ESCOLA SUPERIOR DE TECNOLOGIA

Coordenação de Engenharia Elétrica

LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I RELATÓRIO 9:

POLARIZAÇÂO DC DE TRANSISTOR BJT NA CONFIGURAÇÃO EC

PROFESSOR: VICTOR ENRIQUE VERMEHREN VALENZUELA

AUTORES: ELDO MARCOLINO DE SOUZA FILHO
RENATO KLEHM RODRIGUES

MANAUS – AM 2018
DESCRIÇAO DA EXPERIÊNCIA EFETUADA
Materiais utilizados
Durante a realização deste procedimento laboratorial foram utilizados os
seguintes materiais:
 01 Transistor BC547B
 01 Multímetro Digital
 01 Fonte de tensão variável
 Cabos
 01 Protoboard
 04 Resistores de valores 47Ω, 200Ω, 680Ω e 3,3𝑘Ω
 Ferramentas e Jumpers
Descrição técnica

Na primeira parte do experimento, realizou-se os cálculos necessários para

polarizar o transistor por divisor de tensão, o circuito pode ser visto na figura 1. A partir
dos seguintes dados foi possível realizar os cálculos:

𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑐
𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 𝑉𝐶𝐸 = = 5𝑉 𝑉𝑅𝐸 = = 1𝑉 𝐼𝐶 = 20𝑚𝐴 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 𝛽 = 200
2 10

Figura 1 – Circuito esquemático polarização do transistor

Primeiramente calculou-se 𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 𝑒 𝑅𝐸 :

𝐼𝐶 20𝑚𝐴
𝛽= ∶ 200 = ∶ 𝐼𝐵 = 100µ𝐴
𝐼𝐵 𝐼𝐵

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 = 20𝑚𝐴
 𝑉𝑅𝐸 1
𝑅𝐸 = = = 50Ω
𝐼𝐸 20𝑚𝐴

Utilizou-se um resistor de valor comercial de 47Ω no resistor 𝑅𝐸 .

Posteriormente calculou-se o valor de R1 e R2.

𝑉𝑅2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0.7 + 1 = 1.7𝑉

𝑅2
𝑉𝑅2 = 𝑉 ∶ 8.3𝑅2 − 1.7𝑅1 = 0
𝑅1 + 𝑅2 𝑐𝑐

𝑉𝑅2 − 𝑉𝐵𝐸 1
𝐼𝐵 = ∶ 100µ =
𝑅1/ /𝑅2 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝑅1. 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2 + (201 ∗ 47)

Resolvendo o sistema encontramos que R1=3251.64Ω e R2=666.33Ω, os

valores comerciais utilizados foram de 3,3kΩ para R1 e de 680Ω para R2.

Por fim calculou-se Rc e traçou-se a reta de carga do transistor.

𝑉𝑐 4
𝑅𝑐 = = = 200Ω
𝐼𝑐 20𝑚𝐴

Utilizou-se o valor comercial de 200Ω para Rc.

Figura 2 – Reta de carga do transistor - 𝐼𝐵𝑄 = 100µ𝐴 𝐼𝐶𝑄 = 20𝑚𝐴 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 5𝑉

 Na segunda parte do experimento realizou-se as medições dos parâmetros
calculados anteriormente, os valores obtidos podem ser vistos na tabela 1.

Tabela 1 – Valores medidos de Ib, Ic, Ie, Vb, Vbe e Vce.

𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝑉𝐵 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸
77µA 20,5mA 20,8mA 1.68V 0.67V 4.85V

As diferenças entre os valores calculados e medidos ocorrem devido ao

transistor ser um componente muito instável, ou seja, qualquer mudança mesmo que
mínima pode acarretar em uma variação considerável dos valores calculados em
relação aos valores medidos.

Resultados experimentais adicionais

𝐼 20.5𝑚𝐴
a) 𝛽 = 𝐼 𝐶 = = 266.23
𝐵 77µ𝐴

No datasheet é fornecido um intervalo de 𝛽 que varia de 200 a 450, isso se deve

ao fato de que não é possível ter um valor exato de 𝛽, logo o valor calculado com os
valores medidos está dentro do intervalo de “erro”.

b)
c) Para melhorar o ponto quiescente, pode-se alterar os valores de Vce e de Ic,
para que o ponto de operação fique mais distante dos pontos de saturação e
de corte.
Conclusão

Através do circuito montado observou-se as características e funcionamento do

transistor como amplificador. Os valores obtidos na simulação foram próximos dos
medidos em laboratório, fazendo com que o experimento fosse coerente. A diferença
entre os valores práticos e teóricos deve-se as variações físicas que os componentes
possuem em relação ao componente ideal, exemplo disso são os transistores que são
componentes muito sensíveis a qualquer alteração dos valores.