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GEL-3000 Électronique des composants intégrés Hiver 2016 - Blocs de base intégrés – Étage d’entrée

GEL-3000

Électronique des composants intégrés

Hiver 2016 - Blocs de base intégrés – Étage d’entrée -

Blocs de base intégrés - Étages d’entrée

¨ Conditions préalables:

§ Chapitre 8, sections 8.1, 8.2, 8.4, et 8.5

¨ Plan du cours (sujets):

§ Paire différentielle MOS

§ Ampli différentiel balancé et à sortie unique

§ Ampli différentiel avec source de courant

§ Ampli différentiel avec charge active

¨ Résultats attendus:

§ Savoir analyser et concevoir des étages d’entrées différentielles CMOS balancées et à sorties uniques

Hiver 2016

Blocs de base intégrés - Étages d’entrée

¨ Ampli-op multi-étage: Étage d’entrée

d’entrée ¨ Ampli-op multi-étage: Étage d’entrée GEL-3000 Électronique des composants intégrés Hiver 2016

GEL-3000 Électronique des composants intégrés

Hiver 2016

©Université Laval B. Gosselin (2016)

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Paire différentielle MOS

¨ Charges résistives aux drains de Q1, Q2

MOS ¨ Charges résistives aux drains de Q1, Q2 Hiver 2016 • Deux amplis en sources

Hiver 2016

Deux amplis en sources communes connecté à la source

Tout les MOSFET doivent demeurer saturés …

Paire différentielle MOS

¨ Tension d’entrée mode commun dc (V CM )

+ V CS −
+
V CS

Hiver 2016

v D1 -v D2 =0, donc la paire rejette la tension mode commun V CM

I

2

1

' W

n

(

V GS V tn

)

2

2 k

M I 2 ≅ 1 ' W n ( V GS − V tn ) 2

L

V CM max = V tn + V DD I / 2 R D

V CM min = V SS + V CS + V tn + V OV

= − V SS + V CS + V tn + V OV V O V

V O V I / k (W / L)

Paire différentielle MOS

¨ Tension d’entrée différentielle

Hiver 2016
Hiver 2016

v id =v GS1 -v GS2

si v id > 0: v GS1 >v GS2 et i D1 >i D2

si v id < 0: v GS1 <v GS2 et i D1 <i D2

Paire différentielle MOS

¨ Opération petit signal

Typiquement, V CM = 0V (ground)

Single-ended ou différentiel?

v G 2 v G 1 =

= (V C M + 1 2 v i d )

(V C M 1 2 v i d )

• V G1 ,V G2 : signal différentiel balancé Hiver 2016
V G1 ,V G2 :
signal
différentiel
balancé
Hiver 2016

©Université Laval B. Gosselin (2016)

GEL-3000 Électronique des composants intégrés

= v i d

V CM permet de fixer le niveau dc à la grille des MOSFETs

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Paire différentielle MOS

¨

Analyse petit signal et circuit équivalent

• •

Hiver 2016

petit signal et circuit équivalent • • Hiver 2016 Condition d’approximation petit signal: v i d

Condition d’approximation petit signal: v id /2 << V OV

v od : sortie différentielle

v id

v o1 = g m

R

2 D

R

v id

v o 2 = g m

2 D

v od = v o 2 v o1 = g m v id R D

Ground virtuel (v gs1 +v gs2 = 0)

Paire différentielle MOS

¨ Analyse petit signal et circuit équivalent

= 2 I D = 2 ( I / 2 ) g = I m
= 2 I D = 2 ( I / 2 )
g
= I
m
V OV
V OV
V OV
v o1
= − g m 1 2 R D
v
id
v o 2
= g m 1 2 R D
v id
= v o 2 − v o1
A d ≡ v o d
=
g m R D

Hiver 2016

v

id

v

id

Paire différentielle MOS

¨ Détermination du gain de tension

§ Analyse grâce au demi circuit différentiel equiv.

§ Analyse grâce au demi circuit différentiel equiv. Hiver 2016 • Lorsque qu’il y a une

Hiver 2016

Lorsque qu’il y a une entrée différentielle balancée: les performances peuvent être déterminées avec le demi circuit

I D1 = I/2

Masse virtuelle

A d =g m (R D //r o )

Ampli diff. avec sources de courant

Demi circuit différentiel − v od 2 v
Demi circuit différentiel
− v od
2
v

Hiver 2016

v id

2

( r o1 || r o 3 )

= g m1

Gain différentiel:

A d = v od = g m ( r o1 || r o 3 )

id

Ampli cascode différentiel MOS

Demi circuit différentiel
Demi circuit différentiel

Source cascode (charge active)

Q4 : source

Q3: transistor cascode

A d = v o d = g m1 ( R o n || R o p )

v

id

R o n

= ( g m 3 r o 3 ) r o1

R o p = ( g m 5 r o 5 ) r o 7

Amplificateur cascode

Q2 : transistor cascode

Q1: transistor d’amplification

Hiver 2016

Paire différentielle MOS

¨ Gain en mode commun et TRMC

Équivalent petit signal v G 2 − v G 1 = (V C M +
Équivalent petit signal
v G 2 − v G 1 = (V C M + 1 2
v id )
− (V C M − 1 2 v id )
= v id

Résistance de source

Hiver 2016

Paire différentielle MOS

¨ Analyse petit signal et demi circuit

Modèle en T
Modèle en T

Demi circuit en mode commun

Hiver 2016

¨
¨

Paire différentielle MOS

Analyse petit signal et demi circuit

v icm = i

g m

+ 2iR

ss

i =

v icm

1 / g m + 2 R

ss

v o1 = v o 2 = R D i =

R D

1 / g m + 2 R

ss

Si 2R ss >> 1/g m

v

o1

v

icm

= v o 2

v

icm

≈− R D

2 R

ss

Hiver 2016

v icm

Paire différentielle MOS

¨ Effet du mismatch de R D sur le TRMC

MOS ¨ Effet du mismatch de R D sur le TRMC Hiver 2016 v o 1

Hiver 2016

v o1 ≈− R D

2

R

ss

v

icm

v o 2 R D + ΔR D

2

R

ss

v o d = v o 2 v o1 ≈− ΔR D

2

R

ss

v icm

v

icm

#

&

(

(

'

#

% % $

ΔR D

&

(

'

(

)

R

D

= ΔR D = − %

%

A cm = v od

v

icm

R

D

2

R

ss

$

2

R

ss

TRMC = | A d | | = 2 g m R ) / ΔR D / R D | A

cm

(

ss

(

Paire différentielle MOS

¨ Sortie différentielle versus sortie unique

§ Avantages/désavantages

Étages différentiels

Convertisseur diff. à sortie unique

Étages différentiels Convertisseur diff. à sortie unique Structure typique d’un IC Hiver 2016 ©Université Laval

Structure typique d’un IC

Hiver 2016

Paire différentielle MOS

¨ Sortie différentielle versus sortie unique

§ Sortie différentielle

Diminue le gain A CM et augmente le TRMC Augmente le gain différentiel par un facteur 2

§ Sortie unique

Pratique: réalise un convertisseur différentiel à sortie unique

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Fonctionnement: circuit à l’équilibre dc

I D 1 = I D 2 = I 2 V CM = 0V
I D 1 = I D 2 = I
2
V CM = 0V

Hiver 2016

l’équilibre dc I D 1 = I D 2 = I 2 V CM = 0V

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Fonctionnement: analyse petit signal

Masse virtuelle
Masse virtuelle
¨ Fonctionnement: analyse petit signal Masse virtuelle v id 2 v id 2 i 1 =

v

id

2

v

id

2

i 1 = g m1

, i 2 = g m 2

Le courant de drain i 1 est copié par le miroir Q 3 ,Q 4

Il y a i 1 et

i 2 au nœud de

sortie, or i 1 =i 2 =i

À la sortie… v o = 2iR o

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de G m ,R o et A vo

§ Circuit équivalent (c’est une transconductance)

1. On court-circuite la sortie pour trouver G m =i o /v id

2. Source de test v x àv o pour trouver R o =v x /i x

Hiver 2016

àv o pour trouver R o =v x /i x Hiver 2016 ©Université Laval B. Gosselin

Ampli diff. MOS à charge active

¨

Détermination de G m =i o /v id

On court-circuite la sortie pour trouver G m =i o /v id

J Circuit presque

symétrique avec court-circuit: tension faible au drain de Q 1 à cause de 1/g m3

L Pas symétrique

au drain de Q 1 à cause de 1/g m 3 L Pas symétrique v g3
v g3 ≈ 0V
v g3 ≈ 0V

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de G m =i o /v id (S&S p. 639)

de G m =i o /v i d (S&S p. 639) Hiver 2016 Courant de drain

Hiver 2016

Courant de drain de Q 1

i d (S&S p. 639) Hiver 2016 Courant de drain de Q 1 " $ #

"

$

#

v

id

2

% "

'

$

$

& #

v g 3 = g m1

1

g m 3

%

|| r o 3 || r o1 '

&

'

or r o1 et r o 3 >> 1/ g m 3 , donc

" $ v g 3 ≈− $ #
"
$
v g 3 ≈− $
#

g

m1

g m 3

% "

'

'

$

& #

v

id

2

%

'

&

Cette tension contrôle le drain de Q 4 et produit un courant g m4 v g3

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de G m =i o /v id (S&S p. 639)

" % v i id $ ' = − g m 4 v g 3
"
%
v
i
id
$
'
= − g m 4 v g 3 + g m 2
o
#
2
&
"
% "
%
"
%
g
v
v
$
m 4
'
id
id
$
$
'
i o = g m1 $
'
' & + g m 2
#
g
& #
2
#
2
&
m 3
or, g m1 = g m 2 = g m et g m 3 = g m 4
i o = g m v id
donc, G m =g m

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de R o et A d (p. 641 S&S)

¨ Détermination de R o et A d (p. 641 S&S) Hiver 2016 Résultats: ≡ v

Hiver 2016

Résultats:

R o et A d (p. 641 S&S) Hiver 2016 Résultats: ≡ v x = r

v x = r o 2 || r o 4

i

x

v o = G m R

o

v id

= g m ( r o 2 || r o 4 )

R o

A d d

Si r o2 =r o4 =r o ,

1

A d = 2 g m r

o

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Gain en mode commun et TRMC

§ Analyse petit signal

¨ Gain en mode commun et TRMC § Analyse petit signal Hiver 2016 ©Université Laval B.

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de A cm

Drain court-circuité pour trouver G mcm

de A c m Drain court-circuité pour trouver G m c m Circuit équivalent Demi circuit
Circuit équivalent
Circuit
équivalent

Demi circuit symétrique

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de A cm (p.642-644 S&S)

v s ≅ v icm 1 i o = i = v icm G mcm
v s ≅ v icm
1
i o
=
i
= v icm
G mcm =
v
2
R
o
2
R
icm
ss
ss
Source commune avec résistance
de source
R o1 = 2 R ss + r o1 + ( g m1 r o1 )( 2 R ss )
"
$
1 − g m 4 ( R o1 || r o 3 || 1 / g m 3 )
v o = − v icm r o 4 || R R o 2 #
%
2
ss
Diviseur de
tension
Si R o2 >>r o4 et R o1 >>r o3 et g m4 =g m3
1
=
r o 4
A cm = v o
v
2
R
1 + g m 3 r o 3
icm
ss

Hiver 2016

Ampli diff. MOS à charge active

¨ Détermination de A cm et TRMC

à charge active ¨ Détermination de A c m et TRMC Or, si g m 3

Or, si g m3 r o3 >> 1 et r o3 =r o4

A cm ≈−

1

2

g m 3 R

ss

On veut R ss le plus élevé possible, soit ≈ r o ou g m r o

2

TRMC = | A d | | = g m ( r o 2 || r o 4 ) $ ( 2 g m 3 R ss ) | A

cm

!

"

#

Si r o2 =r o4 =r o et g m3 =g m , TRMC = ( g m r o )( g m R ss )

Hiver 2016

Paire différentielle MOS

¨ Exemple

§ Donner le demi circuit

§Q 1 et Q 2 sont matchés

§ Déterminer le gain A d =v od /v id (négliger r o )

Hiver 2016

d =v o d /v i d (négliger r o ) Hiver 2016 Circuit différentiel symétrique

Circuit différentiel symétrique

Paire différentielle MOS

¨ Exemple

Ampli source commune avec résistance de source

¨ Exemple Ampli source commune avec résistance de source Quel est A d ? (voir la

Quel est A d ? (voir la matière sur les MOSFET et config. de base – Chap. 5 S&S)

Demi circuit différentiel

Hiver 2016

©Université Laval B. Gosselin (2016)

GEL-3000 Électronique

des composants intégrés

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Paire différentielle MOS

¨ Exemple

Ampli source commune avec résistance de source

¨ Exemple Ampli source commune avec résistance de source − v o d / 2 =

v od / 2 = R D || R L / 2

v id / 2

1 / g m + R

s

= R D || R L / 2

1 / g m + R

s

A d v od

v

id

Demi circuit différentiel

Hiver 2016

Blocs de base intégrés - Étages d’entrée

¨ Exercices suggérés

§ Sedra and Smith

Exercices 8.5, 8.6, 8.7, 8.8, 8.16 Problèmes 8.1, 8.6, 8.14, 8.16, 8.25,8.31, 8.87, 8.88, 8.90, 8.91, 8.98

¨ Lectures à faire

§ Chapitre 11, sections 11.1 à 11.8

Hiver 2016