerni, un suisse)
 Si MOSFET 1960
 Grille flottante pour mémoires non volatiles (NVM) 1961
 CMOS 1962
 1 er MOSFET commercial 1964
 1T DRAM 1967
 Intel 1968
AU 2018/2019
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Technologie des circuits intégrés Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC) 3. Phase de production de masse
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)
3. Phase de production de masse
L'échelle d'intégration défini le nombre de portes par boîtier
:
• SSI (small scale integration) petite : inférieur à 12
• MSI (medium) moyenne : 12 à 99
• LSI (large) grande : 100 à 9999
• VLSI (very large) très grande : 10 000 à 99 999
• ULSI (ultra large) ultra grande : 100 000 et plus
AU 2018/2019
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Phases de fabrication d’un circuit intégré Silice (SiO 2 ) (nature: sable) Encapsulation Puces ou
Phases de fabrication d’un circuit intégré
Silice (SiO 2 )
(nature: sable)
Encapsulation
Puces ou CI
Plaquettes de Si
Découpe
Design, Layout &
Technologie
Wafer structuré
Lingot de Si (mono)
AU 2018/2019
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Propriétés électriques du SI
Propriétés électriques du SI
Propriétés électriques du SI Qu’est-ce qu’un semi-conducteur? AU 2018/2019 13
Propriétés électriques du SI
Qu’est-ce qu’un semi-conducteur?
AU 2018/2019
13
Propriétés électriques du SI Semi-conducteurs usuels AU 2018/2019 14
Propriétés électriques du SI
Semi-conducteurs usuels
AU 2018/2019
14
Propriétés électriques du SI Tableau périodique des éléments AU 2018/2019 15
Propriétés électriques du SI
Tableau périodique des éléments
AU 2018/2019
15
Propriétés électriques du SI La structure cristalline du Si AU 2018/2019 16
Propriétés électriques du SI
La structure cristalline du Si
AU 2018/2019
16
Propriétés électriques du SI Porteurs de charge dans le Si AU 2018/2019 17
Propriétés électriques du SI
Porteurs de charge dans le Si
AU 2018/2019
17
Propriétés électriques du SI Concentration intrinsèque n i AU 2018/2019 18
Propriétés électriques du SI
Concentration intrinsèque n i
AU 2018/2019
18
Propriétés électriques du SI Concentration intrinsèque n i AU 2018/2019 19
Propriétés électriques du SI
Concentration intrinsèque n i
AU 2018/2019
19
Structure de bandes Bandes d’énergie du Si intrinsèque AU 2018/2019 20
Structure de bandes
Bandes d’énergie du Si intrinsèque
AU 2018/2019
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Structure de bandes Diagrammes de bandes d’énergie (T=0) AU 2018/2019 21
Structure de bandes
Diagrammes de bandes d’énergie (T=0)
AU 2018/2019
21
Structure de bandes Génération thermique et recombinaison AU 2018/2019 22
Structure de bandes
Génération thermique et recombinaison
AU 2018/2019
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Propriétés électriques du SI Effet de la température sur la résistivité AU 2018/2019 23
Propriétés électriques du SI
Effet de la température sur la résistivité
AU 2018/2019
23
Dopage SC extrinsèques: dopage par donneurs AU 2018/2019 24
Dopage
SC extrinsèques: dopage par donneurs
AU 2018/2019
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Dopage SC extrinsèques: dopage par donneurs AU 2018/2019 25
Dopage
SC extrinsèques: dopage par donneurs
AU 2018/2019
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Dopage SC extrinsèques: dopage par accepteurs AU 2018/2019 26
Dopage
SC extrinsèques: dopage par accepteurs
AU 2018/2019
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Dopage SC extrinsèques: dopage par accepteurs AU 2018/2019 27
Dopage
SC extrinsèques: dopage par accepteurs
AU 2018/2019
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Dopage Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés AU 2018/2019 28
Dopage
Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés
AU 2018/2019
28
Dopage Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés AU 2018/2019 29
Dopage
Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés
AU 2018/2019
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Dopage Concentration des porteurs de charge à l’équilibre AU 2018/2019 30
Dopage
Concentration des porteurs de charge à l’équilibre
AU 2018/2019
30
Dopage Remarque: AU 2018/2019 31
Dopage
Remarque:
AU 2018/2019
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Résumé AU 2018/2019 32
Résumé
AU 2018/2019
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Phases de fabrication d’un circuit intégré 1- Elaboration du substrat 2- Réalisation des couches actives
Phases de fabrication d’un circuit intégré
1- Elaboration du substrat
2- Réalisation des couches actives
3- Oxydation
4- Dépôts
5- Gravure
6- Photolithogravure
7- Assemblage et montage
AU 2018/2019
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Elaboration du substrat
Elaboration du substrat
Phases de fabrication d’un circuit intégré 1- Elaboration du substrat a. Méthode de Czochralski b.
Phases de fabrication d’un circuit intégré
1- Elaboration du substrat
a. Méthode de Czochralski
b. Méthode de zone flottante ou zone fondue
c. Découpe et arrangement des plaquettes
2- Réalisation des couches actives
3- Oxydation
4- Dépôts
5- Gravure
6- Photolithogravure
7- Assemblage et montage
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat Le silicium existe en grande quantité à la
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat
Le silicium existe en grande quantité à la surface du globe
terrestre. C'est le deuxième élément le plus fréquent de la
croûte terrestre ; O 2 (46%), Si (28%), Al (8%). Sa
température de fusion est de 1415°C, qui est donc assez
élevée, et son affinité chimique est forte à haute
température.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat C'est donc un matériau avec une bonne cohésion
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat
C'est donc un matériau avec une bonne cohésion et donc
une bonne stabilité thermique.
Les sources naturelles sont essentiellement les silicates
(sable, etc
)
mais aussi zircon, jade, mica, quartz, donc du
SiO 2 sous diverses formes et plus ou moins de
contaminants (qui lui donnent des couleurs différentes).
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat Ainsi, le silicium existe essentiellement sous forme oxydée
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat
Ainsi, le silicium existe essentiellement sous forme oxydée
et nécessite d'une part d'être réduit et d'autre part d'être
purifié afin d'obtenir un matériau dit de qualité électronique
ou EGS (Electronic Grade Silicon).
 Cristallisation de
bains de Si poly-cristallin fondu pour
obtenir des Lingots de Si mono-cristallin
 Pureté 9-neuf (nine-9) c.à.d 99.9999999% (~1impureté
pour 10 9 atomes)
 On utilise généralement 2 techniques de croissance:
 Méthode de Czochralski ou tirage et
 la méthode de zone flottante
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski La charge, mise dans un
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski
La charge, mise dans un creuset en graphite, est fondue. A partir d'un
germe, on effectue un tirage progressif du lingot moyennant des
conditions très précises (températures du creuset de charge fondue, de
l'enceinte, gradient de température, transfert de chaleur, vitesse de
tirage du germe, etc
).
On obtient des lingots de différents diamètres
suivant la vitesse de tirage. Cette méthode de tirage est appelée
"Czochralski". Notons que la différence de vitesse de diffusion des
espèces entre la phase liquide et la phase solide entraîne une
modification de la concentration relative des espèces le long du lingot.
C'est en particulier vrai pour la concentration de dopant qui implique que
la résistivité ne sera pas constante le long du lingot, toute chose égale
par ailleurs.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski L'évolution de la dimension des
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski
L'évolution de la dimension des lingots a été liée à l'évolution de
la maîtrise des procédés et des équipements associés avec
comme but l'augmentation du rendement de fabrication et la
diminution des coûts de production par circuit intégré réalisé.
Ainsi, en moins de 30 ans, le diamètre des plaquettes a varié.
1964
: 25 mm
1969
: 50 mm
1974
: 75 mm
1978
: 100 mm
1982
: 125 mm
1985
: 150 mm
1990
: 200 mm
1998
: 300 mm
Evolution de la taille des substrats de silicium depuis le début des CI
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski AU 2018/2019 41
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski
AU 2018/2019
41
Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski Tirage d'un lingot par la
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski
Tirage d'un lingot par la technique Czochralski. Le diamètre du
lingot est lié aux paramètres physiques en cours de tirage.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski AU 2018/2019 43
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski
AU 2018/2019
43
Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante zone flottante ou zone
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante
zone flottante ou zone fondue
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante Cristallisation du lingot et
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante
Cristallisation du lingot et purification par la méthode de fusion de
zone. Au cours du déplacement de la zone fondue, les impuretés
dopantes ou non dopantes se redistribuent dans le lingot.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante  Barreau de Si
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante
 Barreau de Si poly-cristallin placé, en contact avec un germe
de Si monocristallin (orientation), dans un tube en quartz sous
vide.
 Le poly-Si est porté à sa température de fusion à l ’aide du
four à induction.
 Le four se déplace vers le haut et en même temps la zone
fondue.
 Les impuretés étant contenues dans la phase liquide, En
faisant
plusieurs
fois
le
balayage
du
bas
en
haut,
les
impuretés sont ramenées vers le pied et le monocristal est
raffiné.
Utilisée pour avoir des matériaux très résistifs ( 
100cm) et contenants moins d ’impuretés
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: résultat final AU 2018/2019 47
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: résultat final
AU 2018/2019
47
Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: traitements finaux Equeutage du lingot: Cette opération consiste
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux
Equeutage du lingot:
Cette opération consiste à éliminer les extrémités du lingot soit mal
cristallisées soit riches en impuretés (surtout si la technique de
croissance a été la fusion de zones ).
Contrôle de résistivités sur les extrémités du lingot :
En raison de la variation de la concentration d'impuretés lors tirage du
lingot, la résistivité finale varie en fonction de la position. Une
vérification des spécifications (gamme de variation) est nécessaire.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: traitements finaux Repérage cristallographique du lingot par méthode
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux
Repérage cristallographique du lingot par méthode de diffraction
des rayons X :
Il sera nécessaire de connaître les orientations cristallographiques afin
d'effectuer en fin de fabrication la découpe suivant les axes
cristallographiques. Après repérage, on crée un méplat servant de
référence (plan 100 par exemple).
Polissage cylindrique :
Lors du tirage, le diamètre du lingot varie légèrement ce qui constitue
des ondulations à sa surface. Pour obtenir des plaquettes de même
diamètre un polissage cylindrique est nécessaire.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: traitements finaux Découpage des plaquettes : Ce découpage
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux
Découpage des plaquettes :
Ce découpage s'effectue à l'aide d'une scie diamantée de 400 µm
d'épaisseur environ pour les lingots de diamètre important. Des
techniques de coupes par scie à fil commencent à être utilisées chez de
nombreux fabricants. Dans ce dernier cas, les pertes de coupes sont
plus faibles.
Compte tenu de l'équeutage et du polissage 50% à 60% du lingot est
éliminé. En pratique, les plaquettes de dimension supérieure à 150 µm
font au moins 500 µm d'épaisseur en cours de procédé afin d'éviter une
fragilité mécanique. Cette épaisseur est réduite à 250 - 300 µm avant
découpage (étape d'amincissement) afin de faciliter les échanges
thermiques (voire électriques) avec le support de puce dans les boitiers.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: traitements finaux Traitement thermique : Le sciage crée
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux
Traitement thermique :
Le sciage crée des contraintes mécaniques dans le cristal. Il faut relaxer
le cristal par une montée en température (recuit) à des températures de
l'ordre de 600°C à 700°C. A ces températures, les énergies propres des
atomes sont suffisantes pour leur permettre de se repositionner dans les
sites cristallins.
Tri des plaquettes en fonction des épaisseurs :
Les épaisseurs après découpe pourront être sensiblement différentes. Il
faut donc limiter la quantité de matière à éliminer par le polissage (le tri
se fait par gamme de 10 µm par exemple)
AU 2018/2019
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Phases de fabrication 1- Elaboration du substrat: traitements finaux Test de résistivité des plaquettes ,
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux
Test de résistivité des plaquettes , tri final en fonction des
résistivités :
Afin de sélectionner les lots pour les clients, un tri en fonction de la
résistivité est effectué.
Repérage - marquage :
Un marquage de lots, lingots, date, etc
, est réalisable à l'aide d'un
faisceau laser. Cela permet de suivre la plaquette tout au long des
étapes de fabrication.
AU 2018/2019
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Phases de fabrication d’un circuit intégré 1- Elaboration du substrat 2- Réalisation des couches actives
Phases de fabrication d’un circuit intégré
1- Elaboration du substrat
2- Réalisation des couches actives
a. Diffusion Thermique
b. Implantation ionique
c. Epitaxie
3- Oxydation
4- Dépôts
5- Gravure
6- Photolithogravure
7- Assemblage et montage
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives  Leurs propriétés électroniques sont différentes de celles du substrat;
2- Réalisation des couches actives
 Leurs propriétés électroniques sont différentes de celles du
substrat; deux méthodes pour les obtenir:
 Le sur-dopage des régions superficielles du substrat par
diffusion thermique ou implantation ionique. On réalise
des couches de type: N + /N; P + /P; P + /N; N + /P.
 Croissance par épitaxie d’une couche monocristalline sur
le substrat. Le dopage est du même type ou de type
différent de que celui du substrat. On peut réaliser les
couches de type : N/N + ; N/P + ; P/N + ;P/P + .
AU 2018/2019
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La diffusion thermique
La diffusion thermique
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique La diffusion est un procédé de dopage, qui
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
La diffusion est un procédé de dopage, qui correspond à la
tendance à l'étalement d’atomes ou molécules grâce à une
excitation énergétique apportée par la chaleur.
Suivant le milieu dans lequel se déplacent ces atomes ou
molécules , l'étalement sera plus ou moins grand.
A température ambiante le phénomène de diffusion sera:
 très important dans un milieu gazeux,
 plus faible dans un milieu liquide et
 pratiquement nul dans un milieu solide.
AU 2018/2019
56
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un
cristal, il faudra chauffer le matériau à des températures voisines
de 1000°C.
Nous nous intéresserons essentiellement aux mécanismes de
diffusion dans le milieu solide, sachant qu'il est possible d'utiliser
aussi des mécanismes en milieu gazeux voire liquide au niveau
des mises en œuvre technologiques de procédés particuliers.
AU 2018/2019
57
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique  Utilisable uniquement pour les matériaux thermiquement
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
 Utilisable uniquement
pour les
matériaux thermiquement
stables. Elle se fait en deux étapes:
 les plaquettes sont portées à une température voisine de
1000°C
en
présence
des
atomes
dopants.
Dopants
diffusent dans le substrat
 Drive-in
ou
diffusion
de
redistribution:
traitement
thermique des
plaquettes
en
absence des atomes
dopants. Les dopants pénètrent plus profondément dans
le substrat.
AU 2018/2019
58
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Atomes d ’impuretés Atomes de Si 1 ère
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Atomes d ’impuretés
Atomes de Si
1
ère
étape:
2 ème étape:
Diffusion: Dopants en surface
Redistribution: Dopants
pénétrant plus dans le substrat
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Procédés de diffusion:  Les procédés de diffusion
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Procédés de diffusion:
 Les procédés de diffusion vont dépendre de la nature des sources
de dopants. Il existe trois grands types de sources qui permettent de
fournir les éléments dopants que l'on doit faire pénétrer dans les
substrats.
 Ces sources sont: gazeuses, liquides ou solides.
AU 2018/2019
60
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses
Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses. Les gaz
dopants sont entraînés par un gaz porteur neutre, tel que l'azote.
AU 2018/2019
61
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses
 Les sources gazeuses sont les gaz tels que l'Arsine, AsH 3 , la
phosphine, PH 3 ou le diborane B 2 H 6 .
 Il circule en permanence un gaz neutre (azote) afin d'éviter
toute pollution par des éléments venant de l'atmosphère
ambiante. Cet azote doit être très pur afin de ne pas polluer le
four.
 Bien qu'a priori ces gaz soient simples à mettre en œuvre, ils
sont par contre très dangereux puisque létaux pour l'homme à
quelques ppm de concentration.
 On leur préfère des sources liquides telles que POCl 3 ou BBr 3
qui sont liquides à température ambiante mais facilement
vaporisées pour être introduites dans des fours de diffusion.
AU 2018/2019
62
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses:
Conditions limites
La concentration en surface dans le milieu ambiant est
constante ce qui signifie qu'en phase solide, en surface la
concentration, Cs, est aussi constante.
La condition limite s'écrira donc : C(0, t) = Cs (quel que soit
le temps en x=0)
La deuxième condition est une condition initiale, qui
suppose que la concentration de l'espèce à diffuser est
initialement nulle (ou négligeable) dans le substrat.
Cette condition s'écrit donc : C(x, 0) = 0 (quel que soit x à
t=0)
AU 2018/2019
63
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources liquides
Les ballons contenant les liquides sont chauffés pour vaporiser le
liquide afin de le faire pénétrer dans le four.
AU 2018/2019
64
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources solides
 Les
sources
solides
sont
des
verres
contenant
les
dopants tels que
nitrure de bore ou verre
dopé au
phosphore.
 Ces sources se présentent sous forme de plaquettes et
sont en général introduites dans le four en alternance
avec les plaquettes à doper.
 Les plaquettes de verre dopé permettent de réaliser un
dépôt sur les substrats montés sur une nacelle (ou porte
substrats).
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources solides
AU 2018/2019
66
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Diffusion dans un four à partir de sources
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Diffusion dans un four à partir de sources solides
Les
verres
s'évaporent
et
se
déposent
sur
les
plaquettes.
 Après retrait des sources solides, les éléments dopants
sont diffusés vers l'intérieur du substrat par une étape
thermique (à haute température).
 En pratique, avant l'étape de diffusion, on élimine le
verre déposé par gravure chimique, la quantité de
dopant introduite dans le substrat en surface durant le
dépôt étant suffisante.
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2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique Profils de dopage: AU 2018/2019 68
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique
Profils de dopage:
AU 2018/2019
68
L’implantation ionique
L’implantation ionique
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique L’opération consiste à introduire des atomes ionisés
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
L’opération consiste à introduire des atomes ionisés projectiles
avec suffisamment d'énergie pour pénétrer dans l'échantillon
cible (en général une plaquette).
Cette pénétration ne s'effectue que dans des régions de surface.
Utilisée pour les matériaux thermiquement instables et chaque
fois que l’on souhaite élaborer une couche active d ’épaisseur
faible et bien contrôlée.
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Cette opération est essentiellement utilisée pour doper le
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Cette opération est essentiellement utilisée pour doper le
semiconducteur durant la fabrication des dispositifs: création de
zones de source ou de drain d'un transistor MOS, d'une base et
d'un émetteur dans un transistor bipolaire.
Les atomes dopants sont en général : B, P, As, In, etc
Les énergies des atomes ionisés peuvent être dans la gamme
3keV à 500keV.
En fonction de la nature du matériau implanté, de la nature de
l'ion accéléré et de l'énergie d'accélération la profondeur
moyenne de pénétration peut aller de 100 Å à 1 mm.
En
effet,
un
calcul
approximatif
montre
qu'une
centaine
d'électron-volts est perdue par couche atomique (environ 2,5 Å).
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Intérêt de cette technique: Elle permet un contrôle
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Intérêt de cette technique:
Elle permet un contrôle précis de la quantité totale d'atomes
implantés (dose d'implantation) et du profil de concentration du
dopant.
Cette précision permet en particulier:
 l'ajustement de la valeur du gain en courant d'un transistor
bipolaire ou
l'ajustement de la tension de seuil d'un transistor MOS (choix
de la nature d'un transistor – à enrichissement ou à
appauvrissement).
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Inconvénients:  Le bombardement d'un monocristal par
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Inconvénients:
 Le bombardement d'un monocristal par des atomes crée des
dommages dans la structure cristalline implantée.
 Il y a donc nécessité de restituer la cristallinité du matériau ;
ceci est réalisé par un recuit thermique.
 Ce recuit thermique permet aussi une redistribution des
atomes dopants et donc une modification du profil de dopage
par phénomène de diffusion.
 Notons que ce recuit peut aussi permettre l'activation du
dopant implanté (passage en site substitutionnel)
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Cristal avant implantation Cristal après implantation AU
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Cristal avant implantation
Cristal après implantation
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Cristal recuit AU 2018/2019 75
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Cristal recuit
AU 2018/2019
75
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique L’implanteur L'implanteur est en pratique un
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
L’implanteur
L'implanteur est en pratique un accélérateur d'ions.
Il est composé des parties suivantes :
 Un générateur des ions à partir d'une source solide, liquide
ou gazeuse dans un plasma excité à 25kV,
 Un sélectionneur des ions par champ magnétique effectuant
le tri par le rapport masse sur charge,
 Un
accélérateur
des
ions
à l'énergie d'implantation
souhaitée.
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique L’implanteur L'implanteur est composé des parties
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
L’implanteur
L'implanteur est composé des parties suivantes :
 des lentilles électrostatiques pour la mise en forme du
faisceau d'ions,
 Un dispositif de balayage en x et y afin d'implanter de façon
uniforme les plaquettes.
 Un déviateur du faisceau pour éliminer les ions neutralisés sur
le parcours et qui ne pourraient être dénombrés,
 Une chambre d'implantation.
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Schéma simplifié d'un implanteur ionique d'énergie
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Schéma simplifié d'un implanteur ionique d'énergie
d'accélération maximale de 200keV
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Schéma simplifié d'un implanteur ionique AU 2018/2019 79
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Schéma simplifié d'un implanteur ionique
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique La dose implantée Celle-ci se mesure en nombre
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
La dose implantée
Celle-ci se mesure en nombre d'atomes par unité de surface.
Cette mesure est possible car le flux d'ions atteignant la surface
de l'échantillon correspond à un courant.
L'intégration du courant pour une surface bien définie sur la
durée de l'implantation permet de mesurer la dose.
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Mesure de la dose par intégration du courant
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Mesure de la dose par intégration du courant d'ions sur
une surface étalonnée
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Profil de concentration Les ions incidents vont perdre
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Profil de concentration
Les ions incidents vont perdre leur énergie par chocs successifs
avec les atomes du réseau cristallin.
Ceci explique d'une part, la dispersion des trajectoires et d'autre
part, que l'on définisse statistiquement une profondeur
moyenne de pénétration.
La statistique qui convient assez bien est gaussienne. Nous
définissons ainsi deux paramètres :
 la profondeur moyenne de pénétration (range en anglais).
 l'écart
moyen
latéral
(perpendiculaire
à
la
direction
d'implantation).
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Évolution d'un ion à travers le cristal L’ion
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Évolution d'un ion à travers le cristal
L’ion crée des défauts ponctuels et amorphise les zones voisines
de la trajectoire. Sa trajectoire est déviée aléatoirement par les
atomes du cristal.
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Illustration de profils latéraux après implantation à
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Illustration de profils latéraux après implantation à
travers un masque
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Avantages de l’implantation ionique AU 2018/2019 85
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Avantages de l’implantation ionique
AU 2018/2019
85
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Avantages de l’implantation ionique AU 2018/2019 86
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Avantages de l’implantation ionique
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Inconvénients de l’implantation ionique AU 2018/2019 87
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Inconvénients de l’implantation ionique
AU 2018/2019
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2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique Pouvoir stoppant AU 2018/2019 88
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Pouvoir stoppant
AU 2018/2019
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