LABORATORIO DE ELECTRÓNICA GENERAL
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TRANSISTORES FET
David Ramirez
RESUMEN
En este trabajo vamos a realizar una breve
descripción sobre el funcionamiento de los
transistores FET o de efecto de campo
ABSTRACT
The JFET is a device unipolar, since in its operation
the majority payees intervene only. 2 types of JFET
exist: of "channel N" and "of channel P.
The physical structure of a JFET (transistor of
effect field of union) it consists on a channel of
semiconductor type n or p depending on the type of
JFET, with contacts ohmics in each end, called
source and drean. To the sides of the channel two
regions of material semiconductor of different type
exist to the channel, connected to each other,
forming the door terminal.
The channel JFET n this polarized inversely by that
that practically any current doesn't enter through
the terminal of the door.
The channel JFET p, has an inverse structure to that
of channel n; being therefore necessary their door
polarization also inverse regarding that of channel
n.
In the symbol of the device, the arrow indicates the
sense of direct polarization of the union pn.
PALABRAS CLAVE
Transistores,
INTRODUCCIÓN
El estudio de la electrónica continúa con el
conocimiento de los transistores JFET. Para el caso
de los transistores de efecto de campo más
conocidos como JFET la relación entre
las variables de entrada y salida es no lineal debido
a la ecuación de Shockley.
Para el cálculo de éstos se usa
el método matemático, además también se utiliza
el método grafico el cual es el más utilizado.
Destacando que la ecuación mencionada
anteriormente es la misma para todas las
configuraciones de red del JFET siempre y cuando
el dispositivo se encuentre en la región activa. La
red define el nivel de corriente y voltaje asociado
con el punto de operación mediante su propio
conjunto de ecuaciones.
Este tipo de transistor se lo puede configurar de
diferentes formas como son polarización con
dos fuentes, auto polarización; con resistencia de
source y sin ella, y polarización con dos fuentes.
Además estos transistores FET existen de dos tipos
que son de tipo n y p, que en su simbología se lo
reconoce por el signo de la flecha.
DESARROLLO
Principio de funcionamiento
En la unión pn, al polarizar en inversa la puerta y el
canal, una capa del canal adyacente a la puerta se
convierte en no conductora. A esta capa se le llama
zona de carga espacial o deplexión.
• Cuanto mayor es la polarización inversa, más
gruesa se hace la zona de deplexión; cuando la zona
no conductora ocupa toda la anchura del canal, se
llega al corte del canal. A la tensión necesaria para
que la zona de deplexión ocupe todo el canal se le
llama tensión puerta-fuente de corte (VGSoff ó
Vto). Esta tensión es negativa en los JFET de canal
n.
En funcionamiento normal del JFET canal n, D es
positivo respecto a S.
La corriente va de D a S a través del canal.
Como la resistencia del canal depende de la tensión
GS, la corriente de drenador se controla por dicha
tensión.

Figura 2: Estados del JFET canal N

Aplicaciones

BIBLIOGRAFIA
Recuperado de internet de:
http://robots-
argentina.com.ar/MotorCC_L293D.htm
https://es.wikipedia.org/wiki/Puente_H_(electr%C
3%B3nica)
http://picrobot.blogspot.com/2009/05/puente-
h.html
http://es.slideshare.net/cortesalvarez/fet-
transisitores-de-efecto-de-campo