UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

CURSO

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

DOCENTE

M. Sc. Ing. CARLOS A. CHAMBERGO LARREA

TRABAJO

MEMORIA RAM

DATOS PERSONALES
JOSÉ FERNANDO RACHI MONTALVO.

CICLO: VIII

FECHA

27-11-2017
 MEMORIA RAM

La memoria RAM, o memoria de acceso aleatorio

(Random Access Memory) es la memoria de trabajo de
las computadoras para el sistema operativo, los
programas y casi todo el software.
Aquí se cargan todas las instrucciones que serán
ejecutadas por la Unidad Central de Procesamiento
(CPU). Trabaja con un conjunto de semiconductores de
estado sólido, y se llama aleatoria ya que se puede leer
o escribir datos en cualquier posición de memoria y el
tiempo de espera será igual a diferencia de la ROM de
donde solo se puede leer.
Es mucho más rápida, pero su desventaja es que al suprimirle la energía eléctrica, los
datos que se tienen guardados se borran de forma instantánea, es por ello que se le
conocen como “Memorias Volátiles”.

Estructura Interna
El principio de almacenamiento de la memoria RAM es muy
sencillo, ya que los circuitos integrados de la memoria
contienen en su interior millones de condensadores
combinados con transistores. Cada uno almacena un bit de
información, y el transistor opera como interruptor al cambiar
el estado del capacitor que puede tener un estado alto o bajo
según las codificaciones digitales (0 o 1) que reciba de
microprocesador. Esto hace que cada segundo se produzcan
millones de operaciones de cambios de estado.
Las celdas de datos se ordenan en filas y columnas de bits,
organizados en grupos de 8 bits que equivalen a 1 byte.

Su posición dentro la Arquitectura Harvard

Es en la memoria RAM donde se realiza la carga de todas las instrucciones que el
procesador va a ejecutar en determinado momento, es decir mantiene los datos al
alcance fácil y rápido del procesador.
Célula básica de Memoria RAM: Utiliza un Flip Flop, que es un bloque lógico que
permite el almacenamiento de información de 1 bit.

Entrada de endereços : Entrada de direcciones

Entrada do dado a ser escrito : Entrada del dato a ser escrito
Controle escrita/leitura : Control de escritura / lectura
Saída de leitura : Salida de lectura.

Memoria RAM de N posiciones

2𝑛 = 𝑁
Donde:
n=Número de variables de direccionamiento
N= Número de posiciones de memoria
Entonces para 4 posiciones de memoria, n=2.