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E.F.P. Ing.

de Sistemas
Sistemas Eléctricos y Electrónicos (IS-244) UNSCH 2008-II

Laboratorio N° 10:
“El Transistor BJT y sus Aplicaciones”

Alumno(a): ................................................... Nota:


Código: ......................
Martes: 7-9 am  Mièrcoles 7-9 am:  9-11am: 
Semana: del 19 al 26 de Junio del 2009 Jueves: 4-6 pm  Viernes: 3-5 pm: 

1. OBJETIVOS:
La práctica pretende que el alumno:
Ø Conozca las pruebas de laboratorio realizadas a los transistores de unión
bipolar (BJT), para determinar su estado de operatividad.
Ø Compruebe experimentalmente el comportamiento de los BJT como
interruptor electrónico y sus aplicaciones como inversor y como “driver”.
Ø Compruebe experimentalmente el comportamiento de los BJT como
Amplificador.
Ø Comparar los resultados prácticos, con los resultados obtenidos mediante el
simulador Proteus Isis.

2. EQUIPOS Y COMPONENTES
Ë Fuente de voltaje VDC y fuente de voltaje VAC.
Ë Multímetro digital.
Ë Transistores: 2N3904, 2N3906, BD135, BD136.
Ë LED’s de colores: rojo, ambar, verde, azul.
Ë Capacitares cerámicos: 10uF (2), 100uF.
Ë Resistores de ½W: 100Ω, 150Ω, 220Ω(2), 1KΩ(2), 1.2KΩ, 10KΩ, 22KΩ y 47KΩ.
Ë Protoboard y cables de conexión.

3. SOFTWARE REQUERIDO
Ë Proteus Isis v7.2 SP6 o superior.

4. INFORMACIÓN TEÓRICA
v TRANSISTOR:
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor
("resistencia de transferencia").

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Actualmente se los encuentra práctica-mente en todos los enseres domésticos de


uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos
de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorecentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, etc.
Tipos de Transistor:
• Transistor de punta de contacto
• Transistor de unión bipolar: BJT
• Fototransistor,
• Transistor de unión unipolar.
• Transistor de efecto de campo: FET

v TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR: BJT


Existen dos subclases y pueden ser: NPN o PNP.

E C E C
N P N P N P
Emisor Colector Emisor Colector

BE BC BE BC
B B
Base Base

NPN PNP
-->Ic -->Ie -->Ie -->Ic
-->

-->

Ib Ib
Las corrientes de los transistores NPN y PNP guardan una relación entre ellas,
como se indica a continuación:
IE = I C + IB IC = βIB IE = αIC β = α/(1-α) α = β/(β+1)
La unión Base-Emisor es polarizada directamente para producir una inyección de
corriente de Emisor (IE) de alto valor. Debido a que la región central es muy
delgada, se logra una corriente de Base (IB) muy pequeña; quedando muchas
cargas sin recombinar que son jaladas por el Colector (IC), que polarizado en
inversa (Base-Colector) no inyecta sino mas bien extrae las cargas que no han
formado corriente en la base.
El colector es la capa de semiconductor de mayor área y por lo tanto recoge todas
las cargas que ingresan por el Emisor y no forman la corriente de control o de la
Base. El Emisor es de dimensiones más pequeñas pero de alta concentración o

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dopaje. La Base es una película o pintura de semiconductor con débil


concentración para que su corriente sea pequeña y sirva sólo de control.
Podemos simbolizar un aproximado en porcentaje para las corrientes de un
transistor PNP: en el Emisor ingresan el 100%, por la base se extrae un 1% y
queda “colectado” por el Colector, el resto, que es el 99%.
Existen siete métodos típicos para polarizar transistores bipolares, de los cuales
usaremos el circuito autopolarizado porque proporciona una estabilidad térmica
sobre el punto de operación y este es independiente del beta (β). Es
recomendable cuando el transistor trabaja en su zona lineal o como amplificador.

v EL TRANSISTOR BJT EN CORTE Y SATURACIÓN


• BJT en estado de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente de
control es igual a cero (IB=0), es decir que no se inyectan portadores en la
juntura BE y por lo tanto no hay cargas en el colector (Ic=0, IE=0). Es decir
que la tensión de polarización en la unión Base-Emisor no supera el voltaje de
codo de dicha unión.
• BJT en estado de saturación: Se define así al circuito cuando VCE < (VCC –
IC*RC); es decir cuando el valor de la tensión Colector-Emisor disminuye y
tiende incluso a ser de valor negativo, lo cual no puede ser porque el transistor
es como una resistencia y no puede invertir el valor de la tensión que debe ser
como “caída” en el sentido de la corriente. En la práctica, cuando un transistor
de silicio se encuentra en saturación su VCE = 0.02V.
• Aplicación: Cuando un transistor trabaja alternadamente entre los estados de
corte y saturación se dice que dicho transistor trabaja como un “interruptor
electrónico”.

v EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR


El análisis del transistor como amplificador, se hace bajo condiciones donde se
encuentra linealidad entre las características de la señal de entrada y la señal de
salida. Estas son las de tener pequeña amplitud y baja frecuencia; es decir cuando
la entrada es menor de 25mV con el fin de no sobrepasar la linealidad entre las
curvas de entrada como diodo BE y utilizando frecuencias en la banda de audio-
frecuencia que es de 100Hz a 10KHz, pudiendo abarcar alta fidelidad hasta
30KHz y ultra sonido hasta 100KHz.
Pasada esta frecuencia, entra a consideración las capacidades internas del
dispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC, que con el efecto MILLER
forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitante por los efectos
sobre la sintonización de señales, que en esos caso son moduladas.

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v AMPLIFICADOR BÁSICO UTILIZANDO BJT


La señal “Vi” se aplica mediante los
condensadores “Ci” y “CE” a la juntura BE. + Vcc
Rc
- R1 Co=10uF
La salida se extrae mediante los conden- 10uF
sadores “Co” y “CE” desde VCE y se aplica sobre BC549 +
Ci
RL, que en la mayoría de los casos es una carga RL Vo
-

100uF
R2
de 5K o 10K y representa un potenciómetro de Vi Re
CE
volumen para controlar la amplitud de la señal
amplificada. Amplificador Básico

Análisis en DC: Thevenin Equivalente


Considerando los Condensadores -->Ic
+ Vcc + Vcc -->Ic
como circuitos abiertos, se aísla la - R1 Rc - Rc
fuente de entrada (Vi) y la carga Rth
(RL), pudiendo calcular el punto de +
operación del transistor (punto “Q”). + VBE
-
R2 Vth
R2 R1 ∗ R 2 Re - Re
Vth = ∗ Vcc Rth =
R1 + R 2 R1 + R 2
Vth − VBE
IB = IE = I C + IB IC = β ∗ IB IE = (β + 1) ∗ IB
Rth + ( β + 1) ∗ Re

si β >> 1 se puede aproximar: IC = IE

aproximando tendriamos: VCE = Vcc − Ic ∗ ( Rc + Re)


Los valores de: IC y VCE determinan el punto “Q”

Análisis en AC:
Con señal alterna, que los condensadores se
Ib Ic
tornan en impedancias muy pequeñas a las Vi
frecuencias de audio, casi cortocircuitos; +
Vo
Rth Hie RL
si las tensiones DC se reducen a cero, el Rc -
circuito se convierte en su equivalente
mediante parámetros híbridos del
transistor en AC.
VT 26mV Rc ∗ RL
Hie = = Ro = donde IB = corriente de base en DC
IB IB Rc + RL

Vi Ro Ro ∗ I B
Ib = Vo = − Ic ∗ Ro = −( β ∗ Ib) ∗ Ro = − β ∗ ( ) ∗ Vi = − β ∗ ( ) ∗ Vi
Hie Hie 26mV

Vo I ∗ Ro β ∗ I B ∗ Ro
Ganancia de Tensión: Av = = −( C )=−
Vi VT 26mV

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5. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
5.1. Prueba de transistores BJT tipo NPN: 2N3904:
@ Ubique el selector del multímetro en la escala que corresponde a la
prueba de diodos.
@ Para polarizar directamente las uniones Base-Colector y Base-Emisor:
coloque la punta de prueba “ROJA” en la Base y la punta “NEGRA” en el
Colector y en el Emisor respectivamente. Anote las mediciones
correspondientes en los recuadros adjuntos.

@ Para polarizar inversamente las uniones Base-Colector y Base-Emisor:


coloque la punta de prueba “NEGRA” en la Base y la punta “ROJA” en el
Colector y en el Emisor respectivamente. Anote las mediciones
correspondientes en los recuadros adjuntos.

@ Coloque la punta de prueba “NEGRA” en el Colector y la punta “ROJA” en el


Emisor. Anote la medición: __________
@ Coloque la punta de prueba “ROJA” en la Colector y la punta “NEGRA” en el
Emisor. Anote la medición: __________
@ Repita el procedimiento utilizando el transistor BD135 y anote sus
mediciones:
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@ Anote sus observaciones:

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5.2. Prueba de transistores BJT tipo PNP: 2N3906


@ Ubique el selector del multímetro en la escala que corresponde a la
prueba de diodos.
@ Para polarizar directamente las uniones Base-Colector y Base-Emisor:
coloque la punta de prueba “NEGRA” en la Base y la punta “ROJA” en el
Colector y en el Emisor respectivamente. Anote las mediciones
correspondientes en los recuadros adjuntos.

@ Para polarizar inversamente las uniones Base-Colector y Base-Emisor:


coloque la punta de prueba “ROJA” en la Base y la punta “NEGRA” en el
Colector y en el Emisor respectivamente. Anote las mediciones
correspondientes en los recuadros adjuntos.

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@ Coloque la punta de prueba “NEGRA” en el Colector y la punta “ROJA” en el


Emisor. Anote la medición: __________
@ Coloque la punta de prueba “ROJA” en la Colector y la punta “NEGRA” en el
Emisor. Anote la medición: __________
@ Repita el procedimiento utilizando el transistor BD136 t anote sus
mediciones.

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@ Anote sus observaciones:

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@ Anote sus conclusiones:

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5.3. Aplicación: El Transistor BJT como COMPUERTA INVERSORA:


a) Utilizando Transistor NPN:
@ Implemente en protoboard
el circuito de la figura
siguiente.
@ Conecte el interruptor de
entrada (SW) a 5V y
complete la tabla siguiente
con las mediciones
requeridas:

VBE VC IB IC IE β

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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@ Conecte el interruptor de entrada (SW) a 0V y complete la tabla siguiente


con las mediciones requeridas:

VBE VC IB IC

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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b) Utilizando Transistor PNP:


@ Implemente en protoboard
el circuito de la figura
siguiente.
@ Conecte el interruptor de
entrada (SW) a 0V y
complete la tabla siguiente
con las mediciones requeridas:

VEB VC = VCE IB IC IE β

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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@ Conecte el interruptor de entrada (SW) a 5V y complete la tabla siguiente


con las mediciones requeridas:

VEB VC = VCE IB IC

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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@ Anote sus observaciones:

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@ Anote sus conclusiones:

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5.4. Aplicación: El Transistor como DRIVER:


a) Utilizando Transistor NPN y LED’s en cátodo común
@ Implemente en protoboard
el circuito de la figura
siguiente.
@ Conecte el interruptor de
entrada (SW) a 0V, observe
los LED’s y complete la
tabla siguiente con las
mediciones requeridas:

VBE VC = VCE

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@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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@ Conecte el interruptor de entrada (SW) a 5V, observe los LED’s y complete


la tabla siguiente con las mediciones requeridas:

VBE VC = VCE

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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b) Utilizando Transistor PNP y LED’s en ánodo común


@ Implemente en protoboard
el circuito de la figura
siguiente.
@ Conecte el interruptor de
entrada (SW) a 5V,
observe los LED’s y
complete la tabla siguiente
con las mediciones
requeridas:

VBE VC = VCE

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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@ Conecte el interruptor de entrada (SW) a 0V, observe los LED’s y complete


la tabla siguiente con las mediciones requeridas:

VBE VC = VCE

@ ¿Cuál es el estado de operación del transistor?

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@ Anote sus observaciones:

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@ Anote sus conclusiones:

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5.5. Aplicación: El Transistor como Amplificador


@ Implemente en PROTEUS ISIS, el del amplificador básico con los
siguientes valores: Vcc=12V, R1=47KΩ, R2=22KΩ, Re=1KΩ, Rc=1.2KΩ,
RL=10KΩ. TR:2N3904. La señal de entrada “Vi” con amplitud 10mV.
@ Con el uso de instrumentos virtuales complete la tabla siguiente con las
mediciones requeridas.

VBE VCE IB IC IE

@ Con la ayuda del osciloscópio observe la señal de salida y compararla con la


señal de entrada. Anote detalladamente ambas gráficas.

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@ Observando las señales de entrada y salida, aumente gradualmente la señal


de entrada “Vi”.

@ Anote sus observaciones:

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@ Anote sus conclusiones:

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6. BIBLIOGRAFÍA
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7. ANEXO: USO DE COMPONENTES EN EL SIMULADOR PROTEUS


Ø Ubicación de los generadores de señales en la ventana “Pick Devices”
Dispositivo Librería Sub-categoría Categoría
ALTERNATOR ACTIVE Sources Simulator Primitives
Ø Componentes Transistor, R y C:
Dispositivo Librería Sub-categoría Categoría
2N3904 BIPOLAR Bipolar Transistors
RES DEVICE Generic Resistors
CAP DEVICE Generic Capacitors
CAP-ELEC DEVICE Generic Capacitors
Ø Instrumentos virtuales:
Nombre: Ubicación:
Oscilloscope barra de herramientas à “Virtual Instruments Mode”
DC Voltmeter barra de herramientas à “Virtual Instruments Mode”

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