UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA

ÁREA DE LA ENERGÍA LAS INDUSTRIAS Y LOS RECURSOS NATURALES

NO RENOVABLES
CARRERA DE INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y
TELECOMUNICACIONES
MODULO III
Integrantes: Chamba Angelica, Gordillo Andrea y Arévalo Cristian
Número del Grupo: 1

Transistores de Efecto de Campo

El transistor de efecto de campo (FET), es un
dispositivo de tres terminales que se utiliza
para diversas aplicaciones similares al del
BJT. Aunque existen algunas diferencias, la
principal diferencia entre los tipos de
transistores es que el BJT es un dispositivo
bipolar controlado por corriente, mientras que
el FET es un dispositivo unipolar controlado
por voltaje y depende únicamente de la conducción de electrones (canal-n) o de huecos
(canal-p). Algunas de las características más importantes de los FETs, es su alta
impedancia de entrada y su mayor estabilidad a la temperatura que los BJTs.
Los FETs se clasifican en dos tipos: el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y
el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

Construcción y características de los JFETs

El JFET es un dispositivo de tres terminales, con una
terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
Existen dos dispositivos el de canal-n y el de canal-p.
En la construcción básica del JFET de canal-n la mayor
parte de la estructura es el material de tipo n que forma el
canal entre las capas integradas de tipo p.
La parte superior del canal de tipo n se encentra conectada
por medio de un contacto óhmico referida como drenaje(D),
mientras que el extremo inferior del mismo material se
conecta por medio de un contacto óhmico referida como fuente (S). Los materiales de
tipo p se encuentran conectados entre sí y también con la terminal de compuerta (G). La
región de agotamiento es aquella región que no presenta portadores libres y es incapaz de
soportar la conducción a través de ella.

La corriente máxima (IDSS) ocurre cuando VGS=0V y VDS≥|Vp|,

mientras que la corriente mínima ocurre en el estrechamiento
cuando VGS=VP. Esto se puede observar en las siguientes figuras:
El nivel de VGS que resulta cuando ID=0mA se encuentra definido por VGS=VP, siendo
VP un voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo para los
JFETs de canal-p.

La región a la izquierda del sitio de estrechamiento en la figura es conocida como región

óhmica o de resistencia controlada por voltaje y esta expresada por la siguiente ecuación:
𝒓
𝒓𝒅 = (𝟏−𝑽 𝒐/𝑽 )𝟐
𝑮𝑺 𝑷

Dispositivos de canal-p
El JFET de canal-p está construido de la forma que el dispositivo de canal-n pero
invirtiendo los materiales tipo p y tipo n, así mismo las direcciones de corrientes
definidas y las polaridades reales de los voltajes VGS y VDS están invertidos.
En la figura el
crecimiento vertical es
una indicación que ha
sucedido una ruptura y
que la corriente a través
del canal ahora está
limitada solo por el
circuito externo.

Símbolos
Canal-n Canal-p
Características de transferencia
No existe una relación lineal entre la entrada y la salida en un FET, la relación entre ID y
VGS se define por la ecuación de Shockley:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃
Donde VGS es la variable de control y VP e IDSS son constantes. El término cuadrático de
la ecuación generara una curva de transferencia que crece exponencialmente con
magnitudes decrecientes de VGS.
Las características de transferencia definidas por la ecuación de Schockley no resultan
afectadas por la red en la cual se emplea el dispositivo.

Aplicación de la ecuación de Shockley

La curva de transferencia también puede obtenerse directamente a partir de la ecuación
de Shockley, simplemente dando valores a IDS y VP. Estos niveles definen los límites de
la curva sobre ambos ejes y solo deja la necesidad de encontrar unos cuantos puntos
intermedios.
𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝐼𝐷
𝑉𝑃 𝑉𝑃 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 (1 − √ )
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 |𝑉𝐺𝑆 =0𝑉 𝐼𝐷 = 0𝐴|𝑉𝐺𝑆 =𝑉𝑃
Debido a que la curva de transferencia debe graficarse con mucha frecuencia, es muy
ventajoso contar con un método abreviado:
𝑉𝐺𝑆 2 𝐼 VGS en función de ID
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 (1 − √ 𝐷 ) VGS ID
𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
0V IDSS
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆 ≅ 0.3𝑉𝑃 |𝐼𝐷=𝐼𝐷𝑆𝑆/2
𝐼𝐷 = |𝑉𝐺𝑆 =𝑉𝑃 /2 0.3 VP IDSS/2
4 0.5 VP IDSS/4
VP 0mA

Ejercicio: Trazar la curva de transferencia definida por IDS=12mA y VP=-6V

Dos puntos de la gráfica están definidos por:
IDSS=12mA y VGS=0V
IDSS=0mA y VGS=VP
Los otros dos puntos de la gráfica son:
VGS= VP/2= -6/2=-3V
ID=12mA/4=3mA
ID=12mA/2=6mA
VGS≈0.3 (-6V)=-1.8V

Para los dispositivos de canal-p, al ser VP y VGS positivos la curva de transferencia será
un espejo de la de curva de canal-n quedando en la parte positiva de los dos ejes.

Hoja de especificaciones
En la hoja de especificaciones encontramos todas las características de un transistor en
específico, permitiendo conocer los valores nominales máximos, las características
eléctricas, identificar las terminales y conocer la región de operación de dicho transistor.
Con lo cual nos aseguramos el correcto funcionamiento dl transistor. Existe una hoja de
especificaciones para cada tipo de transistor JFET.
Relaciones importantes
Para el JFET IG=0 es el punto de partida para el análisis de esta configuración, VGS es
por lo general el primer parámetro que debe determinarse.

MOSFET
MOSFET de Tipo Decremental
La construcción básica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se basa en un bloque
de material tipo p, que está formado a partir de una base de
sillico a la que se le conoce como sustrato (SS), y es la base
sobre la que se construye el dispositivo. Las terminales de
fuente y compuerta están conectadas por medio de
contactos metálicos a las regiones dopadas-n unidas por un
canal-n la compuerta se encuentra también conectada a una
superficie de contacto metálico, pero permanece aislada del
canal-n por medio de una capa muy delgada de dióxido de
sillico (SiO2).
No existe conexión dieléctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de un
MOSFET. Debido a la presencia del aislante SiO2, el MOSFET presenta una alta
impedancia de entrada del dispositivo.

Operaciones básicas y características

El voltaje compuerta-fuente se establece en cero volts mediante la conexión directa de
una terminal a la otra, y se aplica un voltaje VDS a través de las terminales de drenaje y la
fuente. El resultado es una atracción del potencial positivo en el drenaje por los electrones
libres del canal-n, y una corriente similar a la establecida a través del canal del JFET.
Curva de transferencia

MOSFET de tipo decremental de canal-p

La base sobre la que se
construye el dispositivo
es de tipo n (sustrato), y
el canal es de tipo p,
teniendo en cuenta que
las intensidades y
voltajes se invierten.
Símbolos
Canal-n Canal-p En los JFETs y MOSFETs
de canal-n la flecha
apuntara hacia el centro
del símbolo, la flecha de
un dispositivo de canal-p
apuntara hacia afuera del
centro del símbolo.

MOSFET de Tipo Incremental

La construcción de un MOSFET de tipo incremental de
canal-n, es muy similar a la de un MOSFET de tipo
decremental, excepto por la usencia de un canal entre las
terminales de drenaje y la fuente

Operaciones básicas y características

Las características de transferencia de un MOSFET de tipo
incremental no se encuentran definidas por la ecuación de
Shockley sino más bien, por una ecuación no lineal controlada por el voltaje compuerta-
fuente, el voltaje de umbral y por una constante k definida para el dispositivo que se
emplea. La gráfica resultante de ID en función de VGS es aquella que crece
exponencialmente ante valores crecientes de VGS.

𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2

𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
𝑘=
(𝑉𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑉𝑇 )2

MOSFET de tipo incremental de canal-p

La construcción es exactamente la inversa de la tipo incremental de canal-n, teniendo en
cuenta que las corrientes y voltajes invierten sus polaridades.
Símbolos
Canal-n Canal-p La línea puenteada entre el
drenaje y la fuente es para
reflejar el hecho de que no
existe un canal entre los
dos, bajo condiciones de
no polarización.

Siempre es necesario tener cuidado adicional al menejar MOSFETs debido a la

electricidad estatica que puede existir en los lugares menos pensados. No elimine ningun
mecnismo de circuito cerrado entre las terminales del dispositivo hasta que éste se instale.

VMOS
Una de las desventajas del MOSFET
tipico son los bajos niveles de manejos de
pontencia por lo general, menos de un
1W en comparacion con los BJT. Para
superar este inconveniente de los
MOSFET, se realiza un cambio en la
forma de construcción dandole al canal
una forma vertical por lo que toma una
apariencia de un corte en “V” en la base
del semiconductor.
Las características más importantes del VMOS, son:
• Poseen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales, de
corriente y de potencia.
• Poseen un coeficiente positivo de temperatura que contrarrestará la posibilidad de
una avalancha térmica.
• Tiempos de conmutación más rápidos por lo niveles reducidos de almacenamiento
de carga.

CMOS
Un CMOS (MOSFET complementario) es aquel que utiliza una combinación única de un
MOSFET de canal-p con uno de canal-n mediante un solo conjunto de terminales
externas. Posee la ventaja de una muy alta impedancia de entrada, velocidades de
conmutación rápidas y bajos niveles de potencia de operación, todo lo cual, hace que sea
muy útil para los circuitos lógicos.