2017 A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
• Transistor de Efecto de Campo de Unión:
JFET (Junction Field Effect Transistor)
• Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido
- Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
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2017 Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor.
Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en
los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.
Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET
(transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET.
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2017 La principal diferencia entre el transistor BJT y los FET es que los BJT son dispositivos controlados por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por tensión.
En ambos casos, la corriente del circuito de
salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada. 22/04/2017 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 4 2017 • De forma análoga, como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
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2017 • Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
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2017 Características generales: • Por el terminal de control no se absorbe corriente. • Una señal muy débil puede controlar el componente • La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico
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2017 • Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
• Según su construcción pueden ser de canal P o de
canal N. Sus símbolos son los siguientes:
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2017 • Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:
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2017 La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
• Zona lineal.- El FET se comporta como una
resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS. • Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. • Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.