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1- ¿Cuál es la configuración electrónica del fósforo (número atómico = 15) en su

estado fundamental?

2- Si asumimos que no hay absorción de luz, entonces la conductividad de un


semiconductor intrínseco:
3- ¿Cuál de los siguientes materiales dopantes se puede usar para lograr el dopaje n,
considerando el Si como el material a granel?

4- Se dopa silicio con 2.0∗E16 átomos de arsénico por cm3. Asuma una
concentración de portadores intrínsecos igual a1.7∗E10 a temperatura
ambiente. ¿Cuál es la concentración de portadores minoritarios a temperatura ambiente
(T=300K) en 1E04 ?
5- Densidad de corriente de difusión vs densidad de corriente de desplazamiento
El coeficiente de difusión de electrones en silicio es 1. En una capa de
silicio, la densidad de electrones cae linealmente de n = 2.7E16 hasta n = 1E15
sobre una distancia de 2µm. ¿Cuál es la densidad de corriente de difusión de electrones
(en A/ inducida por el gradiente de densidad?