PUENTE H

Yudy Estefany Cedeño Gómez, William Moriano Acosta, Diego Albarracín Ayala
Electrónica de Potencia, Grupo “C”
Universidad de Pamplona
Km 1 vía Bucaramanga Pamplona Norte de Santander, Colombia Tel: (57-7)5685303,
Fax:5685765, Ext:114

Abstract - Determinar el calentamiento por la

potencia de los dispositivos electrónicos
The pre-design of a bridge is carried out in the para su protección.
following work H we can change the direction of
rotation of a DC motor using push buttons and logic MATERIALE
gates, also using transistors as an essential part of
the circuit. MOSFET transistors and resistors are - 2 MOSFET IRF530.
used for this assembly. In the design, theoretical - 2 MOSFET IRF9530.
calculations are made to obtain resistance values, - 1 fuente variable de dos canales.
such as the start of the current that supports a gate - 4 caimanes.
so that it is possible to manage it through the gate, - 1 M de cable para puentear.
and to polarize the MOSFET in an active way, for - NE555.
which the appropriate value must be found. of R. - Resistencias de 10KΩ.
- Resistencias de 1KΩ.
INTRODUCCIÓN
- Diodos 1N4007.
El puente H es muy fácil de implementar, este - Diodos led.
trabaja con tan solo 4 transistores generalmente 2 - 2 borneras de 2 pines.4
canal N y 2 canal P, además de 2 BJT de canal N y - 2 pulsadores.
una fuente de alimentación, su funcionamiento es - 4 Disipadores.
muy sencillo, la conflagración que se establece hace
PRE DISEÑO:
que un transistor se coloque en corte y el otro en
Diseñar un circuito por el cual podamos hallar la Kn
saturación lo que enviara un voltaje especifico y
mediante la variación de tensión en VGG, para estos
otro voltaje nulo a la base de la otra pareja de
tipos de circuitos se requiere un nivel medio de
transistores que permitirá que el motor se polarice
aprendizaje para el buen uso de los MOSFET.
con positivo y negativo, si queremos que el motor
gire en otro sentido cambiamos las condiciones de
corte y saturación en los otros transistores y el
motor invertirá su giro. El tipo de transistores a usar
dependerá de la potencia que tenga el motor y la
corriente que este consuma.

OBJETIVO GENERAL:

- Diseñar el puente H con mosfet que

soporten la corriente de 3.2 A como
arranque.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS: Fig. 1 Circuito MOSFET IRF510.

- Calcular el Kn y Kp de los mosfet para el En la figura 1 se puede apreciar el circuito

cálculo posterior a las resistencias. correspondiente a laboratorio donde le conectamos
- Realizar pruebas con la fuente para su dos resistencias en serie de 10W y 10 Ω y una de
funcionamiento. 7Ω con la misma potencia donde el consumo de
corriente es de:
 12𝑉
𝐼𝐷𝑚á𝑥 = = 0.445𝐴
27Ω
Por lo que se deduce que la corriente máxima que
circula entre drenador y surtidor, si revisamos el
datasheet del IRF510 dice que:
Fig. 2 DataSheet IRF510.
Por lo tanto, el IRF510 trabajara con 1/9 partes de
su trabajo en máximo como lo demuestra la fig. 2.
Las resistencias tienen un máximo de soporte de
10W por eso se requiere hacer un análisis de su
potencia máxima:
Donde la potencia máxima de disipación es de
5.333W en el cual no hay necesidad de hacer los
cálculos de disipación ya que el trabajo para el
MOSFET es bajo.
- Conectar los multímetros en sus
respectivos lugares, se debe tener en
cuenta el circuito este funcionando en
VDC.
- Conectar a fuente el MOSFET, rectificar
que las fuentes variables estén en 0 V antes
de encender la fuente.
- Variar el voltaje en VGG hasta encontrar
el voltaje de umbral.
- Ya obtenido el voltaje de umbral se
comienza a aumenta el voltaje de 0.1V en
0.1V toma de datos de VGS, VDS, VRD.
- Se varia el voltaje hasta que se encuentre
que VRD este próximo a VD=12V y sea
estable.
- Calcular ID sabiendo que se aplica la ley
de ohm done ID=VRD/RD
- Graficar en la tabla de Excel ID y VGS.
- Hallar la ecuación polinómica de segundo
grado.
- Con la ecuación polinómica se encuentra
Kn, recuerde que Ron tiene que ser
superior a 0.95 y máximo 1 de lo contrario
repita el procedimiento.
- Se repite el proceso con el otro MOSFET.

VGG VGS ID [A] VRD VDS

[V] [V] [V] [V]
2.5 1.49 3.7037E-05 0.001 11.99
2.6 1.53 3.7037E-05 0.001 11.99
9
2.7 1.58 7.4074E-05 0.002 11.98
2.8 1.67 0.0003333 0.009 11.91
Fig. 3 Circuito MOSFET IRF630 2.9 1.71 0.0005925 0.016 11.98
3
3 1.77 0.0014074 0.038 11.96
Para el siguiente diseño solo se requiere el cambio 9 4
3.1 1.87 0.0050370 0.136 11.86
del MOSFET IRF510 por el IRF9630 y ver el 1 2
3.2 1.9 0.0092592 0.25 11.75
datasheet para hacer el debido calculo de potencia 4 4
de disipación si lo requiere. 3.3 1.94 0.0155555 0.42 11.58
6
3.4 2.04 0.0533333
6 1.44 10.56
3.5 2.11 0.1555555
3 4.2 7.8
3.6 2.15 0.2444444 6.6 5.4
6
Fig. 4 DataSheet IRF9630 3.7 .19 0.3333333 9 3
4
Por lo tanto, el MOSFET no requiere de disipador 3.8 2.27 0.4259259 11.5 0.5
3
ya que está muy por debajo del rango de trabajo 3.9 2.33 0.4329629 11.6 0.31
3
máximo. 4 2.4 0.4340740 9
11.7 0.28
6
4.1 2.45 0.4344444 2
11.7 0.27
PROCEDIMIENTO: 7
4.2 2.5 0.4348148 3
11.7 0.26
4
- Montar en la protoboard el circuito dado 4.3 2.59 0.4351851 4
11.7 0.25
1
en el pre diseño. 4.4 2.63 0.4355555 5
11.7 0.24
9
6
6
 4.5 2.69 0.4355555 11.7 .24 6.5 3.9 0.30000 8.1 3.9
4.6 2.75 0.4355555 6 11.7 0.24 6.6 4 0.37037 10 2
6
4.7 2.84 0.4355555 11.76 0.24 6.7 4.1 0.43185 11.66 0.34
6
4.8 2.88 0.4355555 6 11.7 0.24
6 6.8 4.23 0.43296 11.69 0.31
4.9 2.96 0.4359259 11.7 0.23
6 6.9 4.26 0.43333 11.7 0.3
5 3.02 0.4359259 11.7 0.23
3 7 4.26 0.43370 11.71 0.29
5.1 3.39 0.4359259 11.77 0.23
3 7.1 4.4 0.43370 11.71 0.29
5.2 3.52 7
0.4359259 11.7 0.23
3 7.2 4.46 0.43407 11.72 0.28
5.3 3.58 0.4359259 11.77 0.23
3
5.4 3.59 0.4359259 11.7 0.23 7.3 4.53 0.43407 11.72 0.28
3 Tabla 2. Mediciones MOSFET IRF510
Tabla 1. Mediciones MOSFET7 IRF510
3

Fig. 6 Curva para hallar Kn

Fig. 5 Curva para hallar Kn del MOSFET del MOSFET IRF510
IRF510 Para los IRF9630

VGG [V] VGS [V] ID [A] VRD [V] VDS [V]

VGG VSG VSD VRD ID [A]
5 3.08 0.00004 0.001 11.999 [v] [V] [V] [V]
5.1 3.11 0.00007 0.002 11.998 22 2,965 26,84 0 0
5.2 3.17 0.00011 0.003 11.997 21,9 3,054 26,8 0,003 0,000106
5.3 3.28 0.00041 0.011 11.989 28,1 3,162 26,9 0,0077 0,000273
5.4 3.33 0.00063 0.017 11.983 21,7 3,2 25,1 0,0099 0,003511
5.5 3.37 0.00100 0.027 11.973 21,6 3,2 25 0,19 0,00673
5.6 3.42 0.00170 0.046 11.954 21,5 3,3 24,8 0,42 0,0148
5.7 3.49 0.00333 0.09 11.91 21,4 3,4 24,4 0,8 0,0283
5.8 3.57 0.00767 0.207 11.793 21,3 3,5 23,8 1,4 0,0496
5.9 3.63 0.01752 0.473 11.527 21,2 3,6 22,7 2,5 0,0886
6 3.69 0.02537 0.685 11.315 21,1 3,64 21,4 3,7 0,131
6.1 3.77 0.09926 2.68 9.32 21 3,74 19,17 5,9 0,209
6.2 3.83 0.14074 3.8 8.2 20,9 3,82 17,2 7,8 0,276
6.3 3.88 0.19259 5.2 6.8 20,8 3,91 14,5 10,5 0,372
6.4 3.89 0.24815 6.7 5.3 20,7 4 11,64 13,2 0,468
 20,6 4,07 9,05 15,9 0,563 20,2 4,4 0,46 24,3 0,861
20,5 4,16 6,17 18,9 0,6702 20,1 4,48 0,39 24,4 0,865
20,4 4,24 2,58 22,1 0,7836 20 4,56 0,34 22,4 0,565
20,3 4,33 0,6 24,1 0,854 Tabla 4. Mediciones MOSFET IRF9630
20,2 4,4 0,46 24,3 0,861
20,1 4,48 0,39 24,4 0,865
20 4,56 0,34 224,4 0,686
Tabla 3. Mediciones MOSFET IRF9630

Fig. 8 Curva para hallar Kp del MOSFET

IRF9630

DISEÑO DEL PUENTE H

Ya obtenido los valores reales de los Kn y Kp

necesitamos saber cuáles son lo que valores en VGS
Fig. 7 Curva para hallar Kp del MOSFET para que nuestro mosfet conduzca a 3 amperios por
IRF9630 lo tanto tenemos la ecuaciones, por lo tanto:
VGG VSG VSD VRD 𝐼𝐷 = 𝐾𝑛(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2
ID [A]
[v] [V] [V] [V]
22 2,8 25 0 0 Donde el Vth≈3V, donde nuestra corriente es
ID=3A donde los cálculos serán.
21,9 2,96 24,9 0,003 0,00015
28,1 3,15 24,6 0,0077 0,00025 IRF510 C:
21,7 3,24 24,3 0,001 0,004003 𝐾𝑛 = 1.432 , 𝑉𝑇𝐻 = 2.8𝑉 , 𝐼𝐷 = 3𝐴
21,6 3,28 24,1 0,2 0,00762
𝐼𝐷 2
21,5 3,3 23,6 0,46 0,0152 𝑉𝐺𝑆 = ( ) + 𝑉𝑡ℎ
𝐾𝑛
21,4 3,4 23,1 0,92 0,0296
21,3 3,5 22,8 1,43 0,0512 3 2
𝑉𝐺𝑆 = ( ) + 2.8 ≈ 7.2𝑉
21,2 3,6 22,3 2,54 0,088 1.432
21,1 3,64 19,7 3,76 0,146 Donde el valor mínimo para el VGS en en tensión
21 3,74 19,17 6,01 0,222 es de 7.2 V.
20,9 3,82 17,2 7,6 0,29 IRF510 D:
20,8 3,91 14,5 10,3 0,372
𝐾𝑛 = 1.578 , 𝑉𝑇𝐻 = 3𝑉 , 𝐼𝐷 = 3𝐴
20,7 4 11,64 12,8 0,468
20,6 4,07 9,05 15,2 0,563 𝐼𝐷 2
𝑉𝐺𝑆 = ( ) + 𝑉𝑡ℎ
𝐾𝑛
20,5 4,16 6,17 18,4 0,6702
20,4 4,24 2,58 22,3 0,7836 3 2
𝑉𝐺𝑆 =( ) + 3 ≈ 6.4𝑉
20,3 4,33 0,6 24 0,854 1.578
Donde el valor mínimo para el VGS es de 6.4V Donde necesitamos que nos consuma en la
resistencia R4=10V, en cuanto a la corriente
Para el puente H se debe tener encuenta un control asumimos que es de 1mA, por lo tanto:
por el cual nosotros vamos a darle el sentido de giro
y en nuestro sistema dimos análisis muy detallado 11𝑉
𝑉𝑅4 = = 10𝐾Ω
del procedimiento con respectó a los mosfet para lo 1.091𝑚𝐴
consiguiente tenemos quehacer un calculo para las
Para la otra resistencia seria:
resistencias de RA, RB, RC y RD en el cual vamos
nos va a dar el control. 1𝑉
𝑉𝑅4 = = 1𝐾Ω
1.091𝑚𝐴
Para el circuito del puente H tenemos que la
corriente es muy elevada por lo tanto debemos
calcular la disipación de calor. Donde la corriente
de circulación es inferior a 3 A:

°𝐶
𝑅θja = 80 𝑅𝐷𝑜𝑛 = 0.54Ω
𝑊
𝑇Jmax = 150 °𝐶

𝑃D = 𝐼D 2 𝑅Don = 4.84𝑊

Fig. 9 puente H en Proteus 8.7 𝑇j = 𝑃D 𝑅θja + 𝑇a

Por lo tanto tenemos un circuito tal como el °𝐶

siguiente: 𝑇j = 4.84[𝑊] ∗ 80 ⌈ ⌉ + 25[°𝐶]
𝑊
𝑇j = 362.2°𝐶
𝑇j 362.2°𝐶
𝐾= = = 2.4146
𝑇jmax 150°𝐶
Como es el mismo circuito para ambos lados se
tiene que colocar disipadores para los dos IRF510.
Ahora se hace los procesos para los IRF9530.

°𝐾
𝑅θja = 80 𝑅𝐷𝑜𝑛 = 0.3Ω
𝑊
°𝐾 °𝐶
𝑅θja = 80 = −193.15[[ ]
𝑊 𝑊
𝑇Jmax = 150 °𝐶

𝑃D = 𝐼D 2 𝑅Don = 2.7𝑊
Fig. 10 juego de resistencias en Proteus 8.7.
𝑇j = 𝑃D 𝑅θja + 𝑇a
Donde las ecuaciones para función normal de las
resistencias R3 y R4 que vienen siendo las mismas °𝐶
para el RA y RC o RB y RD: 𝑇j = 2.7[𝑊] ∗ (1933.15 ⌈ ⌉) + 25[°𝐶]
𝑊
𝑉𝑓 = 𝑉𝑅3 + 𝑉𝑅4
𝑇j = −496.505°𝐶
 𝑇j −496.505°𝐶 - Para el funcionamiento exacto de los 2N2222
𝐾= = = −3.31 se requiere una corriente de base bastante
𝑇jmax 150°𝐶 grande pero que no dañe su funcionamiento,
esto se hizo con el fin de trabaje en VCE
Donde K≤0.5 por lo tanto no requiere de disipador
aproximadamente cero para que no fluya la
ya que su temperatura es levemente cálida. tensión de los mosfet.
Para el control se hace con un circuito de PWM - El diseño de un puente H es una de las maneras
más fáciles que se utiliza para controlar el
donde manda la señal con variable de velocidad.
sentido de giro de un motor DC, permitiendo
así su fácil uso en la industria.
-
BIBLIOGRAFIA:

- AllDATASHEET - [En linea]

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/52964/FAIRCHILD/IRF630.html
- AllDATASHEET - [En linea]
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/25882/SUTEX/IRF510.html

Fig. 10 circuito PWM en Proteus 8.7

Por lo tanto, el circuito en completo queda de la
forma.

Fig. 10 circuito completo del puente H

en Proteus 8.7

CONCLUSIÓN:

- los parámetros para los mosfet de tipo N y tipo

P son valores que comúnmente deben ser
similares, pero en su trabajo varían una
pequeña señal.