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‫ﻓﻲ اﻹﻟﻛﺗروﻧﯾﺎت ھﻲ‬

‫ﺷرﯾﺣﺔ رﻗﯾﻘﺔ ﻣن‬

Résumé Ped master 1 : Microélectronique ‫ﻣﺎدة ﻧﺻف‬


‫ﻣوﺻﻠﺔ ﻣﺛل ﺑﻠورة‬
‫أﺣﺎدﯾﺔ ﻣن اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون اﻟﻧﻘﻲ‬
‫ ﺗﺳﺗﻌﻣل ﻟﺗﺻﻧﯾﻊ اﻟدارات‬.
Ped : science qui etudie les fab des cte electronique, ‫اﻟﻣﺗﻛﺎﻣﻠﺔ وأﺟﮭزة أﺧرى‬
‫ﻣﯾﻛروﯾﺔ‬
Monocristal , le wafer , sable tres riches en Si,
Exp : dissocier le sio2 / purifier de si / atteindre la pureté requise en fab
1ere proc : sio2+4hcl>sicl4+2h2o
2eme proc: reduction par hydrogene a 1000c°: Sicl4+4h>si+4hcl / 99-98% pur
Purification de si [si+3hcl300°.> Sihcl+h2o
Le chlore permet d’avoire de percipté de metaux (chlore de metaux)
Le trichlorisane sihcl3 ainsi obtenue est pur :Si hcl3+h2>Si+3hcl
‫ﺗﺳﺗﺧدم ھذه اﻟطرﯾﻘﺔ ﺑﺷﻛل‬
‫واﺳﻊ ﻓﻲ ﻣﺟﺎل ﺻﻧﺎﻋﺔ أﺷﺑﺎه‬
Technique de czochralski : [ dessin ] yenhfed :
‫اﻟﻣوﺻﻼت وذﻟك ﻣن أﺟل‬
‫اﻟﺣﺻول ﻋﻠﻰ ﺑﻠورات أﺣﺎدﯾﺔ‬
‫ وذﻟم ﻋﻠﻰ‬،‫ﻋﺎﻟﯾﺔ اﻟﻧﻘﺎوة‬
3 phases de la technique : 1 : l’affinage au diametre du germe ‫ﺷﻛل ﺻﺑﺎﺗﺄﺳطواﻧﯾﺔ ﺿﺧﻣﺔ أو‬
boules. ‫ﻋﻠﻰ ﺷﻛل ﻣﻛورات‬
qlq millimetre qui permet d’eliminer les defaults en ‫ﯾﺣﺻل ﺑﺎﻟﺗﺎﻟﻲ‬
provenance celui ‫ﻋﺎلى ﺳﯾﻠﯾﻛون أو اﻟﻐﺎﻟﯾوم‬
/ 2 : la realistation de la tete du cristal qui consiste a atteindre
plus ou moins rapidement le diametre nominal du cristal(25,50,75,700)
3/ : le tirage au diametre qui doit etre plus stable possible sans flocuations de
diametre
Les vitesse de la croissance : diametre de barreau , forme depands des vitesse
>Qlq milm pour les materiaux non dopés,
>qlq dixieme milim de mm/heures pour les mtx dopés
> le barreau de monocristal (‫ )اﻟرﺳم‬: découpage des
extrimités on appelle
également méplat une pièce de
bois, de métal, qui a plus de
Utilité du meplat : largeur que d'épaisseur.

1/ marque de l’orientation du reseau cristallin


2/cette orientationa une importance car les cristaux ont des prop struct et electronique tres
anistropes : depandant de la direction
‫ھو ظﺎھرة ﺗﻌﻠق اﻟﺧواص اﻟﻼﺗﻧﺎﺣﻲ أو ﺗﺑﺎﯾن اﻟﺧواص‬
[

‫ أي أن اﺧﺗﻼف اﻟﺟﮭﺔ ﯾؤدي إﻟﻰ اﺧﺗﻼف‬،‫ﺑﺎﻟﻣﻧﺣﻰ أو اﻟﺟﮭﺔ‬


‫ وذﻟك ﻋﻠﻰ اﻟﻌﻛس ﻣن ظﺎھرة‬،‫ﺗوﺣد اﻟﺧواص اﻟﺧواص‬.

Un cristal anistropes : pourra presenter diff carec selon son orientation , l’orientation dans
un cristal est definit par les indices de miller 100 et 111 sont les plus utilisés dans le cas de si
Rectification et gravure ,Rectification des wafers : Eliminer le Si d’un surface endomagéé ainsi les
wafers a l’épaisseur désiréé .
La gravure est un procedé utiliséé en micro fabrication qui consiste a retrier une ou plusieur couche
de metaux a la surface d’un wafer.
Etching : La gravure est un procédé utilisée en micro-fabrication, qui consiste à retirer une ou plusieurs
couches de matériaux à la surface d'un wafer. La gravure est une étape criti que, extrêmement importante,
lors de la fabrication d'éléments de micro-électronique, chaque
wafer pouvant subir de nombreuses étapes de gravure.
Etapes : polissage et nettoyage pour obetneir un mirroire ultra
plat,une regoiste residuel a l’echelle atomique :
La photolitographie :procede de transfert d’un masque physique o logiciel sur
le wafer.
Permet la gravure d’une 1 ou plusieur couches solides.
Masque = circuit electronique
Les etapes : elimination : revelation de la resine exposé
Gravure de l’oxyde ( develop)
Retrait de la resine
Implentationzone p
On a deux type de la resines : positive et negative ‫ اﻟﻔرق ﻓﻲ‬la zone exposés (po+
disparaitra)
Technique de realisation de la couche d’oxydation :

Oxydation thermique :oxy seche haute temperature 700 a 1250 milieu


contenant o2 si+o2 =Sio2 op lente
Oxydation humide : oxy humide temp kifkif milieu contenant o2+h20 :
si+2h2o>sio2+2h2 op rapid
Depot chimique en phase vapeur CVD :op necess pour realiser une couche
conductrice isolante ou de masquage == dans un procede qui n’utilise pas
directement le materiau du substrat op a base temperature :
La cinétique d'oxydation du silicium dépend essentiellement de deux
phénomènes : la réaction a la surface Si/SiO2 : Si +O2 ----> SiO2
la diffusion de l'oxygène a travers la couche d'oxyde déjà formée.
'épaisseur d'oxyde forme évolue alors avec le temps
suivant une loi parabolique. ‫ﻓﻲ اﻹﻟﻛﺗروﻧﯾﺎت ھﻲ ﺷرﯾﺣﺔ رﻗﯾﻘﺔ ﻣن‬
linéaire : ‫ﻣﺎدة ﻧﺻف ﻣوﺻﻠﺔ ﻣﺛل ﺑﻠورة‬
‫ ﺗﺳﺗﻌﻣل‬.‫أﺣﺎدﯾﺔ ﻣن اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون اﻟﻧﻘﻲ‬
e + A.e = B.t (modèle de Deal et Grove) ‫ﻟﺗﺻﻧﯾﻊ اﻟدارات اﻟﻣﺗﻛﺎﻣﻠﺔ وأﺟﮭزة‬
e : épaisseur d'oxyde forme ‫أﺧرى ﻣﯾﻛروﯾﺔ‬
t : le temps d'oxydation
B : constante caractérisant la diffusion de O2 dans
SiO2
B/A : constante caractérisant la réaction a l'interface.
B/A sont lies au dopage , au conditions de température et de pression de gaz et
sont très différentes selon que l’oxydation est sèche ou humide
Durant l’oxydation : il ya consommation de si
Et par conséquent, l’interface si/sio2 se déplace vers l’intérieur de la plaquette
On admet en première approximations que
Esi= 0.44*Eox
Esi= Epaisseur de si consommé
Eox=Epaisseur de l’oxyde forme
Quelle est l’épaisseur de la couche d’oxydation
formée si la couche du substrat consommée est de
0.5 µm ?
Réponse : 1.136 µ.
La Résine Photosensible :

le dépôt de résine (matériaux) est un des procédés utilise en photolithographie


la résine reçoit l’image de circuit
le motif peut être alors crée a la surface de wafer .
comment déposer la résine sur le wafer ?
1* dépôt de la résine sur une plaquette mobile ( dépôt de qlq milli) ,vitesse de
la plaquette 1500 tr/mm
2*homogénéisation du dépôt (diamètre et épaisseur ) au centre du wafer
3*répartition de la résine sur la totalité de la surface de la plaquette par mise
en rotation ( 20000tr/mn)
4*formation d’une couche uniforme sur tt la surface
5*le film est mise a son épaisseur finale (rotation constante)(entre 2000 et
7000)
6*uniformité optimale du dépôt
Résine+ Résine –
Casseurs des liaisons Cross-linking
moléculaires. Aug de poid mole
Réduction du poids Dimunuation de la sol
moléculaire
Augmentation de la
solubilité.
Résine ppma,dqn,az
‫د‬

‫ﺗذﻛـــروﻧﺎ ﺑﺎﻟدﻋـــﺎء‬