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Diodo túnel.

Es un dispositivo semiconductor que se compone de dos regiones cargadas


opuestamente y separadas por una región neutra muy estrecha. La corriente eléctrica, o tasa
de tunelaje, puede controlarse sobre un amplio intervalo variando el voltaje de polarización, lo
cual cambia la energia de los electrones de tunelaje.

Diodo Túnel

Fig Simbolo del diodo Tunel

El diodo túnel tiene una región en su curva característica corriente-voltaje, donde la corriente
disminuye con el aumento de voltaje directo, conocida como su región de resistencia negativa.
Esta característica hace que el diodo túnel sea útil en los osciladores, y como amplificador de
microondas.

RESUMEN

El diodo túnel es una forma de diodo semiconductor muy rápido que puede funcionar bien en
la región de frecuencia de radio de microondas.

Se diferencia de otras formas de diodo semiconductor que utiliza un efecto mecánico cuántico
llamado efecto túnel. Esto proporciona el diodo túnel con una región de resistencia negativa
en su curva característica IV que permite que sea utilizado como un oscilador y como un
amplificador.

A pesar de que no se utilizan tan ampliamente como algunos dispositivos hoy en día, estos
dispositivos tienen su lugar dentro de la tecnología de RF. Fueron utilizados en el receptor de
televisión osciladores frontales y circuitos de disparo del osciloscopio, etc Ellos han
demostrado que tienen una vida muy larga y puede ofrecer un alto nivel de rendimiento
cuando se utiliza como un pre-amplificador de RF. Sin embargo hoy en día, sus aplicaciones
son a menudo limitadas por tres terminales más tradicionales pueden ofrecer un mejor nivel
de rendimiento en muchas áreas.

Desarrollo diodo túnel


El diodo túnel fue descubierto por un Ph.D. estudiante de investigación llamado Esaki en 1958
mientras él estaba investigando las propiedades de germanio dopado fuertemente uniones
para su uso en transistores bipolares de alta velocidad.

En el curso de su investigación Esaki producido algunas uniones fuertemente dopados para


transistores bipolares de alta velocidad y, como resultado se encontró que producían una
oscilación a frecuencias de microondas como resultado del efecto túnel.

Luego, en 1973, Esaki recibió el premio Nobel de Física por su trabajo en el diodo túnel.

Después de que el trabajo por Esaki, otros investigadores demostraron que otros materiales
también mostraron el efecto túnel. Holonyak y Lesk demostraron un dispositivo de arseniuro
de galio en 1960, y otros demostraron indio y estaño, y luego en 1962 el efecto fue
demostrado en materiales como arseniuro de indio, fosfuro de indio y silicio.

Túnel símbolo circuito de diodo

A pesar de la operación del diodo túnel. su símbolo de circuito se basa en que para el diodo
normal, pero ha 'colas' añadido al elemento de la barra del símbolo para diferenciarlo de otras
formas de unión PN diodo.

El símbolo esquemático del diodo túnel muestra la disposición ligeramente diferente en la


barra de diferenciar de otras formas de diodo

Túnel símbolo circuito de diodo

Ventajas y desventajas

El diodo de túnel no se utiliza tan ampliamente estos días, ya que era de avena una vez. Con la
mejora en el rendimiento de las otras formas de la tecnología de semiconductores, que a
menudo se han convertido en la opción preferida. No obstante, todavía vale la pena mirar un
diodo túnel, teniendo en cuenta sus ventajas y desventajas para descubrir si se trata de una
opción viable.

Ventajas

Muy alta velocidad: La alta velocidad de operación significa que el diodo túnel se puede
utilizar para aplicaciones de RF de microondas.
Longevidad: Se han realizado estudios del diodo túnel y su rendimiento se ha demostrado
que permanecer estable durante largos períodos de tiempo, donde otros dispositivos
semiconductores pueden tener degradados.

Desventajas

Reproducibilidad: No ha sido posible hacer que el diodo de efecto túnel como con el
rendimiento reproducible de los niveles a menudo necesarios.

Baja de pico a valle coeficiente de liquidez: La región de resistencia negativa y el pico de


corriente de valle no es tan alto como a menudo se requiere para producir los niveles de
rendimiento que se pueden lograr con otros dispositivos.

Una de las principales razones para el éxito inicial del diodo túnel fue su alta velocidad de
operación y las altas frecuencias que podía manejar. Esto dio como resultado del hecho de que
mientras que muchos otros dispositivos son ralentizados por la presencia de los portadores
minoritarios, el diodo túnel sólo utiliza portadores mayoritarios, es decir, agujeros en un
material de tipo n y electrones en un material de tipo p. Los portadores minoritarios ralentizan
el funcionamiento de un dispositivo y como resultado, su velocidad es más lenta.Asimismo, el
efecto túnel es intrínsecamente muy rápido.

El diodo túnel se utiliza muy poco en estos días y esto se debe a sus desventajas. En primer
lugar sólo tienen una corriente túnel bajo y esto significa que son dispositivos de baja potencia.
Mientras que esto puede ser aceptable para los amplificadores de bajo ruido, que es una
desventaja significativa cuando son demandados en los osciladores como se necesita una
amplificación adicional y esto sólo pueden ser realizadas por los dispositivos que tienen una
capacidad de potencia más alto, es decir, no diodos túnel. La tercera desventaja es que son
problemas con la reproducibilidad de los dispositivos que resultan en bajos rendimientos y por
lo tanto, mayores costos de producción.

Aplicaciones

Aunque el diodo túnel apareció prometiendo hace algunos años, pronto fue sustituido por
otros dispositivos semiconductores como diodos IMPATT para aplicaciones de oscilador y FETs
cuando se utiliza como un amplificador. Sin embargo, el diodo de efecto túnel es un dispositivo
útil para ciertas aplicaciones.

Las solicitudes para el diodo túnel incluye utiliza como un oscilador, a pesar de que también se
utiliza como un amplificador y un mezclador.
Una de las principales ventajas del diodo túnel que actualmente está empezando a tener
experiencia es su longevidad. Una vez fabricado su rendimiento permanece estable durante
largos períodos de tiempo a pesar de su uso. Otros dispositivos pueden degradarse
ligeramente con el tiempo.

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Diodo tunel. Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del
tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo
(amplificador/oscilador).

Contenido
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 1 Descubrimiento
 2 Efecto tunel
 3 Descripción del diodo tunel
 4 Curva característica del diodo tunel
 5 Aplicaciones
 6 Bibliografía
 7 Fuentes

Descubrimiento
Este diodo fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki, por lo cual
recibió un Premio Nobel en 1973. Descubrió que los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho mas
elevado que lo habitual exhiben una característica tensión-corriente muy
particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la
tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de
cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la
corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez más rápido hasta
llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera.

Efecto tunel
Los diodos de efecto tunel son dispositivos muy versátiles que pueden operar
como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una región de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos
voltajes de polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una característica de resistencia negativa; esto es,
si aumenta la tensión aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminución de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
característica del diodo). Este fenómeno de resistencia negativa es útil para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una señal senoidal a partir de la energía que entrega la fuente
de alimentación.
El efecto tunel es un fenómeno nanoscópico por el que una partícula viola
losprincipios de la mecánica clásica penetrando una barrera potencial o
impedancia mayor que la energía cinética de la propia partícula. Una barrera,
en términos cuánticos aplicados al efecto tunel, se trata de una cualidad del
estado energético de la materia análogo a una "colina" o pendiente clásica,
compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino más corto
de un móvil entre dos o más flancos debe atravesar su correspondiente cresta
intermedia si dicho objeto no dispone de energía mecánica suficiente como
para imponerse con la salvedad de atravesarlo.
A escala cuántica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teoría
cuántica, un cuanto moviéndose en dirección a una "colina" potencialmente
energética puede ser descrito por su función de onda, que representa la
amplitud probable que tiene la partícula de ser encontrada en la posición
allende la estructura de la curva. Si esta función describe la posición de la
partícula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida,
existe cierta probabilidadde que se haya desplazado "a través" de la estructura,
en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energética
relativa.

Descripción del diodo tunel


El Diodo tunel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto tunel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. Los diodos Tunel
son generalmente fabricados en Germanio, pero también en silicio y arseniuro
de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo(amplificador/oscilador). Una característica importante del
diodo tunel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes
de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede
funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente,
este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran
microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
Si durante su construcción a un diodo invertido se le aumenta el nivel de
dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V.
Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos
dispositivos presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensión aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminución de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
característica del diodo). Este fenómeno de resistencia negativa es útil para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una señal senoidal a partir de la energía que entrega la fuente
de alimentación.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción
incluso más rápido que los diodos Schottky.

Curva característica del diodo tunel


Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensión la corriente
aumentará hasta llegar un punto después del cual la corriente disminuye. La
corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un "valle" y
después volverá a incrementarse. esta ocasión la corriente continuará
aumentando conforme aumenta la tensión.
Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e
Iv muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción
incluso más rápido que los diodos Schottky.

Aplicaciones
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa. Así estos
diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores
de alta frecuencia.
http://www.academia.edu/6287071/Diodo_t%C3%BAnel