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Génie Télécom & Réseaux 2

Technologies de fabrication
des CIs

Pr. Malika ALAMI MARKTANI


malika.alamimarktani@gmail.com

AU: 2018/2019
1
Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques

 1947 Invention hasardeuse du transistor bipolaire


(Bardeen, Bratten, Schokley) Ge, Bell Laboratories
 1949 Invention du transistor unipolaire (Schokley)
1950 Besoins de la guerre:

Réduction de la taille, du poids et de la consommation des


circuits

Intégration
AU 2018/2019 2
Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques

 1958 1er Circuit intégré (CI), 2 transistors au germanium (Ge)


par Jack KILBY

Premiers CI de Jack Kilby, TI et Fairschild

AU 2018/2019 3
Technologie des circuits intégrés: Aspects historiques

 1960 TI & Fairshild 1er CI de 10 transistors


Circuit intégré (CI) ou (IC)? = Chip = puce
 CI= qlq mm2 ou cm2 Ex:
un chip de 256 Mb DRAM: 150 - 200 mm2 ;
un pentium: quelques cm2 ;
chips dans cartes à puce: 2 à 20 mm2
 Ensemble très dense de dispositifs électroniques ayant une
fonction définie (résistances, condensateurs, diodes, transistors) Ex:
1Gb DRAM: 1.5 milliards de transistors, 1.1 milliards de
condensateurs

AU 2018/2019 4
Technologie des circuits intégrés
 Fabriqués en général sur un substrat en Silicium (Si), élément le plus
répandu sur terre après l’oxygène: 26%

 Incorporés dans tous les appareils électriques ou électroniques et dans la


plupart des objets situés autour de nous (PC, montre, tel, fax, copieur,
grille pain, autos, cartes à puce, …)

 Différents types de puce: microprocesseur, mémoire, capteurs, micro-


contrôleurs, etc…

 Fabriqués sur plaquettes de Si de 4, 5, 6, 8 ou 12 pouces de diamètre (1


pouce= 27.07 mm)

AU 2018/2019 5
Technologie des circuits intégrés

 Les premiers CI ont été dominés par la technologie bipolaire.


 La technologie MOS est arrivée plus tard à cause des
recherches d ’oxydes de grille stables et fiables
 Deux types de fonctionnement:
Analogiques: tous les niveaux de tension, Pb: circuits complexes
(linéarités des éléments)

Logiques: 2 niveaux (H (1) & B (0)), mise en cascade des éléments


et donc meilleure intégration. (FET, MOS, Bi. )

AU 2018/2019 6
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)

Trois phases:

1.Phase des découvertes


2.Phase de Développement technologiques & Dispositifs
3.Phase de production de masse

AU 2018/2019 7
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)

1. Phase des découvertes

 Principes, théories, invention du transistor

 Naissance de la Silicon Valley:


 Shockley Semicondutor Lab. in 1955
 Fairchild Semiconductor Corp. in 1957

AU 2018/2019 8
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)

2.Phase de Développement technologiques & Dispositifs


 SiO2 pour passiver la surface du Si 1958
 Procédé planar 1960 (J.Hoerni, un suisse)
 Si MOSFET 1960
 Grille flottante pour mémoires non volatiles (NVM) 1961
 CMOS 1962
 1er MOSFET commercial 1964
 1T DRAM 1967
 Intel 1968

AU 2018/2019 9
Technologie des circuits intégrés
Industrie des dispositifs semi-conducteurs (SC)

3. Phase de production de masse


L'échelle d'intégration défini le nombre de portes par boîtier
:
• SSI (small scale integration) petite : inférieur à 12
• MSI (medium) moyenne : 12 à 99
• LSI (large) grande : 100 à 9999
• VLSI (very large) très grande : 10 000 à 99 999
• ULSI (ultra large) ultra grande : 100 000 et plus

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Phases de fabrication d’un circuit intégré
Silice (SiO2) Encapsulation
(nature: sable)

Puces ou CI

Plaquettes de Si Découpe

Design, Layout &


Technologie
Wafer structuré
Lingot de Si (mono)

AU 2018/2019 11
Propriétés électriques du SI
Propriétés électriques du SI

Qu’est-ce qu’un semi-conducteur?

AU 2018/2019 13
Propriétés électriques du SI

Semi-conducteurs usuels

AU 2018/2019 14
Propriétés électriques du SI

Tableau périodique des éléments

AU 2018/2019 15
Propriétés électriques du SI

La structure cristalline du Si

AU 2018/2019 16
Propriétés électriques du SI

Porteurs de charge dans le Si

AU 2018/2019 17
Propriétés électriques du SI

Concentration intrinsèque ni

AU 2018/2019 18
Propriétés électriques du SI

Concentration intrinsèque ni

AU 2018/2019 19
Structure de bandes

Bandes d’énergie du Si intrinsèque

AU 2018/2019 20
Structure de bandes

Diagrammes de bandes d’énergie (T=0)

AU 2018/2019 21
Structure de bandes

Génération thermique et recombinaison

AU 2018/2019 22
Propriétés électriques du SI

Effet de la température sur la résistivité

AU 2018/2019 23
Dopage

SC extrinsèques: dopage par donneurs

AU 2018/2019 24
Dopage

SC extrinsèques: dopage par donneurs

AU 2018/2019 25
Dopage

SC extrinsèques: dopage par accepteurs

AU 2018/2019 26
Dopage

SC extrinsèques: dopage par accepteurs

AU 2018/2019 27
Dopage

Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés

AU 2018/2019 28
Dopage

Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés

AU 2018/2019 29
Dopage

Concentration des porteurs de charge à l’équilibre

AU 2018/2019 30
Dopage

Remarque:

AU 2018/2019 31
Résumé

AU 2018/2019 32
Phases de fabrication d’un circuit intégré
1- Elaboration du substrat
2- Réalisation des couches actives
3- Oxydation
4- Dépôts
5- Gravure
6- Photolithogravure
7- Assemblage et montage

AU 2018/2019 33
Elaboration du substrat
Phases de fabrication d’un circuit intégré

1- Elaboration du substrat
a. Méthode de Czochralski
b. Méthode de zone flottante ou zone fondue
c. Découpe et arrangement des plaquettes
2- Réalisation des couches actives
3- Oxydation
4- Dépôts
5- Gravure
6- Photolithogravure
7- Assemblage et montage

AU 2018/2019 35
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat
Le silicium existe en grande quantité à la surface du globe
terrestre. C'est le deuxième élément le plus fréquent de la
croûte terrestre ; O2 (46%), Si (28%), Al (8%). Sa
température de fusion est de 1415°C, qui est donc assez
élevée, et son affinité chimique est forte à haute
température.

AU 2018/2019 36
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat

C'est donc un matériau avec une bonne cohésion et donc


une bonne stabilité thermique.
Les sources naturelles sont essentiellement les silicates
(sable, etc...) mais aussi zircon, jade, mica, quartz, donc du
SiO2 sous diverses formes et plus ou moins de
contaminants (qui lui donnent des couleurs différentes).

AU 2018/2019 37
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat
Ainsi, le silicium existe essentiellement sous forme oxydée
et nécessite d'une part d'être réduit et d'autre part d'être
purifié afin d'obtenir un matériau dit de qualité électronique
ou EGS (Electronic Grade Silicon).

 Cristallisation de bains de Si poly-cristallin fondu pour


obtenir des Lingots de Si mono-cristallin
 Pureté 9-neuf (nine-9) c.à.d 99.9999999% (~1impureté
pour 109atomes)
 On utilise généralement 2 techniques de croissance:
 Méthode de Czochralski ou tirage et
 la méthode de zone flottante

AU 2018/2019 38
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski

La charge, mise dans un creuset en graphite, est fondue. A partir d'un


germe, on effectue un tirage progressif du lingot moyennant des
conditions très précises (températures du creuset de charge fondue, de
l'enceinte, gradient de température, transfert de chaleur, vitesse de
tirage du germe, etc...). On obtient des lingots de différents diamètres
suivant la vitesse de tirage. Cette méthode de tirage est appelée
"Czochralski". Notons que la différence de vitesse de diffusion des
espèces entre la phase liquide et la phase solide entraîne une
modification de la concentration relative des espèces le long du lingot.
C'est en particulier vrai pour la concentration de dopant qui implique que
la résistivité ne sera pas constante le long du lingot, toute chose égale
par ailleurs.

AU 2018/2019 39
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski

L'évolution de la dimension des lingots a été liée à l'évolution de


la maîtrise des procédés et des équipements associés avec
comme but l'augmentation du rendement de fabrication et la
diminution des coûts de production par circuit intégré réalisé.
Ainsi, en moins de 30 ans, le diamètre des plaquettes a varié.
1964 : 25 mm
1969 : 50 mm
1974 : 75 mm
1978 : 100 mm
1982 : 125 mm
1985 : 150 mm
1990 : 200 mm
1998 : 300 mm
Evolution de la taille des substrats de silicium depuis le début des CI
AU 2018/2019 40
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski

AU 2018/2019 41
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski

Tirage d'un lingot par la technique Czochralski. Le diamètre du


lingot est lié aux paramètres physiques en cours de tirage.
AU 2018/2019 42
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de Czochralski

AU 2018/2019 43
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante
zone flottante ou zone fondue

AU 2018/2019 44
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante

Cristallisation du lingot et purification par la méthode de fusion de


zone. Au cours du déplacement de la zone fondue, les impuretés
dopantes ou non dopantes se redistribuent dans le lingot.
AU 2018/2019 45
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: Méthode de zone flottante

 Barreau de Si poly-cristallin placé, en contact avec un germe


de Si monocristallin (orientation), dans un tube en quartz sous
vide.
 Le poly-Si est porté à sa température de fusion à l ’aide du
four à induction.
 Le four se déplace vers le haut et en même temps la zone
fondue.
 Les impuretés étant contenues dans la phase liquide, En
faisant plusieurs fois le balayage du bas en haut, les
impuretés sont ramenées vers le pied et le monocristal est
raffiné.
Utilisée pour avoir des matériaux très résistifs ( 
100cm) et contenants moins d ’impuretés
AU 2018/2019 46
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: résultat final

AU 2018/2019 47
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux

Equeutage du lingot:
Cette opération consiste à éliminer les extrémités du lingot soit mal
cristallisées soit riches en impuretés (surtout si la technique de
croissance a été la fusion de zones ).

Contrôle de résistivités sur les extrémités du lingot :


En raison de la variation de la concentration d'impuretés lors tirage du
lingot, la résistivité finale varie en fonction de la position. Une
vérification des spécifications (gamme de variation) est nécessaire.

AU 2018/2019 48
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux

Repérage cristallographique du lingot par méthode de diffraction


des rayons X :
Il sera nécessaire de connaître les orientations cristallographiques afin
d'effectuer en fin de fabrication la découpe suivant les axes
cristallographiques. Après repérage, on crée un méplat servant de
référence (plan 100 par exemple).

Polissage cylindrique :
Lors du tirage, le diamètre du lingot varie légèrement ce qui constitue
des ondulations à sa surface. Pour obtenir des plaquettes de même
diamètre un polissage cylindrique est nécessaire.

AU 2018/2019 49
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux

Découpage des plaquettes :


Ce découpage s'effectue à l'aide d'une scie diamantée de 400 µm
d'épaisseur environ pour les lingots de diamètre important. Des
techniques de coupes par scie à fil commencent à être utilisées chez de
nombreux fabricants. Dans ce dernier cas, les pertes de coupes sont
plus faibles.

Compte tenu de l'équeutage et du polissage 50% à 60% du lingot est


éliminé. En pratique, les plaquettes de dimension supérieure à 150 µm
font au moins 500 µm d'épaisseur en cours de procédé afin d'éviter une
fragilité mécanique. Cette épaisseur est réduite à 250 - 300 µm avant
découpage (étape d'amincissement) afin de faciliter les échanges
thermiques (voire électriques) avec le support de puce dans les boitiers.

AU 2018/2019 50
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux

Traitement thermique :
Le sciage crée des contraintes mécaniques dans le cristal. Il faut relaxer
le cristal par une montée en température (recuit) à des températures de
l'ordre de 600°C à 700°C. A ces températures, les énergies propres des
atomes sont suffisantes pour leur permettre de se repositionner dans les
sites cristallins.

Tri des plaquettes en fonction des épaisseurs :


Les épaisseurs après découpe pourront être sensiblement différentes. Il
faut donc limiter la quantité de matière à éliminer par le polissage (le tri
se fait par gamme de 10 µm par exemple)

AU 2018/2019 51
Phases de fabrication
1- Elaboration du substrat: traitements finaux
Test de résistivité des plaquettes , tri final en fonction des
résistivités :
Afin de sélectionner les lots pour les clients, un tri en fonction de la
résistivité est effectué.
Repérage - marquage :
Un marquage de lots, lingots, date, etc.. , est réalisable à l'aide d'un
faisceau laser. Cela permet de suivre la plaquette tout au long des
étapes de fabrication.

AU 2018/2019 52
Phases de fabrication d’un circuit intégré

1- Elaboration du substrat
2- Réalisation des couches actives
a. Diffusion Thermique
b. Implantation ionique
c. Epitaxie
3- Oxydation
4- Dépôts
5- Gravure
6- Photolithogravure
7- Assemblage et montage

AU 2018/2019 53
2- Réalisation des couches actives

 Leurs propriétés électroniques sont différentes de celles du


substrat; deux méthodes pour les obtenir:
 Le sur-dopage des régions superficielles du substrat par
diffusion thermique ou implantation ionique. On réalise
des couches de type: N+/N; P+/P; P+/N; N+/P.
 Croissance par épitaxie d’une couche monocristalline sur
le substrat. Le dopage est du même type ou de type
différent de que celui du substrat. On peut réaliser les
couches de type : N/N+; N/P+; P/N+;P/P+.

AU 2018/2019 54
La diffusion thermique
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

La diffusion est un procédé de dopage, qui correspond à la


tendance à l'étalement d’atomes ou molécules grâce à une
excitation énergétique apportée par la chaleur.
Suivant le milieu dans lequel se déplacent ces atomes ou
molécules , l'étalement sera plus ou moins grand.
A température ambiante le phénomène de diffusion sera:
 très important dans un milieu gazeux,

 plus faible dans un milieu liquide et

 pratiquement nul dans un milieu solide.

AU 2018/2019 56
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un


cristal, il faudra chauffer le matériau à des températures voisines
de 1000°C.
Nous nous intéresserons essentiellement aux mécanismes de
diffusion dans le milieu solide, sachant qu'il est possible d'utiliser
aussi des mécanismes en milieu gazeux voire liquide au niveau
des mises en œuvre technologiques de procédés particuliers.

AU 2018/2019 57
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

 Utilisable uniquement pour les matériaux thermiquement


stables. Elle se fait en deux étapes:
 les plaquettes sont portées à une température voisine de
1000°C en présence des atomes dopants. Dopants
diffusent dans le substrat
 Drive-in ou diffusion de redistribution: traitement
thermique des plaquettes en absence des atomes
dopants. Les dopants pénètrent plus profondément dans
le substrat.

AU 2018/2019 58
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Atomes d ’impuretés

Atomes de Si

1ère étape: 2ème étape:


Diffusion: Dopants en surface Redistribution: Dopants
pénétrant plus dans le substrat

AU 2018/2019 59
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Procédés de diffusion:
 Les procédés de diffusion vont dépendre de la nature des sources
de dopants. Il existe trois grands types de sources qui permettent de
fournir les éléments dopants que l'on doit faire pénétrer dans les
substrats.

 Ces sources sont: gazeuses, liquides ou solides.

AU 2018/2019 60
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses

Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses. Les gaz


dopants sont entraînés par un gaz porteur neutre, tel que l'azote.

AU 2018/2019 61
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses


 Les sources gazeuses sont les gaz tels que l'Arsine, AsH3, la
phosphine, PH3 ou le diborane B2H6.
 Il circule en permanence un gaz neutre (azote) afin d'éviter
toute pollution par des éléments venant de l'atmosphère
ambiante. Cet azote doit être très pur afin de ne pas polluer le
four.
 Bien qu'a priori ces gaz soient simples à mettre en œuvre, ils
sont par contre très dangereux puisque létaux pour l'homme à
quelques ppm de concentration.
 On leur préfère des sources liquides telles que POCl3 ou BBr3
qui sont liquides à température ambiante mais facilement
vaporisées pour être introduites dans des fours de diffusion.

AU 2018/2019 62
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources gazeuses:


Conditions limites
La concentration en surface dans le milieu ambiant est
constante ce qui signifie qu'en phase solide, en surface la
concentration, Cs, est aussi constante.
La condition limite s'écrira donc : C(0, t) = Cs (quel que soit
le temps en x=0)
La deuxième condition est une condition initiale, qui
suppose que la concentration de l'espèce à diffuser est
initialement nulle (ou négligeable) dans le substrat.
Cette condition s'écrit donc : C(x, 0) = 0 (quel que soit x à
t=0)

AU 2018/2019 63
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources liquides


Les ballons contenant les liquides sont chauffés pour vaporiser le
liquide afin de le faire pénétrer dans le four.

AU 2018/2019 64
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources solides


 Les sources solides sont des verres contenant les
dopants tels que nitrure de bore ou verre dopé au
phosphore.
 Ces sources se présentent sous forme de plaquettes et
sont en général introduites dans le four en alternance
avec les plaquettes à doper.
 Les plaquettes de verre dopé permettent de réaliser un
dépôt sur les substrats montés sur une nacelle (ou porte
substrats).

AU 2018/2019 65
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources solides

AU 2018/2019 66
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Diffusion dans un four à partir de sources solides


 Les verres s'évaporent et se déposent sur les
plaquettes.
 Après retrait des sources solides, les éléments dopants
sont diffusés vers l'intérieur du substrat par une étape
thermique (à haute température).
 En pratique, avant l'étape de diffusion, on élimine le
verre déposé par gravure chimique, la quantité de
dopant introduite dans le substrat en surface durant le
dépôt étant suffisante.

AU 2018/2019 67
2- Réalisation des couches actives: Diffusion thermique

Profils de dopage:

AU 2018/2019 68
L’implantation ionique
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

L’opération consiste à introduire des atomes ionisés projectiles


avec suffisamment d'énergie pour pénétrer dans l'échantillon
cible (en général une plaquette).
Cette pénétration ne s'effectue que dans des régions de surface.

Utilisée pour les matériaux thermiquement instables et chaque


fois que l’on souhaite élaborer une couche active d ’épaisseur
faible et bien contrôlée.

AU 2018/2019 70
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Cette opération est essentiellement utilisée pour doper le


semiconducteur durant la fabrication des dispositifs: création de
zones de source ou de drain d'un transistor MOS, d'une base et
d'un émetteur dans un transistor bipolaire.
Les atomes dopants sont en général : B, P, As, In, etc...
Les énergies des atomes ionisés peuvent être dans la gamme
3keV à 500keV.
En fonction de la nature du matériau implanté, de la nature de
l'ion accéléré et de l'énergie d'accélération la profondeur
moyenne de pénétration peut aller de 100 Å à 1 mm.
En effet, un calcul approximatif montre qu'une centaine
d'électron-volts est perdue par couche atomique (environ 2,5 Å).

AU 2018/2019 71
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Intérêt de cette technique:


Elle permet un contrôle précis de la quantité totale d'atomes
implantés (dose d'implantation) et du profil de concentration du
dopant.
Cette précision permet en particulier:
 l'ajustement de la valeur du gain en courant d'un transistor
bipolaire ou
l'ajustement de la tension de seuil d'un transistor MOS (choix
de la nature d'un transistor – à enrichissement ou à
appauvrissement).

AU 2018/2019 72
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Inconvénients:
 Le bombardement d'un monocristal par des atomes crée des
dommages dans la structure cristalline implantée.
 Il y a donc nécessité de restituer la cristallinité du matériau ;
ceci est réalisé par un recuit thermique.
 Ce recuit thermique permet aussi une redistribution des
atomes dopants et donc une modification du profil de dopage
par phénomène de diffusion.
 Notons que ce recuit peut aussi permettre l'activation du
dopant implanté (passage en site substitutionnel)

AU 2018/2019 73
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Cristal avant implantation Cristal après implantation

AU 2018/2019 74
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Cristal recuit

AU 2018/2019 75
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

L’implanteur
L'implanteur est en pratique un accélérateur d'ions.
Il est composé des parties suivantes :
 Un générateur des ions à partir d'une source solide, liquide
ou gazeuse dans un plasma excité à 25kV,
 Un sélectionneur des ions par champ magnétique effectuant
le tri par le rapport masse sur charge,
 Un accélérateur des ions à l'énergie d'implantation
souhaitée.

AU 2018/2019 76
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

L’implanteur
L'implanteur est composé des parties suivantes :
 des lentilles électrostatiques pour la mise en forme du
faisceau d'ions,
 Un dispositif de balayage en x et y afin d'implanter de façon
uniforme les plaquettes.
 Un déviateur du faisceau pour éliminer les ions neutralisés sur
le parcours et qui ne pourraient être dénombrés,
 Une chambre d'implantation.

AU 2018/2019 77
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Schéma simplifié d'un implanteur ionique d'énergie
d'accélération maximale de 200keV

AU 2018/2019 78
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique
Schéma simplifié d'un implanteur ionique

AU 2018/2019 79
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

La dose implantée

Celle-ci se mesure en nombre d'atomes par unité de surface.


Cette mesure est possible car le flux d'ions atteignant la surface
de l'échantillon correspond à un courant.
L'intégration du courant pour une surface bien définie sur la
durée de l'implantation permet de mesurer la dose.

AU 2018/2019 80
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Mesure de la dose par intégration du courant d'ions sur


une surface étalonnée

AU 2018/2019 81
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Profil de concentration
Les ions incidents vont perdre leur énergie par chocs successifs
avec les atomes du réseau cristallin.
Ceci explique d'une part, la dispersion des trajectoires et d'autre
part, que l'on définisse statistiquement une profondeur
moyenne de pénétration.
La statistique qui convient assez bien est gaussienne. Nous
définissons ainsi deux paramètres :
 la profondeur moyenne de pénétration (range en anglais).

 l'écart moyen latéral (perpendiculaire à la direction


d'implantation).

AU 2018/2019 82
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Évolution d'un ion à travers le cristal

L’ion crée des défauts ponctuels et amorphise les zones voisines


de la trajectoire. Sa trajectoire est déviée aléatoirement par les
atomes du cristal.

AU 2018/2019 83
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Illustration de profils latéraux après implantation à


travers un masque

AU 2018/2019 84
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Avantages de l’implantation ionique

AU 2018/2019 85
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Avantages de l’implantation ionique

AU 2018/2019 86
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Inconvénients de l’implantation ionique

AU 2018/2019 87
2- Réalisation des couches actives: Implantation ionique

Pouvoir stoppant

AU 2018/2019 88