AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR

BIPOLAR EN EMISOR COMUN

Informe de Laboratorio de Electrónica I
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Lima – Perú

Abstract 2. El transistor como

amplificador
Etude des caractéristiques de
l'amplificateur dans l'émetteur Se hace bajo condiciones
commun. Zin et Zout. donde se encuentra
linealidad entre las
I. Fundamento Teorico características de la señal de
entrada y la señal de salida.
1. El transistor Estas son las de tener
pequeña amplitud y baja
Dispositivo semiconductor frecuencia; es decir cuando
activo que tiene tres o más la entrada es menor de 26mV
electrodos. Los tres con el fin de no sobrepasar la
electrodos principales son linealidad entre las curvas de
emisor, colector y base. La entrada como diodo BE y
conducción entre estos utilizando frecuencias en la
electrodos se realiza por banda de audio-frecuencia
medio de electrones y que es de 100Hz a 10KHz,
huecos. El germanio y el pudiendo abarcar alta
silicio son los materiales más fidelidad hasta 30KHz y ultra
frecuentemente utilizados sonido hasta 100KHz.
para la fabricación de los
elementos semiconductores. Una de las configuraciones al
ubicar un transistor dentro de
Es un dispositivo electrónico un circuito amplificador tiene
semiconductor que cumple como resultado que el emisor
funciones de amplificador, forma parte tanto de la
oscilador, conmutador o mallade entrada como de la
rectificador. malla de salida para la señal
AC, por lo que el amplificador
recibe el nombre de emisor
común.
 II.Materiales
4. Osciloscopio
1. 01 Transistor 2N2222

Figura N°04

Figura N°01
5. Generador de funciones

2. Multímetro

Figura N°05

6. Puntas de prueba
Figura N02

3. Protoboard

Figura N°06
Figura N°03
7. Resistores de 1. Comparación entre valores
(1,5.6;10;91;15,100)kΩ(0.5w) teóricos y experimentales

Circuito de trabajado

BAT1

12V

R4 R5
100k 5k
C1

10uF
R6 C3 Q1
2N2369
1k
100uF
Figura N°07 + R3
15k R1
1k +88.8
+88.8 R2 C2
8. Condensadores de (10 y 100) AM FM
- AC mV 1k 10uF
AC mV

uF

Figura N°10

Tabla de valores teóricos y

Figura N°08
experimentales

9. Fuente regulada. Polarización del transistor

VC VB VE VCE VBE

Teórico 7.86 1.56 0.86 7 0.7

Experiment. 7.69 1.48 0.81 6.88 0.67

%Error 2.16 5.12 5.81 1.71 4.28

Figura N°09 Tabla N°01

Formas de onda ( Entrada y salida)
variando la frecuencia.

2. Porcentaje de error %

3. Dibuje laforma de onda Vm y

de la VL
Frecuencia 10K
Frecuencia 5K

Frecuencia 5K
Frecuencia 10K
V.
8.4 V.
entrada(mv) 6.7
Experimental entrada(mv)
V. Experimental
218 V.
salida(mV) 199
salida(mV)
V.
7.1 V.
entrada(mv) 6.6
Teórico entrada(mv)
V. Teórico
212 V.
salida(mV) 190
salida(mV)
entrada 15.48 1.49
% Error entrada
% Error
salida 2.75 salida 4.52
 Frecuencia 25K

Frecuencia 50K

Frecuencia 25K
V.
5
entrada(mv)
Experimental Frecuencia 50K
V.
10 V.
salida(mV) 4.3
entrada(mv)
V. Experimental
5.2 V.
entrada(mv) 2.9
Teórico salida(mV)
V. V.
12 4.7
salida(mV) entrada(mv)
Teórico
4.00 V.
entrada 3.88
% Error salida(mV)
20.00 entrada 9.30
salida % Error
salida 33.79
 Frecuencia 100K Frecuencia 200K

Frecuencia 200K
Frecuencia 100K
V. 4.8
V. 4.8 entrada(mv)
entrada(mv) Experimental
Experimental
V. 1.7
V. 2.1 salida(mV)
salida(mV)
V. 4.5
V. 4.7 entrada(mv)
entrada(mv) Teórico
Teórico
V. 2.1
V. 2.8 salida(mV)
salida(mV)
6.25
2.08 entrada
% Error
entrada
% Error 23.53
33.33 salida
salida
 Frecuencia 500K 4. Dibuje el grafico de
respuesta en frecuencia
indicando la ganancia de
𝑽𝑳
tensión ( A = )vs
𝑽𝒊𝒏
frecuencia, usando escala
semilogaritmica (Curva de
Bode)

Frecuencia 500K
V. 4.8
entrada(mv) DIAGRAMAS DE BODE
Experimental
V. 1.9
salida(mV)
V. 4.2
entrada(mv)
Teórico
V. 1.8
salida(mV)
12.50
entrada
% Error
5.26
salida

Los errore se explican debido a que el

amplificador de emisor común es
inestable para altas frecuencias.
 Entonces

Av=- 4.966 (desfasaje de 180 con

respecto a la entrada)

5. Que impedancia de entrada

tiene el amplificador?

𝑍𝑖𝑛 = ℎ𝑖𝑒

De la pregunta anterior
25𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = ℎ𝑖𝑒 = 30.196𝐾Ω
𝐼𝑏𝑞

RESUMEN DE CONFIGURACION
6. Que impedancia de salida
DEL EMISOR COMUN
tiene el amplificador?
𝛽𝑅0
𝐴v = −
ℎ𝑖𝑒
7. Indique y explique sus
𝐴i = 𝛽 observaciones y
conclusiones.
𝑍𝑖𝑛 = ℎ𝑖𝑒 Observaciones

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅0  El transistor no se deja abierto

porque se quema.
Como:
 Todo transistor se debe
hfe=182
polarizar antes de usarlo.
Ieq=0.826*10−3 A

Entonces  Leer el datasheet del transistor

a usarse.
hie= 30.193KΩ
Conclusiones
Ademas
 La forma de onda de entrada y
R0=5K // 1k =0.833 K salida están en fase.
 El voltaje de salida es mayor VL vs Vin
que al voltaje de entrada. 250

200

 Al variar la frecuencia el valor 150

del voltaje de salida aumenta,
100
luego para una cierta
frecuencia el voltaje disminuye 50
eso debido a que se esta
0
trabajando con tensiones muy
0 20 40 60 80
pequeñas.
Figura N°14

8. Graficar VL vs Vin

Vin (mv) VL (mv)

175.8
56 176
57 177
59 166
67.4 210

Tabla N°05