Tema 4.

COMPONENTES NO
LINEALES: TRANSISTORES

Mª del Carmen Coya Párraga

Componentes Electrónicos y Medidas 1

Índice
Tema 4 El transistor bipolar (BJT)
Concepto de BJT y mecanismo físico: efecto transistor.
Zonas de operación. Curvas características de entrada y salida.
Circuitos elementales con transistores: configuración de inversor, seguidor. Curva de transferencia
y punto de trabajo.
Tema 5 El transistor de efecto de campo (FET)
Características. Tipos y símbolos.
MOSFET incremental de canal n: estudio. Características v - i.
MOSFET decremental de canal n. Características v - i.
JFET. Características v - i.
Circuitos con transistores. Curva de transferencia y punto de trabajo.
Tema 6 Polarización Analógica
Definiciones previas: componente de polarización y señal. Concepto de polarización.
Polarización del BJT: retroalimentación.
Polarización para MOSFET y JFET: retroalimentación.

Componentes Electrónicos y Medidas 2

1
 Introducción a los dispositivos de tres terminales

Puerto 3

+ +

Puerto 1 Puerto 2
v v
1 2

Tres terminales, uno en
común entre los tres
puertos.
- -

La característica v-i de los dos terminales principales puede manipularse
modificando la variable de entrada aplicada al tercer terminal:
 Podemos describir el dispositivo considerando sólo 2 de sus 3
puertos.

Características v-i de los dos puertos ppales de un dispositivo de tres
terminales son independientes: un puerto es el de ENTRADA O CONTROL Y el
otro es de SALIDA O CONTROLADO.

Componentes Electrónicos y Medidas 3

4.1 Dispositivos de tres terminales

Base Colector puerta drenador

Vce Vgs Vds

Vbe
Emisor fuente

BJT
6 variables diferentes
(ib,ic,ie,vbe,vce,vcb)
4 variables independientes
ib, ic, vbe, vce
FET
Definición: vbe = vb-ve vce = vb-ve
Característica de entrada del BJT
ib vs vbe
Característica de salida del BJT
ic vs, vce

Componentes Electrónicos y Medidas 4

2
 4.2 Fuentes ideales de corriente controladas por
a) Corriente
i1: corriente de control
i2 = A i1
A = ganancia en corriente
v2 = i2Rl = Ai1Rl = ARlv1/Rs
Av = ARl/Rs

b) Tensión
gm = transconductancia
v1 = tensión de control
gm = i2/v1
v2 = i2Rl = gmRlv1 => Av=gmRl

Componentes Electrónicos y Medidas 5

4.3 Clasificación de los transistores

npn
BJT
bipolar junction pnp
transistor

TRANSISTORES de canal n
JFET
de canal p
FET
field effect de acumulación
transistor MOSFET
de vaciamiento

Componentes Electrónicos y Medidas 6

3

Aplicaciones en el procesamiento de
señales:
Amplificación
Conmutación
Control

Componentes Electrónicos y Medidas 7

≡BIPOLAR
TEMA 4: EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT≡
JUNCTION TRANSFER)

Dispositivo de tres terminales en que la característica v-i del
puerto de salida está controlada por la corriente que fluye hacia
dentro del puerto de entrada.

• La flecha indica el sentido de corriente en PD del diodo BE.

• No es un dispositivo simétrico.

Componentes Electrónicos y Medidas 8

4
 TRANSISTOR BIPOLAR: FORMAS DE OPERACIÓN

1- Interruptor

2- Resistencia variable.
R out
v out = v cc ⋅
R s + rout

Componentes Electrónicos y Medidas 9

TRANSISTOR BIPOLAR: PRINCIPIO DE OPERACIÓN

Ej. NPN
C
C
UNIÓN UNIÓN ESTADO
BE BC N
PI PI CORTE ⇔
B
P B
PD PD SATURACIÓN
PD PI RAN N
E
PI PD RAI
E
RAN ≡ REGIÓN ACTIVA NORMAL
RAI ≡ REGIÓN ACTIVA INVERSA

Componentes Electrónicos y Medidas 10

5
 TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN DE CORTE

vBE < 0 y vBC < 0 ⇒ ambas uniones en inversa ⇒ no hay cargas

móviles ⇒ no hay corriente de mayoritarios.
Corriente de minoritarios muy pequeñas ⇒ a efectos prácticos ⇒
“CIRCUITO ABIERTO”.

Componentes Electrónicos y Medidas 11

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

PD PI
-+ -+
Emisor
iE ic
Base iB
vBE vBC
Colector - + + -
E B C

N
h+
P

N
e-
v BE

i E = I EO (e ηV T
− 1)

Componentes Electrónicos y Medidas 12

6
TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

IC

huecos

IB
electrones

IE

Base menos dopada que emisor

Fabricación para que sólo se recombine aprox. 1% de electrones
en la base.

Componentes Electrónicos y Medidas 13

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

Unión BE en PI ⇒ IC ≈ 0
⇒ transistor en CORTE

VC
VB

a) IB = 0

Componentes Electrónicos y Medidas 14

7
 TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

Unión BE en PD ⇒ zona P
inyecta h+ en la N y ésta, e-
en la P.
Dopado base < dopado E ⇒
inyección h+ << inyección e- VC
⇒ el emisor inyecta e- en la
base, que se recombinan VB
con los h+ que provienen de
VB ⇒ se crea IB.

b) IC = 0

Componentes Electrónicos y Medidas 15

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

En régimen RAN, lo tres puntos

característicos son:
IC ≠ 0 : pese a que unión BC en
PI
Vcc
IB << IC
VBB
IC = αIB

c) con corriente de base

Componentes Electrónicos y Medidas 16

8
IC ≠ 0 : pese a que unión BC en PI
el emisor (N) inyecta e- (portadores mayoritarios en el emisor) en la
base (P) (aquí pasan a ser portadores minoritarios). Unión en inversa ⇒
conducción por portadores minoritarios (los e- anteriores en la base),
dando lugar a la IC.
IB << IC ;Normalmente, base más estrecha y poco dopada ⇒ los e- del
emisor se recombinan “poco en la base”, típicamente un 1 %.
IC = βIB; La corriente de e- que llega a la unión del colector se puede
expresar como una fracción α de la corriente total que cruza la unión
BE: iC = αiE
iC αi E
(Kirchhoff) iE = iB+iC ⇒ iB = (1- α)iE ⇒ i = (1 − )i ≡ β
B α E
β = ganancia directa o estática de corriente
α y β dependen tanto de los valores de dopado como de la geometría
del dispositivo.

Componentes Electrónicos y Medidas 17

REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN) : RESUMEN

Transistor Bipolar en RAN ⇔ amplificador de corriente.

Componentes Electrónicos y Medidas 18

9
 Ampliación de Física y Electrónica

Ejemplo: Calcular IB, IC e IE y VBE, VCE y VCE en el siguiente circuito.

C
B

Componentes Electrónicos y Medidas 19

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN DE SATURACIÓN

VCE SAT se ha elegido 0, pero puede elegirse cualquier otro valor sin
mas que poner una fuente dependiente de dicho valor entre el
emisor y el colector.

Componentes Electrónicos y Medidas 20

10
Curvas características
configuración en emisor común: puerto de entrada B, E
puerto de salida C, E

a) Característica de entrada (ib vs vbe)

La función que liga la corriente de entrada con el voltaje

de entrada es la de un diodo ib

ón
ci

te
vbe / ηkt
ib = ib 0 (e − 1) c

cor
u
nd
co

vbe

Componentes Electrónicos y Medidas 21

Curvas características
b) Característica de salida (ic vs vce)

vce< vcesat

saturación, ic = ic(vce,ib)
ic
sat.

ib4
vce> vcesat activa ib3
ib2
zona activa, ic = ic(ib) ib1
ib= 0

vcesat vce

Componentes Electrónicos y Medidas 22

11
Resumen de las zonas de funcionamiento

Unión BE Unión BC Estado valores de las i

Directa Inversa Activa ib = 0 ic = ic(ib)=βib

Directa Directa Saturación ib = 0 ic = ic(ib, vbe)< βib

Inversa Inversa Corte ib = 0 ic =0

Inversa Directa Activa Inversa

La zona activa es cuando el transistor se comporta como una fuente

de corriente controlada por corriente ic= βib AMPLIFICACIÓN!!!

Componentes Electrónicos y Medidas 23

Regiones de funcionamiento
Recordad que una unión p-n si se polariza en directa (V>Vf) existen
corrientes de difusión considerables. Si se polariza en inversa la corriente es
despreciable.

a) Región de corte, dos uniones en inversa, corrientes muy pequeñas

vbe< 0,7 vbc< 0,7

Circuito equivalente del transistor en estado de corte

B i =0 i =0 C
b c

Componentes Electrónicos y Medidas 24

12
b) Región activa,
vbe>0,7
vbc< 0,7

Cuando los e- pasan del emisor a la base por difusión se sienten atraidos por
el gran campo externo que hay entre base y colector , atraviesan la base y
llegan hasta el colector (los huecos a la inversa).
La corriente de base viene dada por el voltaje vbe
La corriente de colector es proporcional a la de base ic=βib =>Amplificación)
B C

Vf ~ 0,7V vf βib

Componentes Electrónicos y Medidas 25

c) Región de saturación
vbe >0,7
vbc > 0,7
El emisor inyecta electrones a la base, estos electrones ya no son atraidos
por el colector, por lo que la corriente de colector disminuye
considerablemente
ib > 0 ic < βib

B C

vf

Componentes Electrónicos y Medidas 26

13
 Funciones del transistor BJT

a) Como interruptor

Un interruptor deja pasar o no la corriente en función de una

señal de control mecánica.
El transistor se comporta como un interruptor donde la señal de
control es electrónica. Los dos estados son corte y saturación
(abierto y cerrado respectivamente).
Este funcionamiento se denomina conmutación y es un
fenómeno indispensable en electrónica digital donde los
circuitos operan con 2 niveles de tensión, “0” y “1” lógicos.

Componentes Electrónicos y Medidas 27

vin

V2

T1
-V1 t

Para t < T1 => vin = -V1 => corte => ib=ic=0; vout =Vcc abierto

Para t < T1 => vin = V2 => saturación => ic< βib=0; vout =Vcesat~ 0 cerrado

abierto cerrado

Componentes Electrónicos y Medidas 28

14
b) Como resistencia variable

Vcc  = Vcc si R2 >>R1

Vout = R2 
R1 + R2  = 0 si R2 <<R1

Si Vbb< 0,7 V => Vout = Vcc

Si Vbb > 10 V => Vout = Vcesat~ 0

Componentes Electrónicos y Medidas 29

C) Como Amplificador

Esquema básico de un amplificador

Vcc polariza el transistor en un pto de

trabajo Q, vs es la pequeña señal
superpuesta a la polarización (señal
sinusoidal con el tiempo). Vs produce una
excursión de la corriente de base, de la
corriente de colector y del voltaje entre
colector y emisor.

AMPLIFICACION !!!

Componentes Electrónicos y Medidas 30

15
 Ic (mA)

ib = 120 µA ∆ ib =40 µA
30
∆ ic = 10 mA
ib = 80 µA
20
Q ∆ Vce = 4,4 mA
x
ib = 40 µA
10 ∆ ic / ∆ ib = 250

2 4 6 8 Vce (V)

vce = 2,8 V vce = 5,2 V

Componentes Electrónicos y Medidas 31

TEMA 5: EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET)

 Tres terminales: drenador (D), puerta (G) y fuente (S)

 La corriente principal (de drenador) se controla por una
tensión de entrada (tensión entre puerta y fuente).
 Los MOSFET ocupan menos espacio que los BJT (mayor
nivel de integración), además su proceso de fabricación es
más simple ⇒ Muy importantes en Electrónica Digital
 Dispositivo simétrico.

D D
G G

S S
JFET MOSFET

Componentes Electrónicos y Medidas 32

16
•Dispositivo de tres terminales en que la corriente principal se controla
con una tensión. “Fuente de corriente controlada por tensión”.
•Dispositivo de alta impedancia, no absorbe corriente por el terminal
de control, potencia de control nula. “iIN = 0” ⇒ Una señal muy débil
puede controlar el dispositivo.
•JFET, MOSFET: características físicas muy distintas, pero todas las
características v-i en puerto de salida similares: EFECTO CAMPO.

vGS regula iD modificando la

D
S
conductividad del canal que
iD
Puerto Puerto conecta el D y S
entrada G salida

Componentes Electrónicos y Medidas 33

Esquemas de los diferentes tipos de FET (de canal n)

JFET MOSFET de acumulación MOSFET de vaciamiento

Vds Vds Vds

iD iD iD
Vgs Vgs Vgs

S G D S G D S G D
n p n n p n n n

Sustrato (P) Sustrato (P)

Sustrato (P)

La variable Vgs es la que controla la corriente de drenador

El puerto de entrada es G-S y el de salida D-S
vGS regula iD modificando la conductividad del canal que
conecta el D y S

Componentes Electrónicos y Medidas 34

17
El JFET
Unión G(P)-Canal(N) ⇔ didodo
Vgs <0 ⇒región de agotamiento ↑
⇓
anchura canal de conducción ↓

Vgs = Vp ≡POTENCIAL DE BLOQUEO

Vp < 0 !!
⇒ REGIÓN DE CORTE, iD = 0.

Componentes Electrónicos y Medidas 35

El JFET
anchura canal ∝(Vgs-VP) ∝ ID.
•Vgs< 0 y VDS >0 y PEQUEÑO en
relación a V gs.
⇓
iD ∝(Vgs-VP)
iD ≈ (Vgs-VP)• VDS
iD ∝VDS

⇒ REGIÓN LINEAL, iD = (Vgs-VP)• VDS.

Componentes Electrónicos y Medidas 36

18
 El JFET
Ej.: anchura canal ∝(Vgs-VP) ∝
⇓
Vgs< 0 y VDS >0 y GRANDE en relación
a V gs.

Anchura del canal no es constante ⇒

Resistencia del canal no lineal !!
VDS ↑ t.q. “estrangulamiento” del canal
⇒ VDS>Vgs-Vp ⇔ VGD<Vp
⇒ Región de SATURACIÓN.
iD ya no depende de VGS

Componentes Electrónicos y Medidas 37

El JFET
Curvas características: a) Id vs. Vgs para vds constante
b) Id vs. Vds para vgs constante
el JFET trabaja siempre en la zona de Vgs < 0
Id Id
l
linea

saturación
Vgs= 0

Zona no -1
n
ió empleada
Corte Id=0

cc
n du -2
co iG > 0
-3

vgs vds
VP
Componentes Electrónicos y Medidas 38

19
Resumen Regiones de funcionamiento

a) Región de corte, Vgs < Vp ⇒ Id =0 Vp es el potencial de

bloqueo I dss  V 
Id = 2 V gs − V p − ds Vds
V p2  2 
b) Región triodo, Vgs > Vp , Vds < Vgs-Vp
2
 Vgs 
I d = I dss  − 1
V 
 p 
c) Región de saturación, Vgs > Vp , Vds > Vgs-Vp

Siempre Ig~ 0
Circuito equivalente

Componentes Electrónicos y Medidas 39

El MOSFET (Metal Óxido Semiconductor)

D D
Nosotros usaremos: G G

(canal N) S S
JFET MOSFET

Componentes Electrónicos y Medidas 40

20
NMOS de acumulación: principio de operación

aislante (SiO2), tox.

W: espesor 10-1 µm
L: longitud canal

vSB ≠ 0 en C.I.afecta al
comportamiento del dispositivo
L
vSB =0 en dispositivos
discretos. (Para nosotros)

Componentes Electrónicos y Medidas 41

En inversa: región de
-+ agotamiento

•Vgs =0 y Vds >0 ⇒ iD = 0. Región de CORTE.

Componentes Electrónicos y Medidas 42

21
 iD
•Vgs >0 y Vds >0 ⇒ iD ≠ 0
Vgs ⇒
r en el óxido
E
⇓

zona de inversión ⇒
≥VTH.
⇒ creación del canal de conducción para Vgs≥

Región de conducción LINEAL: iD ∝Vds

≥VTH y aumentando ⇒ (Vgs - Vds )↓
•Vgs≥ ↓
⇒ estrangulamiento del canal en D

⇒Región iD no lineal con Vds: SATURACIÓN.

Componentes Electrónicos y Medidas 43

NMOS de vaciamiento: principio de operación

Canal ya creado:
Vgs = 0 y Vds>0 ⇒ iD ≠ 0

Vgs <VTH ⇒ CORTE:”expulsa los

e- del canal”.

Vds>>Vgs ⇒
iD independiente de
Vds

Componentes Electrónicos y Medidas 44

22
Curvas características del MOSFET: Vds constante.

De acumulación De vaciamiento

Id
Id
enriquecimento
del canal
empobrecimiento
del canal
ó n n
ci ci
ó
uc c
Corte n d Corte n du
co Id=0 co vgs
Id=0

vTH vgs vTH

Componentes Electrónicos y Medidas 45

Curvas características del MOSFET

De acumulación De vaciamiento
Id Id
l
linea

saturación
linea

Vgs= 6 saturación
Vgs= 1

5 0

4 -1

3 -2

vds vds
La diferencia está en el signo del voltaje umbral (positivo para
los de acumulación y negativo para los de vaciamiento)

Componentes Electrónicos y Medidas 46

23
Regiones de funcionamiento

a) Región de corte Vgs< VTH ; ID = 0 G id=0 D

S
b) Región lineal Vgs> VTH , Vds< Vgs-VTH

µw
I d = K (2(Vgs − Vtr ) − Vds )Vds con K = C
2L

c) Región de saturación Vgs> VTH , Vds> Vgs-VTH

I d = K (V gs − Vtr )
2

Componentes Electrónicos y Medidas 47

Funciones del transistor FET

a) Como interruptor
Al igual que en el BJT una señal electrónica (Vgs) controla si el
FET está en corte o en conducción. Son muy utilizados en
electrónica digital para la conmutación
vin

t
T1
-V1

Para t < T1 ⇒ vin = vgs = 0 conducción

Para t > T1 ⇒ vin = vgs = -V1 corte

Componentes Electrónicos y Medidas 48

24
Funciones del transistor FET
b) Como resistencia variable
Mosfet de acumulación con los terminales de drenaje y puerta
cortocircuitados ⇒Vgs = Vds
Id Resistencia no lineal

Vgs= 5

vds
Notar: Vgs - VTH < Vds ⇒saturación
Componentes Electrónicos y Medidas 49

Funciones del transistor FET

c) Como Amplificador
Se usa la propiedad de ser fuente de corriente controlada por
tensión. Zona de saturación. Una pequeña variación en Vgs
produce una gran variación en Vds
Id ∆Vds= 10 V
∆Vgs = 1 V
Vgs= 0

-1

-1.5

-2

vds
5 10 15 20 25

Componentes Electrónicos y Medidas 50

25
 TEMA 6: POLARIZACIÓN

CONCEPTOS PRELIMINARES
•Correcta operación de un dispositivo de tres terminales ⇒ agregar componente
de cd a los voltajes y componentes de entrada (Ej.: VBB,VGG) y de salida. No
constituyen información de la señal pasando a través del circuito.
•SEÑAL: Fluctuaciones del voltaje y corriente que transmiten información. Ej.:
vs .
•COMPONENTE DE POLARIZACIÓN: cualquier niver de cd fijo al cual
quedan superpuestas dichas señales. Ej.: VBB.
•VALOR TOTAL del voltaje o corriente: señal + polarización. Ej.: vIN.

•NOTACIÓN: vIN = VBB + vs

vs∝ sen wt.
t
•POTENCIA SEÑAL: ∫ vs ⋅ is dt
0

Componentes Electrónicos y Medidas 51

Definición Polarización.

• Técnica para confinar al transistor en un punto de trabajo Q.

• La polarización hace que elementos no lineales (diodo, transistores) se comporten
como elementos lineales, aumentando mucho su utilidad.
• Ejemplo: diodo
transistor BJT

Componentes Electrónicos y Medidas 52

26
Polarización del BJT: por retroalimentación.

• Esquema de polarización • Circuito equivalente

VCC VCC

• IC independiente de β al polarizar por retroalimentación.

• CLAVE: RE ⇒ IB(β+1) RE está tanto en el lazo de salida como de entrada ⇒ si β ↑ ⇒
IB(β+1) RE ↓ ⇒ IB ↓ en el lazo de entrada.
⇒ Niveles de polarización del transistor estabilizados frente a cambios en β.

Componentes Electrónicos y Medidas 53

Polarización para MOSFET y JFET.

• Nos interesa polarizar al transistor en la mitad de su región de corriente
constante, para asegurar una “máxima excursión de señal de salida”.
6.3.1. FET en configuración de retroalimentación

VG
VG=

• Muy adecuada ya que IG = 0 ⇒ VG fijo y sin aproximaciones.

•Este mecanismo de polarización estabiliza el valor de ID.
• RS = 0 ⇒ ID = K(VG-VTR)2 RS >>1 ⇒ ID = (VG-VTR)/RS, independiente de K.

Componentes Electrónicos y Medidas 54

27
6.3.1 Polarización de un transistor NMOS

Según vimos, en “inversor NMOS”:

k1
vOUT = VDD − (VGG −VTR1) −VTR2
k2
dvOUT k
=− 1 ⇒ así se ajusta la ganancia !!
dvIN k2

Componentes Electrónicos y Medidas 55

28