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République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique


Université des Sciences et de la Technologie d’Oran Mohamed Boudiaf
Faculté de Physique 2018-2019 Département de Technologie des Matériaux
Master Physique Appliquée
Module : Physique des Dispositifs à Semi-conducteurs
Fiche de TD N°1:
Généralités sue la Physique des Semi-conducteurs
Exercice 1 :
1-Calculer la valeur des niveaux donneurs et accepteurs de GaAs dans le cadre du modèle simple
de Bohr. On donne є=13,2є0 ; m e*=0,067m0 et mh*=0,45m0.
2-Calculer le rayon de l’orbite de Bohr de l’électron supplémentaire apporté par l’atome donneur
et l’atome accepteur.

Exercice 2 :
On considère un semi-conducteur à gap indirect qui est le silicium à l’équilibre thermodynamique
à 300°K. on donne EG=1,12 eV,
Les masses effectives des électrons l et transversale : 𝑚𝑙∗ = 0,98𝑚0 ; 𝑚𝑡∗ = 0,19𝑚0 ; Les masses
effectives des trous longitudinale et transversale 𝑚𝑙ℎ

= 0,16𝑚0 ; 𝑚𝑡ℎ

= 0,49𝑚0 .
1- Calculer les masses effectives de densité d’états de la bande de conduction 𝑚𝐶∗ et de la
2⁄
1⁄ ∗3⁄2 ∗3⁄ 3
bande de valence 𝑚𝑉∗ . On donne : 𝑚𝐶∗ = (𝑚𝑙∗ 𝑚𝑡∗2 ) 3 et 𝑚𝑉∗ = (𝑚𝑙ℎ + 𝑚𝑡ℎ 2 )
2- Calculer les densités équivalentes d’états de la bande de conduction N C et de la bande de
valence NV.
3- Sachant que ce matériau n’est pas dopé (ND=NA=0) :
a- Calculer les densités d’électrons et de trous libres.
b- Déterminer la position du niveau de Fermi intrinsèque E Fi dans la bande interdite.
4- On considère que le Silicium est dopé par ND atomes donneurs d’Arsenic ‘As) inconnu, à
déterminer en cm-3.
a- Montrer qu’en général les densités d’électrons libres (n) et de trous libres (p)
peuvent se mettre sous les formes respectives suivantes :
𝐸𝐹𝑛 −𝐸𝐹𝑖 𝐸𝐹𝑝 −𝐸𝐹𝑖
𝑛 = 𝑛𝑖 . 𝑒𝑥𝑝 ( ) 𝑒𝑡 𝑝 = 𝑝𝑖 . 𝑒𝑥𝑝 ( ) ; où ni : est la densité intrinsèque.
𝐾𝐵 𝑇 𝐾𝐵 𝑇
b- Déterminer ND à introduire dans le Silicium pour que : 𝐸𝐹𝑛 − 𝐸𝐹𝑖 =0,35 eV.
c- En déduire la position de Fermi EF par rapport à EC.

Exercice 3 :
Un semi-conducteur intrinsèque est dopé par ND atomes donneurs et NA atomes accepteurs.
1- Exprimer les relations existantes entre n0, p0, ND, NA et ni.
2- On pose N= ND- NA. Déduire l’équation du second degré donnant n0 en fonction de ni et de
N, et donner les solutions possibles de n0.
3- Quel est le signe de N si le SC est de type N ? ou de type P ?
4- On suppose que ND ˃ NA. Faire un développement limité de n0 en fonction de ni/N. Que
vaut ce rapport si N=10% ni.

Exercice 4 :
On compare le comportement en température de trois semi-conducteurs : Si (EG=1,12 eV) ;
Ge (EG=0,66 eV) ; AsGa (EG=1,42 eV) dopés de type N à la concentration ND=3,4.1014 cm-3,
ND=3,4.1017 cm-3.
1-Exprimer et calculer la température Ti à partir de laquelle le semi-conducteur a un
comportement intrinsèque.
2- Exprimer et calculer la température de Fermi TF à partir de laquelle tous les atomes donneurs
sont considérés ionisés si on considère EC-ED=60 meV pour les trois semi-conducteurs.
NC=NV=3,4.1019 cm-3 ; KB=8,85.10-5 eV/°K
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