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Samuel Chimborazo
Samuel.chimborazo@espoch.edu.ec
ABSTRACT: In the present article an investigation is A. Estructura interna del Mosfet de Super- Juntura y
presented about the MOSFETS with Super-Junction Mosfet Planar.
technology, which are being used in greater quantity in Los MOSFET de Si pueden clasificarse como MOSFET
the industry because they can reach a blockage in very planos y MOSFET de superjuntura de acuerdo con los
high voltages. procesos de fabricación utilizados. En pocas palabras, en
KEYWORDS: Resistances, silicon, source, oxide, super el campo de los transistores de potencia, la estructura de
junction. superunión se desarrolló para trascender los límites de las
I. INTRODUCCION estructuras planas.
Los MOSFETs de potencia basados en tecnología super- Como se indica a continuación en la figura 2, una
junction tienden a convertirse en la norma de la industria estructura plana constituye un transistor plano o
en convertidores de alto voltaje de conmutación. Ofrecen planar. Esta estructura ha tenido el inconveniente de que
un RDS(ON) más bajo simultáneamente con las cargas si la tensión nominal aumenta, la capa de deriva se
reducidas de la compuerta y de la salida que permite una vuelve más gruesa y, por lo tanto, aumenta la resistencia
conmutación más eficiente en cualquier frecuencia dada. de conexión. En contraste, una estructura de superjuntura
Antes de la disponibilidad de super-junction MOSFETs la es una estructura en la que se disponen múltiples junturas
plataforma de diseño dominante para dispositivos de alta pn verticales, como resultado de esto, existe una baja
tensión se basó en la tecnología planar, sin embargo, la resistencia a la conexión RDS(ON) y una carga de puerta
conmutación rápida en las altas tensiones plantea sus reducida Qg mientras se mantiene un alto voltaje.[2]
propios desafíos en fuentes de alimentación de AC/DC y
los inversores. Comenzaremos revisando los rangos de
potencia y frecuencia cubiertos por los principales
transistores de potencia de los últimos años, que son Si-
MOSFET, IGBT y SiC-MOSFET. Posteriormente nos
centraremos en los MOSFET super-junction, pero será
útil comprender la posición de los Si-MOSFET en el
mercado para poder comprender cómo se utilizan y poder
elegirlos según sus características.[1]
FIGURA 1: Características de los transistores de potencia FIGURA 2: Formas de onda de corriente en inversa y tiempo de recuperación
III. CONCLUSIONES
VI. REFERENCIAS