EPA U1-Semiconductores de Potencia PDF

Electrónica de Potencia
Aplicada
I. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Temario
1.1. Diodos de potencia.
1.1.1 Características y parámetros.
1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos.
1.1.3 Aplicaciones industriales.
1.1.4 Alimentación de motores de c.c.
1.2. Transistores de potencia.
1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT).
1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS).
1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT).
1.2.4 Características y parámetros.
1
Temario
1.3. Aplicaciones en máquinas eléctricas.
1.3.1 Arranque y paro de un motor de c.c. con un IGBT.
1.3.2 Control de velocidad de motores de c.c.
1.4. Circuitos de control híbridos (Electrónicos-electromecánicos).
1.5 Circuitos de disparo.
1.5.1 Circuitos de disparo para transistores con aislamiento óptico.
1.5.2 Circuitos de disparo para transistores con aislamiento magnético.
1.5.3 Activación de circuitos de disparo con circuitos digitales.
Competencia de la Unidad
Conoce y comprende los diferentes semiconductores de

potencia para rectificar señales alternas y utilizarlas en
forma rectificada en motores eléctricos de corriente directa
y dispositivos de estado sólido.
2
Evaluación
1.1 Diodos de potencia

Curva características polarización directa
i
i [mA]
1
(exponencial)
+
P
V N
0
- -0.25 0.25 V [V]
3
Curva características polarización inversa
i [A]
i
+ -0.5
0
P V [V]
V N
-0.8
- (constante)

Diodo Ideal En polarización directa, la caída de
tensión es nula, sea cual sea el valor de
i
la corriente directa conducida
i
Ánodo
+
curva característica
V
V
Cátodo
- En polarización inversa, la corriente conducida
es nula, sea cual sea el valor de la tensión
inversa aplicada
4
Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
Contacto metal-
sintética)
semiconductor
P Oblea de
N semiconductor
Contacto metal-
Marca semiconductor
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal

Encapsulados Axiales
DO 201
1N4148
(Si)
DO 204
5
Encapsulados de Potencia
TO 220 AC DO 5
DOP 31
B 44

2 diodos en cátodo Puente de diodos
En aplicaciones
común
~ ~ +
industriales es + ~ ~ -
común encontrar + ~ ~ B380 C3700
configuraciones de (Si)
diodos en un mismo -
encapsulado ~ +~
BYT16P-300A B380 C1500
(Si) (Si)
6
Características Fundamentales
Voltaje de ruptura
Baja tensión Media tensión Alta tensión
• Voltaje de ruptura inverso (Vrsm) 15 V 100 V 500 V
• Voltaje de polarización directa (Vf) 30 V 150 V 600 V
• Corriente máxima (If) 45 V 200 V 800 V
• Velocidad de conmutación 55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
El voltaje de ruptura inverso es crítico.

Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo
7
Corriente máxima de trabajo (Con disipador)

Características Dinámicas
8
Para mejorar las características de los diodos estos se
conectan en arreglos.
En paralelo para
aumentar la corriente
efectiva.

En serie para aumentar el

voltaje de ruptura
inverso.
9
Aumenta corriente
efectiva y voltaje de
ruptura inverso.

Recordemos:
1
𝑉 = 𝑣 𝑡 𝑑𝑡
𝑇
1
𝑇
10
Recordemos:

Rectificador Media Onda.
11
Vrms de Rectificador Media Onda.
Vm de Rectificador Media Onda.
DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

Rectificador Media Onda.
12
Rectificador Onda Completa.

Vrms de rectificador de onda completa.
Vm de rectificador de onda completa.
13
Rectificador Onda Completa.

Rectificador Trifásico.
14
Vin - Rectificador Trifásico.

Vout - Rectificador Trifásico.
15
Vrms de rectificador trifásico
Vm de rectificador trifásico

Vout - Rectificador Trifásico.
16
PRACTICA 1
PROBLEMA:
Se desea iluminar un área por
medio del circuito mostrado en la
figura, sin embargo, cuando se
conecta a la fuente de AC el
circuito brilla un instante y se
quema.
En un foro en línea discuta de
manera grupal las posibles causas y
soluciones, llegue a un solución
consensada. Simule e implemente
el circuito.

TIPS:
Para obtener un buen aprovechamiento de los leds se debe
aplicar una corriente promedio de 30mA
17
PRACTICA 2:
Conectar un motor de C.C. de 90Volts (carga de prueba si no

es posible) a un voltaje pulsante de corriente directa (media
onda y onda completa). Observar las formas de onda y
medir el voltaje RMS y el voltaje promedio.
Aplicada
1. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
18
1.2 Transistores de Potencia
Colector (N) C
Base
(P) G
NPN Emisor (N) E
Metal Oxid Semiconductor Isolated Gate Bipolar

Bipolar Junction Transistor
Field Effect Transistor Transistor
Transistor Bipolar (BJT)

Colector (N)
Base Entrada
(P)
IB[mA] VCE= 5V
NPN Emisor (N)
100 VCE=0
Referencias Curvas de VCE= 10V
normalizadas entrada
VBE[V]
IC
IB C
+
0 0,6
+ VCE
B
VBE -
E
-
19
Curvas de salida
Referencias IC [mA]
normalizadas IB= 400A
40
IC IB= 300A
C
+
IB IB= 200A
+ VCE 20
B IB= 100A
VBE -
E
- IB=0A VCE [V]
0 2 4 6
IEC0 =IC0·(1+bF)

Curvas de salida
IC [mA]
IB= 400A
Referencias
normalizadas
40
IB= 300A
IC IB= 200A
+ 20
C IB= 100A
IB
+ VCE Saturación
B IB=0 VCE [V]
VBE - A
E
- 0 -2 -4 -6
Zona Activa
Corte
En circuitos de potencia, los transistores trabajan en saturación y en corte
20
Como en el caso de las uniones PN en general, se caracterizan como:
• Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
• Tiempos de conmutación (en conmutación)
Concentración Transistor saturado
P+ N- P Para cortar el
pB (sat.)
transistor hay que
eliminar todo este
exceso de portadores.
nE pB corte nC Transistor cortado
0
El tiempo más largo es el de retraso por el almacenamiento de

portadores minoritarios en la base, tS.

¿Cómo disminuir el de retraso por el almacenamiento de portadores minoritarios en la
base, tS?
a) No dejando que el transistor se sature muy intensamente (que quede en el límite zona
activa-saturación).
b) Extrayendo los minoritarios de la base polarizando inversamente la unión base
emisor.
Situación menos
pB (sat.) deseable (muy saturado)
pB (lim.)
Situación más deseable
(en el límite)
(desde en punto de vista de la rapidez)
21
R2
Circuitos de “antisaturación”:
VCB + V2 El transistor se queda en el límite
R1 N entre saturación y zona activa.
-
P
N
V1
Con diodo Schottky
R2
VCB +
R1 N
- V2
P
Estos diodos impiden la N
polarización directa de la
unión CB. V1
Con 3 diodos
22
Circuito con extracción lenta de
R2 los minoritarios de la base.
V2
Saturación R1 N
V1 P
+ N
Corte
VBE -

Circuito para la extracción rápida
de los minoritarios de la base.
R2
Esta corriente es la de C1
eliminación de los V2
minoritarios de la base R1/2 N
V1 R1/2
P
+ N
VBE
-
23
TO 220 TO 247
TO 3 D 61
24
Tensión CE máxima
40, 60, 80, 100, 150, 200, 250, 500
Corriente máxima
1 A – 100 A
b (hFE)
5 - 50 A mayores potencias, los valores de b son menores
SOAR Zona de trabajo seguro
Se dan fenómenos de
avalancha secundaria
Esta curva se modifica con

la temperatura
25
SOAR (Safe Operating ARea)
Al aumentar la temperatura, disminuye la

capacidad de manejar potencia

VCE
Las conmutaciones no son ideales ,

durante un cierto tiempo conviven
tF tR tensión y corriente
IC
PÉRDIDAS
26
Características principales de los transistores de potencia.
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Disipación de potencia
27
28

Aplicación típica de transistor en corte y saturación.
Ic
Si la carga es inductiva requiere
D1 indispensablemente el diodo D1 para
RL
disipar la energía almacenada por este
tipo de carga.
Vpower
RB Q1
D1 debe de contar con las mismas
Ib características dinámicas del transistor.
Vbase
Este diodo recibe el nombre de diodo

de giro libre o “free wheeling diode”.
29
Ic
Típicamente se requiere encontrar el
D1 valor de RB para saturar correctamente
RL
el transistor, por lo cual se analiza la
malla de la base por donde pasa Ib.
Vpower
RB Q1
La corriente de la base la determina la
Ib corriente Ic que circula por la malla
colector emisor.
Vbase
𝐼𝑐
= 𝐼𝑏
ℎ𝑓𝑒

Ecuaciones para encontrar RB, Ib, Ic
30
Ejemplo. Utilizando la configuración típica de corte y saturación, encontrar
RB para un circuito donde la carga es un motor de 12V con una
resistencia equivalente 4 ohms. El transistor utilizado es un 2N3055 y el
diodo de giro libre un MUR460.
Nota: Verifique que las características del transistor y el diodo sean

adecuadas para la aplicación.
Vsat 2N2222a = 1.2V

hfe 2N3055 = 30

Se determina que la resistencia
adecuada para la aplicación es
de 39 Ohms.
Se verifican los cálculos por

medio de una simulación
31
Típicamente el voltaje y corriente de la base es suministrado por un

dispositivo digital de baja potencia, como un microcontrolador, por lo que
se requiere de una etapa previa de amplificación de corriente también
llamada circuito de disparo.
Esta etapa consiste en un transistor de pequeña señal con hfe elevado

que será saturado por el dispositivo de baja potencia y este transistor a su
vez saturará el transistor de potencia.
32
Circuitos de Disparo
Típicamente se requiere encontrar el valor de RBB y RCC por lo que se analizan las 3
mallas por donde pasa I1 I2 e I3
33
Ejemplo. Utilizando la configuración de corte y saturación con circuito de
disparo, encontrar RBB y RCC para un circuito donde la carga es un motor
de 12V con una resistencia equivalente 4 ohms. El transistor de potencia
utilizado es un 2N3055, el transistor de pequeña señal es el 2N2222a y el
diodo de giro libre un MUR460.
Nota: Para asegurar el funcionamiento se consideran hfe bajas, así como,

altos Vsat.
Vsat 2N2222a = 1.2V
hfe 2N2222a = 100
hfe 2N3055 = 30
PRACTICA 3
34
Como se puede observar la corriente entregada por el voltaje de

control es menor a 1mA por lo que cualquier microcontrolador o
dispositivo de baja potencia sería capaz de dispararlo.
Control de velocidad motor de CD
En la mayoría de las aplicaciones de motores de CD es necesario el

control de velocidad. Una forma de lograrlo es regular el voltaje y corriente
aplicado a la armadura. Al aumentar el voltaje de armadura el motor
acelera.
Una de las técnicas mas utilizadas es la modulación por ancho de pulso

o PWM (por sus siglas en inglés) para variar el voltaje y corriente
promedio en la armadura.
35
Esquema general de PWM.
36

Recordemos:
1
𝑇
37
Voltaje promedio en la carga. 𝑉

Voltaje promedio en la carga. 𝑉
38
Señal de disparo PWM
39
40
Se observa la analogía entre un generador rampa y un contador digital

Implementación de PWM digital
Contador Digital +
Registro de memoria
Comparador Digital Señal PWM
41
Para implementar un PWM de manera digital se requiere de un contador, un
registro de memoria y un comparador digital. La tarjeta de desarrollo
ARDUINO UNO cuenta con este hardware internamente, por lo que la
implementación del PWM es muy sencilla y eficiente.

Circuito Implementado
42
Periféricos Implementados

Diagrama de flujo Implementado
43
Circuitos de Disparo con Optoacoplador
Un opto acoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado
ópticamente, es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como
un interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo LED que
satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma
de fototransistor.
Su aplicación principal es la de aislar una

fuente de control de una fuente de
potencia al separar sus puntos de
retorno común ó “tierras”.
44
45
RL
VPower
Circuitos típicos para activación
R1
U1
6
del optoacoplador. R1 depende
del valor necesario de corriente
1 5
VControl 100Ω 2 4
5V
4N25
en el led.
GND_Power
RL
VPower
U1
R1 6
1 5
47Ω 2 4
VControl 4N25
5V GND_Power
MCU R2 Q1
2N2222A
10kΩ

Ejemplo de aplicación.
RCC1 RCC RL D1
6.9kΩ 100Ω 4Ω MUR460G
U1
Rled 6
1 5
Vpot
220Ω Q3
2 4 12V
2N2222A
Vcontrol
4N25A
5V Q2
2N3055G
GNDControl
PRACTICA 4
46
Ejemplo de aplicación.
I: 109 mA
A I(p-p): 0 A
I: 17.2 mA
I(p-p): 0 A I: 1.47 mA I(rms): 0 A
I(rms): 0 A I(p-p): 0 A I(dc): 109 mA D1
I(rms): 0 A RCC1 RCC I(freq): -- RL
I(dc): 17.2 mA MUR460G
I(freq): -- I(dc): 1.47 mA 6.9kΩ 100Ω 4Ω
I(freq): --
A
PR4
U1 PR3 I: 2.92 A
A Rled 6 V
PR2 1 5 I(p-p): 0 A
A I(rms): 0 A Vpot
220Ω V Q3 PR1
2 4 I(dc): 2.92 A 12V
2N2222A I(freq): --
Vcontrol
4N25A
5V Q2
2N3055G
V: 137 mV
GNDControl V(p-p): 0 V
V(rms): 0 V
V(dc): 137 mV
Aplicada
1. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
47
Transistores de Potencia
Dispositivos de compuerta
Colector (N) C
Base
(P) G
NPN Emisor (N) E
Metal Oxid Semiconductor Isolated Gate Bipolar

Bipolar Junction Transistor
Field Effect Transistor Transistor
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
D Es un dispositivo unipolar:
Canal N Conducción debida a electrones
la conducción sólo es debida a
G un tipo de portador
S
D Los más usados son los MOSFET

de canal N
G Canal P Conducción debida a huecos La conducción es debida a los
electrones y por tanto, son más
S rápidos
48
ID ID [mA]
2,5KW VGS = 4,5V
4
D
+ VGS = 4V
G VDS 2 VGS = 3,5V

S - 10V VGS = 3V
+
VGS = 2,5V
VGS
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
Curva característica Comportamiento como fuente de corriente
de salida
Comportamiento como circuito abierto
Encapsulados comunes
D 61
TO 220
TO 247
TO 3
49
Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET
• Resistencia en conducción
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
50
Resistencia en conducción (RDSon)
El MOSFET en conducción se modela utilizando la RDSon Es el parámetro más
importante en un
D MOSFET
Este parámetro está directamente
RDSon relacionado con la tensión de ruptura y
G con la capacidad de manejar corriente
S
VDS RDSon
Cuanto más baja es la resistencia, mejor es el

transistor RDSon
ID
51
VDS ID RDSon
IRF 3205 55 V 110 A 8 mW
IRF 1405 55 V 169 A 5.3 mW
IRF 520 100 V 10 A 180 mW

Según la aplicación se
IRF 3710 100 V 75 A 25 mW selecciona la corriente
máxima.
IRF 540 500 V 8A 850 mW
IRFP 460 500 V 20 A 270 mW
IRFPG 30 1000 V 3A 5W
IRFPG 50 1000 V 6A 2W
Hay una tensión mínima para ponerlo en conducción: tensión umbral ó Threshold voltage: VGS(th)
Valores típicos: 3 – 5 V
Hay una tensión máxima de puerta. Por encima de ese valor, se rompe
Valores típicos: ± 15 V, ± 20 V
El circuito equivalente entre puerta y fuente se modela como un condensador (Ciss)
Para hacer que el MOSFET se abra y se G

cierre, debemos cargar y descargar el S
condensador de puerta
52
Además de la capacitancia de puerta, hay otros dos condensadores. Estos generaran perdidas por
conmutación.
D
Crss
Coss
Capacidad de Capacidad
transferencia G S de salida
Definición de tiempos de conmutación
VDS VGS
90%
10%
td(on) tF td(off) tR
tR : tiempo de subida
tF : tiempo de bajada
td(on) : Retraso de encendido
td(off) : Retraso de apagado
53
VGS(th)
VDS
Las conmutaciones no son
ideales durante un cierto
tiempo conviven tensión y
ID
corriente.
PMosfet
PÉRDIDAS
Pérdidas de conducción
D ID
RDSon
G
S
T
Pconducción = RDSon· Ief2
Pérdidas de conmutación
PMosfet
Cálculo del valor
medio de la forma de
onda
54
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET.
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no por corriente
MOSFET Bipolar
G
E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutación (Bipolar)
No tiene diodo parásito
Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frecuencia, etc.
55
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
• Bajo ciclo de trabajo
• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Pequeñas variaciones de entrada y de carga
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)
Aplicaciones típicas del IGBT

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja potencia (<100 kHz)
Encapsulados comunes
Módulos de potencia
TO 220
MTP
TO 247
56
Parámetros fundamentales para seleccionar un IGBT
• Tensión colector-emisor
57
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Media tensión Alta tensión
250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
58
Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares)
Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS)
Circuito equivalente del IGBT
La base del bipolar no es accesible.

La circuitería exterior no puede
solucionar el problema de la Genera
Cola de corriente que representa
eliminación de los minoritarios de la pérdidas por conmutación.
base
59
Definición de tiempos de conmutación
VGE IC
90%
Al contrario que en el MOSFET, los

10% tiempos de conmutación del IGBT
no dan información sobre las
pérdidas de conmutación
td(on) tR td(off) t
F
tR : tiempo de subida 10% al 90 % IC

tF : tiempo de bajada 90% al 10 % IC
td(on) : Retraso de encendido 10% VGS al 10% IC
td(off) : Retraso de apagado 90% VGS al 90% IC
Además de la capacitancia de puerta, hay otros dos condensadores. Estos
generaran perdidas por conmutación.
C
Capacidad de
Crss Capacidad de
transferencia Coss
salida
G E
Capacidad de Ciss
entrada
60
Circuito disparador de compuerta
Como se menciono anteriormente para

hacer que el dispositivo se abra y se cierre, G
debemos cargar y descargar el capacitor
que se encuentra entre Gate y Source. S

Recordemos el comportamiento de un
circuito RC.
XSC1
Tektronix
P 1 2 3 4 T
G
R1
22 Ohm
V1
C1
0V 12V
25us 50us 100nF
61
Observe que la señal de excitación debe de
ser de 12V, además de actuar como fuente
(source) y sumidero (sink) de 500mA
XSC1
Tektronix
P 1 2 3 4 T
G
XCP1
R1
22Ω
V2 C1
0V 12V 100nF
25us 50us
Es evidente que los tiempo de carga y descarga del capacitor

generarían altas pérdidas por conmutación, por lo que es
necesario un circuito que funcione como una fuente de corriente
para cargarlo y descargarlo rápidamente.
62
Configuración Totem- Pole
XSC1
Tektronix
R2 Q2
P 1 2 3 4 T
220Ω BC547C G
V1
12V 1Watt
R4 R1
1kΩ 22Ω
V2 C1
Q4
0V 5V Q1 100nF
BC547C
25us 50us BC557AP

Configuración Totem- Pole forma de onda
Observe que la salida va invertida con

respecto a la entrada.
63
XSC1
Aplicación Típica
Tektronix
P 1 2 3 4 T
G
D2
RL MUR840G
64Ω
R2 Q2
220Ω BC547C
V1
12V 1Watt
Q3 V3
R4 R1 IRF640NS 48V
1kΩ 22Ω
V2
Q4
0V 5V Q1
BC547C
25us 50us BC557AP
PRACTICA 5

Aplicación Típica
64
RL
64Ω D1
Q2 V3
R2 120Vrms
220Ω BC547C
V1 60Hz
12V 1Watt 0°
Q3
R4 R1 IRF640NS
1kΩ 1Ω
V2
Q4
0V 5V Q1
BC547C
500us 1ms BC557AP
65

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Electrónica de Potencia

Conoce y comprende los diferentes semiconductores de

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

El voltaje de ruptura inverso es crítico.

Corriente máxima de trabajo (Con disipador)

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

En serie para aumentar el

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

1.1 Diodos de potencia

Conectar un motor de C.C. de 90Volts (carga de prueba si no

NPN Emisor (N) E

Metal Oxid Semiconductor Isolated Gate Bipolar

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT)

El tiempo más largo es el de retraso por el almacenamiento de

Transistor Bipolar (BJT)

(desde en punto de vista de la rapidez)

Con diodo Schottky

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT)

40, 60, 80, 100, 150, 200, 250, 500

5 - 50 A mayores potencias, los valores de b son menores

Transistor Bipolar (BJT)

SOAR Zona de trabajo seguro

Esta curva se modifica con

Al aumentar la temperatura, disminuye la

Transistor Bipolar (BJT)

Las conmutaciones no son ideales ,

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT)

Este diodo recibe el nombre de diodo

Transistor Bipolar (BJT)

Ecuaciones para encontrar RB, Ib, Ic

Nota: Verifique que las características del transistor y el diodo sean

Vsat 2N2222a = 1.2V

Transistor Bipolar (BJT)

Se verifican los cálculos por

Transistor Bipolar (BJT)

Típicamente el voltaje y corriente de la base es suministrado por un

Esta etapa consiste en un transistor de pequeña señal con hfe elevado

Nota: Para asegurar el funcionamiento se consideran hfe bajas, así como,

Como se puede observar la corriente entregada por el voltaje de

Control de velocidad motor de CD

En la mayoría de las aplicaciones de motores de CD es necesario el

Una de las técnicas mas utilizadas es la modulación por ancho de pulso

Esquema general de PWM.

Control de velocidad motor de CD

Control de velocidad motor de CD

Control de velocidad motor de CD

Señal de disparo PWM