TRANSISTORES DE

EFECTO DE CAMPO

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A los transistores de efecto de campo se les
conoce abreviadamente como FET (Field Effect
Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos
grandes tipos:

• Transistor de Efecto de Campo de Unión:

JFET (Junction Field Effect Transistor)

• Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido

- Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)

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 Con los transistores bipolares observábamos como una
pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba
una corriente de colector mayor.

Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en

los que la corriente se controla mediante tensión.
Cuando funcionan como amplificador suministran una
corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a
la entrada.

Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET

(transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET.

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 La principal diferencia entre el transistor
BJT y los FET es que los BJT son dispositivos
controlados por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados
por tensión.

En ambos casos, la corriente del circuito de

salida es controlada por un parámetro del
circuito de entrada, en un caso el nivel de
corriente y en el otro el nivel de tensión
aplicada.
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 • De forma análoga, como en los transistores
bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los
transistores de efecto de campo se habla de
transistores FETs de canal n y de canal p.

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 • Una diferencia importante entre ambos tipos
de transistores consiste en que mientras que
los transistores BJT son bipolares, es decir,
en la corriente intervienen los dos tipos de
portadores (electrones y huecos), los
transistores FET son unipolares, en los que el
nivel de conducción dependerá únicamente de
un único tipo de portadores: de los electrones
en los de canal n y de los huecos en los de
canal p.

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 Características generales:
• Por el terminal de control no se absorbe corriente.
• Una señal muy débil puede controlar el componente
• La tensión de control se emplea para crear un
campo eléctrico

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 • Los transistores MOS respecto de los bipolares
ocupan menos espacio por lo que su aplicación más
frecuente la encontramos en los circuitos integrados.

• Es un componente de tres terminales que se

denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y
Drenaje (D, Drain).

• Según su construcción pueden ser de canal P o de

canal N. Sus símbolos son los siguientes:

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 • Los parámetros que definen el funcionamiento
de un FET se observan en la siguiente figura:

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 La curva característica del FET define con precisión
como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres
regiones o zonas importantes:

• Zona lineal.- El FET se comporta como una

resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.
• Zona de saturación.- A diferencia de los transistores
bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se
comporta como una fuente de corriente controlada por
la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o
surtidor (S) , VGS.
• Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

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