REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA

LA EDUCACIÓN SUPERIOR
INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGÍA
“PEDRO EMILIO COLL”
EXTENSIÓN PUERTO ORDAZ

CIRCUITO DE DISPARO CON UJT

Ciudad Guayana, Noviembre de 2014

 INTRODUCCIÓN

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte

integral de un circuito de control de potencia. La salida de este circuito, que
depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de
conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla
la conmutación. Se puede decir entonces que los circuitos de disparo, son
elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del
sistema de control, de cualquier convertidor de energía eléctrica.
El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las
características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar
en el circuito principal. Para circuitos de excitación para SCR o TRIAC donde los
requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con
circuitos basados en UJT.
Fundamento teórico

El rectificador controlado de silicio SCR: (Silicon Controlled Rectifier) es un

tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura
PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y
Transistor.

Estructura del SCR

Símbolo

Características Generales
 Interruptor casi ideal.
 Soporta tensiones altas.
 Amplificador eficaz.
 Es capaz de controlar grandes potencias.
 Fácil controlabilidad.
 Relativa rapidez.
 Características en función de situaciones pasadas (memoria).
Características Estáticas.
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los
valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades:
Tensión inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
Tensión directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
Tensión directa ...........................................................................: VT
Corriente directa media ...............................................................:: ITAV
Corriente directa eficaz ................................................................:
...............................................: ITRMS
Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM
Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH

Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:

Temperatura de la unión ................................................................: Tj
Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg
Resistencia térmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d
Resistencia térmica unión-contenedor ............................................: Rj-c
Resistencia térmica unión-ambiente.................................................: Rj-a
Impedancia térmica unión-contenedor.............................................: Zj-c

Características de Control
Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del
circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los
fabricantes definen las siguientes características:

Tensión directa máx. ....................................................................: VGFM

Tensión inversa máx. ...................................................................: VGRM
Corriente máxima..........................................................................: IGM
Potencia máxima ..........................................................................: PGM
Potencia media .............................................................................:
.: PGAV
Tensión puerta-cátodo para el encendido......................................: VGT
Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento.............: VGNT
Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT
Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento............: IGNT

Transistor Monounión
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por
dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente
dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, R BB o resistencia
interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo
equivalente representado en la figura 12.21.b está constituido por un diodo que
excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2.
Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar
como

En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y n es el

factor de división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este
dispositivo utilizando transistores se muestra en la siguiente figura, cuya estructura
es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los
transistores la caída de tensión en R es muy baja.
Diseño del circuito:

Componentes
1 transformador de 120/12 VAC, 1A
1 condensador de 0.1 µf
1 potenciómetro 10 kΩ
1 resistencia de 220 Ω
1 resistencia de 100K Ω
1 resistencia de 470 Ω
1 resistencia de 100 Ω
SCR 106B

Cálculos:
El voltaje pico de un UJT se determina por:

Vp= VB2B1 + 0.6V

Donde  es la relación intrínseca entre contactos, que para el ujt seleccionado
para el proyecto es de 0.55 y los 0.6V corresponden a la caída de voltaje en
sentido directo de la unión pn de silicio que existe entre emisor y base 1.
Si el UJT se alimenta con un voltaje externo V B2B1 de 12V, el voltaje de pico será
de:
Vp=0.55(12V) + 0.6V= 7,2 V

En el circuito de diseño, el condensador CE comenzará a cargarse a través de RE

+ REp en el instante mismo que se cierre el interruptor. Como el condensador está
conectado entre E y B1, cuando el voltaje alcance 7.2 V el UJT se disparará. Esto
permitirá que la carga almacenada en las placas de C e se descargue rápidamente
a través del UJT. REp servirá para que se retrase el disparo del UJT. Este pulso de
corriente es utilizado para disparar al tiristor, y ponerlo en conducción y conectar la
carga a la fuente de alimentación.
El retardo máximo que tendrá el UJT será:
= (10000+100000)*0.0001F= 11 segundos
 CONCLUSION

Los circuitos de disparo con UJT son eficientes cuando no se requiere

precisión en el disparo de tiristores; son excelentes para circuitos que gradúen la
potencia eficaz en cargas como lámparas, a través de estos circuitos, se controlan
la cantidad de lúmenes. En circuitos de corriente continua permiten conectar una
carga de potencia, después de cierto tiempo de activar el circuito.