ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Sistemas Microprocesados

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Nombre: Vladimir Vargas

Grupo: GR -4

Memoria ROM
Este tipo de dispositivos se conocen como memorias de solo lectura, se fabrican de tal forma que
solo puedan programarse una vez, esta acción se la hace generalmente en la fábrica. Son de tipo
no volátil, por lo que guardan la información permanentemente sin necesidad de estar conectadas
a una fuente de energía eléctrica. Se las utiliza para almacenar datos e instrucciones que se
utilizaran repetidamente en un sistema

Memoria PROM
Las PROM son una variable de las memorias ROM que pueden ser programadas por el usuario
mediante el uso de equipos especializados. Las PROM al igual que las ROM solo pueden
programarse una vez, sin embargo existen variantes llamadas EPROM, de las cuales se puede
borrar el contenido almacenado para posteriormente reprogramarlas mediante ciertos dispositivos
especiales en el caso de las E EPROM eléctricamente o a través de luz ultra violeta como es el caso
de las UV EPROM mediante una exposición de varios minutos a esta longitud de onda.

Memoria Flash
Las memorias Flash son una variación de las memorias PROM, por lo que se las describe como
memorias no volátiles reprogramables. A diferencia de las memorias PROM si capacidad es mucho
más elevada, y el proceso de reprogramación es mucho más sencillo que en las memorias PROM.
La característica principal de las memorias flash es su velocidad para realizar las tareas de escritura
y lectura (de aquí su nombre), su velocidad es tan alta que actualmente solo se ve limitada por la
velocidad del bus de datos que se utilice.

Memorias RAM
La memoria de acceso aleatorio o RAM es una memoria de tipo volátil, de modo que requiere estar
conectada a una fuente de energía eléctrica para mantener la información guardada, en caso de
que se desconectara de la fuente la memoria perdería los datos almacenados de manera
irreversible. Es un dispositivo de lectura y escritura, por lo que la información contenida puede
modificarse, en esta memoria la localización físicas real de una palabra de la memoria no tiene
efecto sobre el tiempo que se tarda en leer de esa localidad o escribir en ella. De modo que el
tiempo de acceso es el mismo para cualquier localidad de la memoria, de ahí su nombre de
memoria de acceso aleatorio.
Este tipo de memorias se dividen en dos clasificaciones dependiendo de la tecnología que utilizan:

DRAM
También conocida como memoria dinámica, utiliza condensadores como elemento de
almacenamiento, debido a esto no pueden mantener los datos durante mucho tiempo por lo que
requieren de un proceso de “refresco” para recuperar la carga en los condensadores y que los
datos almacenados no se pierdan. Debido a la sencillez de su estructura las DRAM pueden
 ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Sistemas Microprocesados
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

almacenar una cantidad mayor de información en comparación con las SRAM, pudiendo colocar
más celdas de memoria para un tamaño determinado.
Estas memorias poseen dos clasificaciones a su vez, las DRAM tipo FPM o modo rápido de página y
las DRAM con salida extendida de datos.

SRAM
Las SRAM son memorias estáticas (Static RAM), se diferencian de las DRAM en su elemento de
almacenamiento, generalmente latches, por lo que pueden mantener un dato por un tiempo
indefinido, siempre que esté conectado a una fuente de energía. Las memorias SRAM son mucho
más veloces que las memorias tipo DRAM en cuanto al ciclo de lectura, además de ser más
eficientes en cuanto al consumo de energía al no requerir de un proceso constante de refresco.
Las memorias SRAM tienen dos tipos básicos, las SRAM asíncronas y las SRAM síncronas de ráfaga.

BIBLIOGRAFIA
 Sistemas Digitales, CARLOS NOVILLO M. Cap. 5
 Fundamentos de Sistemas Digitales, THOMAS FLOYD Cap. 10