Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
I. OBJETIVOS
IV. PROCEDIMIENTO
ANÁLISIS EN DC
VARIABLE VALOR VALOR DE
TEORICO SIMULACION
ANÁLISIS EN DC (BIAS POINT)
ICQ 1.02mA 1.02mA
Para el transistor BJT se cambia él VA (Vaf=300) y el VCEQ 3.82V 3.84V
parámetro de ganancia de corriente es β=213 este se aumentó VBEQ 0.7V 0.646V
hasta llegar a un valor de 530 debido a que Orcad PSpice toma BDCQ 212.94 213
el valor de beta en AC diferente al valor en DC.
Pagina 2 de 6
Procedimiento teórico
Procedimientos teóricos
Pagina 3 de 6
ANALISIS EN FRECUENCIA
VARIABLE VALOR SIMULACION
FL 645.159 Hz
FH 4.846 MHz
BW 4.845 MHz
BW= FH-FL
FH= Frecuencia alta
HL=Frecuencia baja
BW= ancho de banda
Pagina 4 de 6
VI. CONCLUSIONES
VII. REFERENCIAS
Pagina 5 de 6
ANEXOS
Pagina 6 de 6
figura [3]. grafica de ancho de banda// frecuencias limites en donde la frecuencia cae a un 70.7% de su ganancia máxima
Pagina 7 de 6