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flash?part=2

Memórias
Rom

Rom (Read-Only Memories) – memória de apenas leitura a semicondutor, que

armazena informação em caráter permanente.
Durante sua operação normal nenhum dado pode ser escrito na ROM, ou seja, é
utilizada somente para leitura dos dados que foram armazenados previamente.
Para alguns tipos de ROM os dados são gravados durante o processo de fabricação
enquanto que, para outros, os dados são gravados eletricamente.
O processo de gravação de dados em uma ROM é denominado programação ou queima.
Algumas ROMs não podem ter seus dados alterados, enquanto que outras podem ter
seus dados apagados e regravados.
As ROMs são não voláteis e por isso são empregadas para guardar dados que não
mudarão durante a operação de um sistema, uma vez que, após cessada a alimentação
elétrica os dados não se perdem. Aplicada no armazenamento de programas de sistemas
operacionais em computadores e outros sistemas digitais (eletrodomésticos, sistema de
segurança, caixa eletrônico), Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada
na construção de um circuito combinacional qualquer. Simbologia (mais comum):

Figura 1 - Símbolo –ROM

Na realidade trata-se de um circuito combinacional codificador onde E0 a E2 são as
entradas. Essas entradas combinadas equivalem ao endereço e, na saída têm-se a palavra
S0 aS4. Por exemplo: para o endereço 100, a palavra na saída seria 10111.
É importante notar que no codificador somente uma das entradas pode ser levada a nível
lógico 1 de cada vez, o que limita uma ROM feita com codificadores.
uma alternativa é utilizar um decodificador e um codificador, para implementar uma
ROM, conforme mostra a figura 3. Podemos através das combinações de entrada
estabelecer uma saída, onde neste caso, as entradas poderão estar todas submetidas a
nível 1.

Figura 3- Estrutura Geral para uma ROM combinacional

A vantagem deste circuito é o aumento na capacidade de armazenamento, para um
número de linhas de endereçamento mais reduzido. Para n linhas de endereçamento
haverá 2n entradas no codificador e consequentemente 2n palavras.
Com base no decodificador e codificador, podemos projetar uma memória ROM,
conforme a tabela 1, mostrada na fig.4:
Tabela 1

Figura 4- ROM combinacional

ROM (Read Only Memory) – é uma memória somente de leitura, ou seja, os dados são
armazenados no processo de fabricação, não permitindo nova gravação. Em
computadores antigos a ROM continha a programação (BIOS-Basic Input Output
System) que permite a inicialização de um computador
A Arquitetura básica utilizada para ROM nos processos de fabricação dos circuitos
integrados atuais.

Fig.6-ROM Máscara ROM 4X4

PROM (Programmable Read-only Memory) é uma ROM que é fornecida virgem para o
comprador. Para a gravação de dados na ROM deve ser usado um equipamento
especial. A gravação é feita de uma só vez, para toda a capacidade da PROM, e uma vez
realizada, não pode ser desfeita. A gravação é feita através da circulação de uma
corrente elétrica que rompe o fusível onde deseja-se armazenar o nível lógico ‘0’.

EPROM
(Erasable Programmable ROM - ROM Apagável e Programável) foi inventada pelo
engenheiro Dov Frohman.
Uma EPROM, ou Erasable Programmable Read-Only Memory, é um tipo de dispositivo
de memória de computador não-volátil, isto é, mantém seus dados quando a energia é
desligada. Uma EPROM é programada por um dispositivo eletrônico que fornece
tensões maiores do que as usadas normalmente na alimentação do dispositivo. Uma vez
programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz
ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 micros). EPROMs são facilmente
reconhecíveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silício
pode ser visto (Fig.6), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento. O
processo de apagamento dura de 10 a 30 minutos.

Figura 6. EPROMS e a pequena janela de quartzo para a passagem da luz ultravioleta

durante o apagamento.

Uma EPROM programada mantém seus dados por aproximadamente dez a vinte anos e
pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para
evitar apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic Input/Output
Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente coberta
com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a revisão da BIOS, e um aviso
de copyright (Fig.6a).
Figura 6a. Microcontrolador 8749 que armazena seu programa em uma EPROM.
Antes da era da memória flash, alguns microcontroladores frequentemente, usavam
EPROM para armazenar seus programas. Este procedimento é útil para
desenvolvimentos de projetos, possibilitando que os dispositivos programáveis sejam
programados várias vezes, facilitando a depuração do projeto.
Para se programar uma EPROM, é necessário utilizar um equipamento conhecido como
Programador, que são encontrados em empresas especializadas ou pode-se fazer um
programador do tipo caseiro.

Existem EPROMs em vários tamanhos (físicos) e de capacidade de armazenamento, ver

tabela 2: Tabela 2- Memórias EPROMs comerciais
Tipo de EPROM Tamanho - bits
Tamanho - bytes
Tamanho (hex)
Último endereço (hex)
2716, 27C16 16 kbit 2KBytes 800 007FF
2732, 27C32 32 kbit 4KBytes 1000 0F 2764, 27C64 64 kbit 8KBytes 2000 01FFF
27128, 27C128 128 kbit 16KBytes 4000 03FFF 27256, 27C256 256 kbit 32KBytes
8000 07FFF 27512, 27C512 512 kbit 64KBytes 10000 0FFFF 27C010, 27C100 1Mbit
128KBytes 20000 1FFFF 27C020 2 Mbit 256 kbytes 40000 3FFFF 27C040 4 Mbit 512
kbyte 80000 7FFFF
NOTA: As séries de EPROMs 27x contendo um C no nome são baseadas em CMOS,
sem o C são NMOS

Na figura7 mostra-se uma célula de uma EPROM.

As células de armazenamento em uma EPROM são transistor MOS com porta de silício
sem conexão (flutuante). No estado normal, o transistor está desligado e a célula
armazena 1 lógico. O transistor pode ser ligado aplicando um pulso de tensão que injeta
elétrons de alta energia na região da porta flutuante. Estes elétrons ficam presos, pois
não há caminho de fuga.

Figura7- Seção transversal de uma célula de uma EPROM NMOS

Uma EPROM pode ser programada pelo usuário e pode ser apagada e reprogramada
quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste em aplicar
tensões especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo (50ms por
locação).
Uma EPROM pode ser apagada se for exposta a luz ultravioleta, que produzirá uma
corrente da porta flutuante para o substrato, removendo as cargas e desligando o
transistor, e restaurando o 1 lógico. Este processo deve gastar entre 15 e 20 minutos,
dependendo da memória e intensidade de luz, e apagará toda a memória.

EEPROM

Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) é um chip

de armazenamento não-volátil usado em computadores e outros aparelhos.
Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada várias
vezes, eletricamente e ainda isoladamente por palavras de dados (bytes individuais) sem
necessidade de reprogramação total. Este fato faz com que as alterações sejam efetuadas
pelo próprio sistema no qual a memória esteja inserida.
Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um
número limitado de vezes, que variam entre as 100.0 e 1 milhão. A memória flash é
uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para
reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as
memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam
de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um
transístor de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só
necessitam de um.
Dispositivos da série MAX7000S como o EPM7128SLC84-7 de média densidade, tem
internamente elementos de uma EEPROM. Este dispositivo apresenta as seguintes
características:
· PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier )-package de 84 pinos;
• 128 macro células onde cada macro célula tem um array de AND programável/OR
fixa; registrador reconfigurável com clock independente programável, clock enable,
clear e funções preset.
• Capacidade de 2500 Gates;
• Arquitetura simples, ideal para projetos introdutórios, funções lógicas combinatórias e
sequenciais;
• Tensão de alimentação de 5,0 e 3,3V;
• Reprogramável no sistema;
• Compatível PCI2;
• Apresenta alta velocidade (tp=5ns)
2Barramento PCI (Peripheral Component Interconnect) surgiu no início de 1990(Intel).
Tem como características a capacidade de transferir dados a 32 bits e clock de 3 MHz,
especificações estas que tornaram o padrão capaz de transmitir dados a uma taxa de até
132 MB por segundo. Os slots PCI são menores que os slots ISA (Industry Standard
Architecture) padrão anterior a este, assim como os seus dispositivos.

Memória Flash

As memórias Flash foram uma resposta da indústria às memórias EPROM e

as seguintes características:

 EEPROM, que oferecem as vantagens destas memórias sem o alto custo,

apresentando
 Não-Volátil • apagável e escrita feitos eletricamente como as EEPROMS
 Apagável eletricamente total ou por setor, no circuito
 Grande Densidade
 Alta Velocidade de Acesso (igual a EPROM e a EEPROMs)
 Baixo custo

A Memória Flash é uma memória de computador do tipo EEPROM que permite que
múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Trata-se de um
dispositivo reprogramável e ao contrário de uma RAM, preserva o seu conteúdo sem a
necessidade de fonte de alimentação. Esta memória é comumente usada em cartões de
memória drives flash, USB e em iPod.
Também vem sendo chamada de disco sólido pelas suas perspectivas de uso, não
somente devido a sua maior resistência quando comparada aos discos rígidos atuais,
mais por apresentar menor consumo, maiores taxas de transferência, latências e peso
muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados
na alimentação de discos rígidos. Já é utilizado em notebooks, o que será expandido
para a versão desktop nos próximos 5 anos.

A célula de uma memória Flash é semelhante à célula de uma EPROM, e é construída

por um único transistor. Na memória Flash, uma fina camada de óxido de silício forma
a porta (Gate) do transistor, permitindo apagar eletricamente a memória e uma maior
densidade que as EEPROMs, com um custo menor. A Figura 9 compara os dois tipos de
células de memória, onde a camada de óxido entre a porta e o substrato na célula Flash é
100 Angstroms, aproximadamente, e na EPROM é maior que 150 Angstroms.
Figura 9- Célula Flash e Célula EPROM

Na operação de escrita, uma alta tensão de programação (VPP=12 Volts) é aplicada na

porta de controle (Control Gate), a tensão no dreno (Drain) é aumentada para 6 Volts
enquanto a tensão na fonte (Source) permanece em 0 Volts. Isto forma uma região
reversa, crescendo a corrente dreno-fonte, provocando um aumento na energia dos
elétrons que vencem a barreira de óxido e são capturados pela porta

Figura 10 - Célula Flash - Operação de Escrita

Depois da escrita ser concluída, uma carga negativa na porta flutuante aumenta a tensão
de limiar (Vt) da célula acima da tensão equivalente a 1 lógico da linha de seleção de
palavra (worldline). Quando a linha de seleção de palavra de uma célula escrita é levada
ao nível lógico 1 durante uma leitura, a célula não conduzirá. Um amplificador sensor
detecta e amplifica a corrente da célula, e fornece uma saída 0 para uma célula escrita.
flutuante para a fonte através da fina camada de óxido

Para apagar o conteúdo de uma célula Flash, a tensão de fonte (Source) é colocada em
VPP=12 Volts, a port (Control Gate) de controle é aterrada e o dreno (Drain) fica
flutuando ( Fig. 10).Devido à grande tensão aplicada na fonte (em relação à tensão na
porta), há uma atração dos elétrons negativamente carregados da porta
Depois da operação de apagar ser completada, a ausência de cargas na porta flutuante
baixa a tensão Vt da célula para um valor abaixo da tensão equivalente a 1
o transistor conduzirá mais corrente que uma célula escrita, fornecendo saída lógica 1
lógico da linha de seleção de palavra (worldline). Quando uma célula apagada tem a
linha de seleção de palavra (worldline) colocada no nível lógico 1 durante uma leitura,
3- Circuito Integrado (CI) - Memória Flash CMOS A28F256A
A28F256A (DIP-dual-in-line), da Intel, cuja capacidade é 32K X 8-palavrasXbits
É mostrado na figura 12, o símbolo lógico para o CI da memória Flash, CMOS
Figura12- Pinagem do dispositivo 28F256A. As funções executadas por cada pino do
diagrama acima estão indicadas na tabela 3.

Tabela 3-Pinagem e função dos pinos.

Diagrama Funcional ou diagrama de blocos para a memória Flash A28F256A (Figura
13).
Todas as operações associadas com alterações no conteúdo da memória - identificador
inteligente, apagar, verificação de apagar, programar e verificação de programa - são
acessadas através do registrador de comando, interno à memória.

Figura13- Diagrama de blocos para a memória Flash A28F256A.

tem-se as informações completas da operação, dadas pelo fabricante

As operações de leitura, escrita e 'standby' são controladas pelas entradas de controle
WE#, CE# e OE#. A tabela 3 mostra resumidamente o que acontece com os pinos de
dados DQ0 a DQ7 para diferentes níveis das entradas de controle. Na tabela 4
Tabela 3 - Da Operação Input Output
Modo CE OE WE Dados
*Note: se VPP≤6,5V a operação de escrita não pode ser executada. Isto assegura à
memória
Flash um comportamento de ROM. Em outras palavras, se a tensão VPP for menor que
6,5Volts, o registrador de comando vai para 00H e a memória entra no modo de
somente leitura

Tabela 4- Memória Flash A28F256A-operação

O Registrador de Comando é usado para gerenciar todas as funções do dispositivo,

como:
 Apagar;
 Apagar e Verificar;
 Programar;
 Verificar programa;

Para que a memória realize qualquer uma das operações listadas na tabela 4 é necessário
alterar o conteúdo do registrador de comando da memória. As operações da memória
são selecionadas aplicando um tensão maior que 6,5V no pino VPP , em seguida,
escreve-se uma palavra de dados específica no registrador de comandos.