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T4KB(20~80)

橋式整流器 Bridge Rectifier

■特徵 Features ■外形尺寸和印記 Outline Dimensions and Mark


●Io 4.0A 單位 Unit:mm
● VRRM 200V~800V
型號、電壓等級(例) 22±0.3 批號(例) 3.6±0.2
● 玻璃鈍化芯片 Type 、Class(example)
Date Code(example)

Glass passivated chip T4KB20 34


1.75 3×45°
● 耐正向浪湧電流能力高

18.5±0.3
2
High surge forward current capability

2.0±0.2

10±0.1
- ~ ~ +
■用途 Applications 2.0±0.2
3.35±0.2
● 作一般電源單相橋式整流用
2.0±0.2

18±0.5
General purpose 1 phase Bridge 1.1±0.1
0.5±0.1

rectifier applications
5.1±0.1 5.1±0.1 5.1±0.1

■極限值(絕對最大額定值)
Limiting Values(Absolute Maximum Rating)
參數名稱 符號 單位 條件 T4KB
Item Symbol Unit Conditions 20 40 60 80
貯存溫度
Tstg ℃ -40 ~ +150
Storage Temperature
结温
Tj ℃ +150
Junction Temperature
反向重復峰值電壓
VRRM V 200 400 600 800
Repetitive Peak Reverse Voltage
用散热片 Tc=110℃
4.0
平均整流輸出電流 50Hz 正弦波,電阻負載, with heatsink Tc=110℃
Io A
Average Rectified Output Current 50HZ sine wave, R-load 無散熱片 Ta=25℃
2.3
Without heatsink Ta=25℃
正向(不重復)浪涌電流 50HZ 正弦波,一個周期,Ta=25℃
IFSM A 150
Surge(Non-repetitive)Forward Current 50HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃
绝缘耐压 端子與外殼之間外加交流電,一分鐘
Vdis kV 2
Dielectric Strength Terminals to case,AC 1 minute
安装扭矩 推荐值:5kg・cm
TOR kg・cm 8
Mounting Torque Recommend torque:5kg・cm

■電特性 (Ta=25℃ 除非另有規定)


Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
參數名稱 符號 單位 測試條件 最大值
Item Symbol Unit Test Condition Max
正向峰值電壓 IFM=4.0A, 脈衝測試,單個二極管的額定值
VFM V 1.0
Peak Forward Voltage IFM=4.0A, Pulse measurement, Rating of per diode
反向峰值電流 VRM=VRRM ,脈衝測試,單個二極管的額定值
IRRM μA 5
Peak Reverse Current VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode,
結和環境之間,無散熱片
RθJ-A 23
Between junction and ambient, Without heatsink
熱阻 結和引線之間,無散熱片
RθJ-L ℃/W 4.2
Thermal Resistance Between junction and lead, Without heatsink
結和管殼之間,用散熱片
RθJ-C 5.5
Between junction and case, With heatsink

天津中環半導體股份有限公司
TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR JOINT-STOCK CO.,LTD. 1
T4KB(20~80)
■特性曲綫(典型) Characteristics(Typical)

10 12
IF(A)

P(W)
5 10
Ta=150℃
8
2
Ta=25℃
1 6

0.5 4
脈衝測試
單個二極管 2 正弦波
0.2 pulse test sine wave
per one diode Ta=150℃
0.1 0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 0 1 2 3 4 5 6
VF (V) IO (A)
正向特性 功率損耗曲綫
Forward Characteristics P-IO Curve

180 正弦波 sine wave 3 在玻璃-環氧基板上


IFSM(A)

IO(A) on glass-epoxi substrate


IFSM

160 0
10ms 10ms P.C.B.
1cycle - ~ ~ +
140 2
不重復
non-repetitive 正弦波,電阻負載,
120 Ta=25℃ 空氣中,無散熱片
sine wave R-load
free in air
100 1 Without heatsink

80

60 0
1 2 5 10 20 50 100 0 40 80 120 160
周波數
Number of Cycles Ta (℃)
耐正向浪湧電流能力 IO-Ta 曲綫圖
Surge Forward Current Capability IO-Ta Curve

5
TC
散熱片 TC
IO(A)

heatsink
4

1 正弦波,電阻負載,
用散熱片
sine wave,R-load
With heatsink
0
90 100 110 120 130 140 150 160
TC (℃)
IO-TC 曲綫圖
IO-TC Curve

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