Diodo Schottky
Eloy Ramírez García, Víctor Hugo Loredo Flores, Miguel Ángel Paloma Hernández, Pablo Córdova Morales
Resumen— El presente trabajo muestra una de las uniones de
materiales más importantes en el desarrollo de dispositivos
electrónicos, su proceso y las base para las futuras aplicaciones de
otros dispositivos.
Palabras clave: Unión metal-semiconductor, diodo Schottky,
función del trabajo, emisión termoiónica, afinidad electrónica.
I. INTRODUCCIÓN
En las últimas décadas, la estructura Schottky de metal-
semiconductor (M-S) desempeña un papel importante en la
industria de dispositivos electrónicos.
Se ha comprobado que los contactos M-S son actividades de
investigación importantes ya que la información de las barreras
que estos contactos generan está aún lejos de ser completo a
pesar del hecho de que funciona en muchas aplicaciones
electrónicas como protección contra sobretensión, operación en
alta velocidad, transistores de efecto de campo, detectores de
radiofrecuencia, celdas solares, etc.
Para una mejor comprensión de las propiedades eléctricas de
cualquier material semiconductor, es importante conocer su
comportamiento de contacto con otros materiales, así como los
diferentes procesos físicos que suceden durante su unión. En las
siguientes secciones se analizarán los procesos físicos de la
unión M-S o diodo Schottky
II. DESARROLLO
a) La función de trabajo y emisión electrónica en metales
Hemos analizado que la zona prohibida de energías (Eg)entre
las bandas de valencia (Ev) y de conducción (Ec) de los sólidos
es de importancia crucial en la discusión de la conducción
eléctrica en los semiconductores. Hay otro importante concepto,
la función del trabajo, que se relaciona con otras características
eléctricas, principalmente con la capacidad de los metales para
emitir electrones.
Definimos la función del trabajo como la diferencia de
energías de un electrón justamente fuera del solido y la que tiene
el nivel de Fermi. Es igual a la cantidad de 𝐸0 − 𝐸𝐹 = 𝑒𝜙
señalada en la figura 1, donde 𝐸0 indica el nivel de energía fuera
del metal y 𝜙 es la función del trabajo medida en electronvolts
(𝑒𝑉) [1].
Fig. 1 Función del trabajo del metal [1].
Para la función de trabajo de un semiconductor ∅𝑠 se puede
definir, por analogía con la de un metal, como el intervalo de
energía entre el nivel de Fermi 𝐸𝐹 y el nivel 𝐸0 justamente fuera
del sólido.
De acuerdo con la distribución de Fermi-Dirac, la fracción
de estados que se encuentran ocupados por electrones
justamente debajo de 𝐸0 y a temperatura ambiente se encuentra
−𝑒∅
expresada por 𝑒 ⁄𝑘𝑇 . En condiciones normales, estos
electrones son muy pocos, y como son los únicos portadores de
carga capaces de abandonar el metal, se pueden tomar medidas
especiales para aumentar su numero si se quiere extraer de aquél
una corriente apreciable [1]:
1. Emisión Secundaria: ocurre cuando una superficie
es bombardeada con electrones de velocidad
apreciable logrando liberar uno o más electrones
secundarios.
2. Emisión fotoeléctrica: para conseguir electrones, se
puede alcanzar a temperaturas normales irradiando
con ondas electromagnéticas de frecuencia
suficientemente alta (o longitud de onda
suficientemente corta). Los resultados de esta
radiación generaran que los electrones se exciten a
niveles de energías mas altos, con lo que será
suficiente para producir fotoemisión.
3. Emisión por campo: cuando un campo eléctrico es
aplicado a una superficie metálica, esta empieza a
emitir a la temperatura ambiente.
4. Emisión termoiónica: consiste en aumentar la
temperatura del metal e incrementar así el factor
−𝑒∅
térmico 𝑒 ⁄𝑘𝑇
.
De las opciones anteriores, la utilizada para el análisis de
una unión M-S es la emisión termoiónica, debido a que, en
diferentes aplicaciones y problemas desarrollados, este factor es
de suma importancia por las características que presenta.
b) Contactos metal-semiconductor
Las propiedades de las superficies de contacto entre metales
y semiconductores son importantes por dos razones. En primer
lugar, se consideran algunos casos donde la unión se comporta
como rectificador, similar a la unión pn. En segundo lugar,
pueden dar lugar a contactos óhmicos o no rectificantes entre los
semiconductores y metales. La diferencia en los dos casos
anteriores depende de las configuraciones de las bandas de
energías del metal y del semiconductor [2].
 I. Contacto rectificante entre un metal y un
semiconductor tipo n
En el estudio de los contactos M-S introduciremos el
concepto de afinidad electrónica que esta definida por la
distancia entre el nivel del vacío 𝐸0 y el fondo de la banda de
conducción 𝐸𝑐 y es designada por 𝑥, esta afinidad electrónica
es la energía que necesita adquirir un electrón de conducción
para ser emitido del semiconductor como se muestra en la figura
2 [1][2]:
Fig. 2 Diagrama de niveles de energía de un metal y un material tipo p
separados [3].
Supondremos que la función del trabajo del metal ∅𝑚 es
mayor que la afinidad electrónica del semiconductor ∅𝑚 > 𝑥,
como se indica en la figura 2 que representa a los dos materiales
aislados entre sí. Se puede observar además que en el
semiconductor hay bastantes electrones que ocupan estados
altos con relación al nivel de Fermi del metal 𝐸𝐹𝑚 .
Si se establece una conexión entre el metal y el
semiconductor, pasaran electrones del semiconductor al metal
hasta que el exceso de carga negativa en el metal y el exceso de
carga positiva del semiconductor hagan que se alineen los nivele
de Fermi de ambos materiales. Dicho proceso se indica en la
figura 3, como se observa la posición del nivel de Fermi del
semiconductor 𝐸𝐹𝑠𝑐 cerca del contacto se ajusta
automáticamente para formar una barrera igual a la diferencia de
energía 𝑒(∅𝑚 − 𝑥), dicha barrera recibe el nombre de barrera
de Schottky, el cual es un obstáculo para los electrones que
intentan pasar del metal al semiconductor y viceversa [1][2].
Fig. 3 Diagrama de bandas de energía de la unión M-S en contacto y en
equilibrio térmico [3].
Para salvar la barrera, los electrones del metal o del
semiconductor deben de estar dotados de una energía (∅𝑚 − ∅𝑠 )
en exceso a la que corresponde el nivel de Fermi. Por tanto, la
corriente I1 transportada por los electrones del metal que pueden
salvar la barrera es igual a la corriente I2 que transportan los
electrones de la región n en las mismas condiciones. La corriente
neta de electrones es nula. Puesto que la misma barrera existe
para el flujo de huecos, la corriente I3 de huecos del metal que
pueden cruzar el contacto es igual a la corriente I4 de huecos de
la región n que pueden pasar al metal, y la corriente neta de
huecos es también cero[1][2].
Por otro lado, si se aplica una tensión negativa al
semiconductor tipo n con respecto al metal, el diagrama de
niveles de energía se modifica ya que la tensión negativa
aplicada es eleva los niveles de energía de los electrones de la
banda Ec de la región n y el nivel de Fermi correspondiente se
eleva. En cambio, no hay variación de la energía potencial de los
electrones de la banda de conducción de la región n en el
contacto, con esto, la altura de la barrera que deben salvar los
electrones de la región n para pasar al metal se ve reducida.
Esta reducción provoca el aumento de la corriente I2 de
electrones de la región n que están en condiciones de remontar
la barrera. Por otro lado, la corriente de electrones I1 que van del
metal al semiconductor no varía, ya que la altura para ellos
continúa siendo (∅𝑚 − ∅𝑠 ) , el valor correspondiente de
polarización es nula. De manera similar, la barrera presente al
flujo de huecos del metal al semiconductor se reduce y aumenta
por consiguiente la corriente I3, mientras que la corriente I4
permanece estable en el valor correspondiente a polarización
nula. Esta unión es polarización directa (semiconductor n
negativo con respecto al metal) [2].
Fig. 4 Diagrama de niveles de energía de un contacto M-S tipo n en
polarización directa [2].
Considerando ahora cuando se aplica una polarización
inversa (borne negativo de la batería al metal) provocaría rebajar
el nivel de Fermi en el semiconductor con respecto al metal,
como se muestra en la figura 6.
Fig. 6 Diagrama de bandas de energía de la unión M-S tipo n en
polarización inversa [2].
Como resultado de ellos los electrones del semiconductor
tienen que sobrepasar una barrera mucho mas alta antes de que
puedan ser emitidos al metal, por lo que la corriente I2 e I3 se
reducen rápidamente a cero. Sin embargo, las corrientes I1 e I4
no son afectadas por la polarización inversa y su suma forma una
pequeña corriente de saturación inversa[2][4].
 Entonces tendremos para polarización directa la suma de las
corrientes 𝐼2 + 𝐼3 y para polarización inversa 𝐼1 + 𝐼4 .
Los principios antes indicados se pueden aplicar de también
a semiconductores de tipo p con algunas modificaciones, ya que
se puede obtener un contacto rectificante si la afinidad
electrónica del tipo p es mayor que la del metal, además la
polaridad de la tensión aplicada debe invertirse para obtener la
polarización correspondiente. Es decir, se obtendrá polarización
inversa si se le aplica el terminal positivo de la batería al metal,
y viceversa si se desea obtener una polarización directa, como
se observa en la figura 7[2][4].
Fig. 7 Bandas de energía de una unión M-S tipo n en contraste con la
unión M-S tipo p bajo diferentes condiciones (a) equilibrio térmico (b)
polarización directa (c) polarización inversa [4]
II. Contacto óhmico entre un metal y un
semiconductor tipo n
Se obtiene un contacto óhmico o no rectificante si la afinidad
electrónica del semiconductor del tipo n es mayor que la función
del trabajo del metal, como se indica en la figura 8, se observa
que cerca del metal, el fondo de la banda de conducción queda
debajo del nivel de Fermi, produciéndose la depresión A. Los
electrones fluyen rápidamente hacia esta depresión. Después de
esto, los electrones pueden fluir sin impedimento alguno en
cualquier sentido dentro de la banda de conducción del
semiconductor, de modo que el contacto es óhmico [2][4].
Fig. 8 Diagrama de niveles de energía para un contacto M-S tipo n con ∅𝑠 > ∅𝑚 en
condición de equilibrio. El contacto es óhmico porque no hay barrera de potencial [2].
Estos contactos carecen de resistencia en el caso ideal, pues
la única resistencia es del metal y el semiconductor en si, además
de la de sus conexiones.
Por consecuencia, tanto los contactos rectificantes como las
uniones pn parecen ser contactos óhmicos para corrientes muy
débiles y, al revés, los contactos que parecen ser óhmicos para
corrientes débiles pueden resultar rectificantes para corrientes
considerables [2][4].
c) Característica I-V de la unión metal-semiconductor y
su aplicación
El transporte en los contactos M-S se debe principalmente
a los portadores mayoritarios, en contraste con la unión pn,
donde el transporte se debe principalmente a los portadores
minoritarios. Para diodos Schottky con semiconductores
moderadamente dopados que operan a temperatura moderada
(300°K) el mecanismo dominante de transporte es la emisión
termoiónica de la mayoría de los portadores de
semiconductores sobre la barrera de potencial en el metal [4].
Fig. 9 Transporte de corriente por emisión termoiónica (a) equilibrio térmico
(b) polarización directa (c) polarización inversa [4].
La figura 9 ilustra el proceso termoiónico. En equilibrio
térmico, la densidad de la corriente se equilibra con dos flujos
de portadores iguales y opuestos, por lo que hay una corriente
cero. La corriente producida por los portadores saltando la
máxima barrera esta expresada por [5]:
𝑞∅𝑏 +𝑞𝑉
𝐼 = 𝐴𝐴∗ 𝑇 2 𝑒 (− 𝑘𝑇
)
(1)
Donde A indica el área del contacto del metal [𝑐𝑚2 ], q
carga del electrón [𝐶], ∅𝑏 es la altura de la barrera de potencial
[𝑉], V es el voltaje de polarización [𝑉], k es la constante de
𝐽
Boltzmann [ ⁄𝐾 ] y 𝐴∗ representa la constante de Richardson, la
cual está definida [5]:
4𝜋𝑞𝑚𝑛 𝑘 2 𝐴
𝐴∗ = [ ] (2)
ℎ3 °𝐾 2 𝑚2
Observando (2), tenemos constantes ya definidas
previamente, pero se presenta otra la cual es 𝑚𝑛 = 0.27𝑚0 ,
donde 𝑚0 es la masa en reposo del electrón y tiene un valor de
𝑚0 = 9.108 × 10−31 𝑘𝑔.
Cuando los electrones en el metal saltan la barrera de
potencial en polarización inversa, la siguiente formula describe
este comportamiento:
𝑞∅𝑏
𝐼𝑟 = 𝐴𝐴∗ 𝑇 2 𝑒 (− 𝑘𝑇 ) (3)
 La corriente total esta definida por la diferencia de (2) y (3): Introduciremos ahora un nuevo termino, el cual permitirá
comprender de mejor manera la curva característica I-V. Esta
𝑞∅𝑏 +𝑞𝑉 𝑞∅𝑏
expresión se llama factor ideal y se representa:
𝐼𝑡 = 𝐼 − 𝐼𝑟 = 𝐴𝐴∗ 𝑇 2 [𝑒 (− 𝑘𝑇
)
− 𝑒 (− 𝑘𝑇 ) ] (4)
𝑞 𝑑𝑉
𝑞∅𝑏
𝑛= [ ] (10)
𝑞𝑉 𝑘𝑇 𝑑(𝑙𝑛I)
2 (− 𝑘𝑇 ) (− )
𝐼𝑡 = 𝐴𝐴∗ 𝑇 𝑒 [𝑒 𝑘𝑇 − 1] (5) El factor ideal permite tener una grafica diferente, con la
finalidad de realizar un mejor análisis de la curva, se puede usar
𝑞𝑉 este factor introduciéndolo directamente en la formula (6):
𝐼𝑡 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 [𝑒 (−𝑘𝑇) − 1] (6)
𝑞𝑉
En la ecuación (6), 𝐼𝑠𝑎𝑡 es la corriente de saturación. Bajo 𝐼𝑡 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 [𝑒 (−𝑛𝑘𝑇) − 1] (11)
polarización directa, la corriente total y la tensión de
polarización comparten una relación exponencial [5].
Entonces la unió Tungsteno-ZnO puede también ser
Al observar la ecuación (6), cuando 𝑞𝑉 > 3𝑘𝑇 se puede representada como una representación logarítmica de I-V:
despreciar el -1:
𝑞𝑉
𝐼𝑡 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 [𝑒 (−𝑘𝑇) ] (7)

Para comprender mejor como se determina la barrera de

potencial entre la unión M-S y su estrecha relación con la
ecuación de Schottky al momento de graficar se puede tomar
como ejemplo la unión del Tungsteno y oxido de zinc (ZnO),
un nuevo tipo de material semiconductor, la cual tiene una
banda prohibida de 𝐸𝑔 = 3.37𝑒𝑉 . ZnO es uno de los
nanomateriales mas diversos descubiertos en términos de Fig. 11 Representación I-V logarítmica de la unión Tungsteno-ZnO [5],
morfología y estructura [5].
Finalmente, podemos observar que desde la expresión 5 es
Al observar la ecuación (5) el termino ∅𝑏 representa la altura muy similar a la ecuación del diodo ideal de la unión pn, una
efectiva de la barrera de potencial, por lo que se puede calcular diferencia entre ambas expresiones es que la corriente en el
con la siguiente expresión: diodo Schottky genera que la barrera de potencial empiece con
poco voltaje en contraste con la unión pn, como se presenta en
∅𝑏 = ∅𝑚 − 𝑥 (8) la figura 12 [6]:
∅𝑏 = 4.55𝑒𝑉 − 4.29𝑒𝑉 = 0.26𝑒𝑉 (9)

Donde ∅𝑚 = 4.55𝑒𝑉 es la función de trabajo del Tungsteno

y 𝑥 = 4.29𝑒𝑉 es la afinidad electrónica del ZnO. Al sustituir
este resultado en (5), solo quedaría por introducir la constante
32𝐴
de Richardson, la cual tiene un valor de 𝐴∗ = 2 2
°𝐾 𝑚

Tenemos entonces la figura 10 en la que se representa la

gráfica I-V de la unión del Tungsteno con el ZnO:

Fig. 12 Comparación de la barrera de Schottky con la barrera de potencial de

la unión pn [6].
Fig. 10 Grafica I-V de la unión Tungsteno-ZnO [5].
 III. CONCLUSIÓN
El análisis de la unión M-S se ha presentado desde el siglo
XIX, mostrando grandes capacidades para emitir corriente,
pero no fue hasta que Schottky profundizo en este tema y logro
grandes avances hasta conocer esta unión como diodo Schottky.
El diodo Schottky represento la base para la elaboración de
diferentes dispositivos, en esencia la realización de contactos
óhmicos, por ejemplo, transistores de efecto de campo, si los
contactos Schottky esta con deficiencias en su fabricación
provocaría un mal funcionamiento del dispositivo electrónico.
Aunque su expresión matemática es muy similar a la del
diodo ideal, la ecuación de la unión M-S representa una
característica diferente, la cual es llamada constante de
Richardson además de otras constantes, además esta ecuación
permite conocer la barrera de potencial de la unión utilizando
la función del trabajo y la afinidad electrónica, conceptos que
son parte del tema de emisión termoiónica, cuando se tiene el
resultado de la unión se puede graficar diferentes puntos
generando así su curva característica de la unión M-S.
Concluyendo, el diodo Schottky empieza su funcionamiento
con un voltaje de polarización más pequeño que en la unión pn
esto representa grandes ventajas de un dispositivo sobre otro,
por lo que lo hace ideal para diferentes aplicaciones en la
industria de las telecomunicaciones.
IV. REFERENCIAS
[1]Paul Hlawiczka, “Introducción a la electrónica cuántica”, Editorial Reverté,
1977.
[2]Paul D. Ankrum, “Electrónica de los semiconductores”, Prentice Hall
International, 1974.
[3] https://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/semiconductors/junction_rectifying.php
[4]S. M. Sze, “Semiconductor devices: Physics and Technology”, Wiley, 1969
[5]Wenzhe Ma, Wendong Zhang, Pengwei Li, Jie Hu, Gang Li, Shengbo Sang,
“I-V Characteristics of the Metal Semiconductor Junction”, International
Conference on Computing, Measurement, Control and Sensor Network, 2012
[6]Adir Bar-Lev, “Semiconductor and electronic devices”, Prentice Hall, 1993.