NOMBRE:

Práctica 4. El transistor bipolar en conmutación.

OBJETIVOS

1. Polarización del transistor en corte y en saturación.

2. Estudio dinámico del transistor BJT. Obtención de los tiempos de conmutación.

ASPECTOS GENERALES SOBRE CONMUTACIÓN

En esta práctica se va a abordar el estudio del transistor bipolar en conmutación. Es decir, en

aquellas aplicaciones donde éste funciona como dispositivo de dos estados. Cada estado,
lógicamente se corresponde con una región de funcionamiento. Estas regiones de
funcionamiento son corte y saturación y el control de estos dos estados se realiza por el
terminal de base. En la región de corte el transistor se comporta, entre colector y emisor, como
un “circuito abierto” (off) y en saturación como un “cortocircuito” (on).

Dentro de las aplicaciones donde los transistores funcionan como dispositivos de dos estados
se pueden citar la electrónica digital, la electrónica de potencia, circuitos de comunicación, etc.
En cualquier caso, cuando los transistores funcionan en estos dos estados (on-off) interesa que
las transiciones de uno a otro sean lo más rápidas posibles.

En aplicaciones de electrónica digital los sistemas (microprocesadores, microcontroladores,

DSPs, memorias, etc), serán tanto más rápidos cuanto menor sea el tiempo que se requiera para
pasar los dispositivos electrónicos (transistores, en este caso) de un estado a otro. En
aplicaciones de electrónica de potencia el tiempo de conmutación de los transistores tiene
mucho que ver con la potencia que disipan éstos, ya que en las transiciones de on a off el
producto de la tensión entre terminales por la corriente que circula entre ellos puede alcanzar
valores muy elevados.

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO CONMUTADOR

Para ver el comportamiento en conmutación de los transistores bipolares es necesario tener

en cuenta el fenómeno de almacenamiento de carga de portadores minoritarios.

EL CIRCUITO INVERSOR BÁSICO EN EMISOR COMÚN. POLARIZACIÓN

El esquema eléctrico del inversor en emisor común se muestra en la figura 1. El

funcionamiento de este circuito se basa en la complementariedad entre las tensiones en la
resistencia de base RB y entre colector y emisor, de forma que cuando una sube la otra baja, y
viceversa. Ya que como la caída de tensión en la resistencia de carga RC (Vcc-Vc) aumenta con
la corriente de base, y ésta lo hace con la tensión de entrada, obtenemos el fenómeno de
inversión.
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Vo
Vin

a) b)

Fig.1.- a) Circuito inversor simple, b) Característica de salida ic-vce.

En este circuito el estado del transistor cambia de corte a saturación y viceversa. La figura
1b ilustra los dos casos en que el transistor bipolar se comporta con un interruptor abierto
(corte) y como un interruptor cerrado (saturación). Para analizar el funcionamiento del circuito
supondremos que la tensión de entrada es un pulso cuadrado de flancos verticales que conmuta
de 0V a VCC en t=0, y de VCC a 0V en t = T. La situación es pues la siguiente:

a) t < 0. La tensión de entrada Vin= 0V. Como no se alcanzan los 0,7V necesarios para que
la unión base-emisor esté directamente polarizada, la corriente de base es nula. La
corriente de colector también lo será. Analizando la recta de carga:

VCE = VCC - iC⋅ RC (1)

Vemos que la tensión de entrada es Vcc. Por lo que la tensión de salida es alta, para una
entrada baja.

b) 0 < t ≤ T. La corriente de base viene dada por la expresión:

VBB − VBE (2)

iB =
RB

Que puede dar lugar a dos casos:

b1) La corriente de base del transistor hace que el punto Q no llegue a saturación,
manteniéndose en la región activa. Por lo tanto se cumple que VCE ≥ VCE,sat para
dicho valor de iB.

La corriente de colector, al estar en la zona activa cumple:

iC = β ⋅ iB (3)

Como VCE ≥ VCE,sat se cumple también que:

RC⋅iC < VCC – VCE,sat (4)

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VBB − VBE
RC ⋅ β ⋅ < VCC − VCE ,sat (5)
RB

La tensión de salida Vo puede tomar cualquier valor entre VCE,sat y VCC, lo cual no
garantiza un nivel lógico adecuado.

b2) La corriente de base es tal que el punto Q del transistor entra en saturación
cumpliéndose que VCE=VCE,sat, como se muestra en la figura 1b.

La corriente de colector ahora viene dada por la expresión:

VCC − VCE,sat
iC = (6)
RC

En este caso, la condición de saturación asegura un nivel de tensión de salida bajo,

próximo a la tensión mínima alcanzable. De modo que:

Vo=RC⋅iC = VCC – VCE,sat (7)

TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Fig. 2. Formas de onda para un transistor bipolar trabajando como interruptor: (a) circuito de conmutación;
(b) onda de excitación de entrada, (c) corriente de colector, (d) corriente de base.

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Vamos a considerar el circuito de la Figura 2a, excitado por una onda cuadrada (Figura 2b) de
niveles V2 y V1, tal que para V2 el transistor está en corte y para V1 el transistor está en
saturación. La onda de entrada se aplica entre base y emisor a través de la resistencia RB.
La respuesta de la corriente de colector ic a la onda de entrada se muestra en la figura 2c. La
curva no responde inmediatamente a la señal de entrada, sino que presenta un cierto retraso que
se denomina tiempo de retardo td, que se define como el tiempo que tarda la corriente en
alcanzar el 10% de su valor máximo (de saturación). La onda tiene un tiempo de subida tr no
nulo, que es el que precisa la corriente para alcanzar, pasando por la región activa, del 10% al
90% de la corriente de saturación. El tiempo total de conmutación a ON, tON, es la suma de
estos dos tiempos tON = td + tr.

En el paso a corte, la respuesta tampoco es inmediata. El intervalo que transcurre entre la

transición de la entrada y el instante en que ic baja al 90% de la saturación se denomina tiempo
de almacenamiento ts. A este tiempo le sigue un tiempo de caída tf, que es el que se precisa
para que ic descienda del 90% al 10% de la saturación. El tiempo de conmutación a OFF, tOFF,
se define como la suma de estos dos tiempos tOFF = ts + tf.

A continuación vamos a considerar las razones físicas para la existencia de cada uno de estos
tiempos.

A) TIEMPO DE RETARDO
En este tiempo intervienen tres factores. Primero: cuando se aplica la señal de excitación
a la entrada del transistor, se precisa un tiempo no nulo para cargar la capacidad de
difusión de la unión emisor-base para que el transistor pueda llegar del corte a la región
activa. Segundo: cuando los portadores minoritarios empiezan a atravesar la unión del
emisor tardan un cierto tiempo en cruzar la base hasta la unión del colector para formar
parte de la corriente de colector. Tercero: también se requiere algo de tiempo para que la
corriente de colector alcance el 10% de su valor máximo.

B) TIEMPO DE SUBIDA Y DE CAÍDA.

Ambos son debidos al hecho de que, al emplear un impulso de corriente de base para
saturar al transistor o regresarlo de saturación a corte, la corriente de colector debe
atravesar la región activa.

C) TIEMPO DE ALMACENAMIENTO
Este tiempo es debido a que el transistor durante la saturación tiene un exceso de
portadores minoritarios almacenados en la base. El transistor no puede responder hasta
que este exceso de carga que se produce en la región de saturación no se haya eliminado.
La densidad de carga almacenada en la base se puede ver en la figura 3, en las distintas
condiciones de funcionamiento.

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En saturación, la carga total de portadores minoritarios es la suma de dos aportaciones

QFA y QS. QFA representa la concentración de portadores minoritarios en exceso en base
causada por el funcionamiento activo en el límite de la saturación y QS es la carga extra
añadida cuando el transistor es llevado a saturación. Esta carga extra es debida a que en
saturación los portadores de carga minoritarios son inyectados tanto desde el emisor
como desde el colector, ya que ambas uniones semiconductoras están directamente
polarizadas.

QS
Q FA

Fig. 3: Concentración de portadores minoritarios en la base para un transistor en las diferentes regiones
de trabajo en corte, activa y saturación.

Consideremos que el transistor está en su región de saturación y que en t=T se aplica un

impulso de entrada para pasar el transistor al corte, tal y como aparece en la figura 2b.
Como el proceso de desconexión no puede empezar hasta que la densidad de portadores
(región fuertemente sombreada en la figura 3) haya desaparecido, tiene lugar un retraso
relativamente grande de almacenamiento ts antes de que el transistor responda a la señal
de corte de la entrada. Para la eliminación de esta carga hay dos mecanismos: la
recombinación dentro del transistor y la corriente de base negativa, -iR, mostrada en la
figura 2d. Sólo después que la carga QS es eliminada se llega al estado activo y tras
transitar por éste durante el tiempo de caída (tf) se llega a corte.

El tiempo de almacenamiento, ts, como ya sucedía en el diodo de unión, es el retraso de

conmutación dominante pudiendo, en el caso extremo, ser varias veces el tiempo de
subida o de bajada a través de la región activa. Podemos reducir el tiempo de
almacenamiento generando una corriente inversa grande que elimine rápidamente el
exceso de carga. En dicho caso, la corriente externa es el proceso de eliminación de carga
dominante frente al proceso de recombinación y el área negativa en la curva de corriente
de base (figura 2d) se aproxima a la carga almacenada en base.

Como conclusión decir: que el transistor bipolar funciona adecuadamente como interruptor si
se garantiza la condición de saturación, pero no en exceso. La saturación supone que la base se
llena de portadores de carga minoritarios inyectados tanto desde el emisor como desde el
colector. Cuando se cumpla que t ≥ T no se produce un regreso inmediato a las condiciones

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anteriores a t =0 hasta que no se haya vaciado la base de dicha carga, y ello requiere un tiempo.
Si la tensión de excitación a corte es 0, la extracción de la carga de portadores minoritarios en
V
exceso se realiza con una corriente iR ≈ be , mientras que si la excitación a corte es una cierta
Rb
Vbe + V2
tensión negativa V2, entonces la extracción de carga se realiza a una corriente iR ≈
Rb
mayor, con lo cual una mayor parte de la carga de portadores minoritarios se extrae a través de
la base y la carga que se pierde por recombinación es menor, con lo que el tiempo de
conmutación a OFF también es menor.

SIMULACIÓN.

En este apartado se va a comprobar el comportamiento de un transistor bipolar en conmutación.

Para ello se va a utilizar un circuito típico, el inversor básico en emisor común, figura 1.

INVERSOR BÁSICO EN EMISOR COMÚN. POLARIZACIÓN.

El circuito de la figura 4 es el que se va a emplear para obtener de forma simulada el

comportamiento del inversor básico en emisor común.

RC

VCC BC337
RB
VBB

Fig. 4.- Circuito a simular para comprobar el comportamiento estático del inversor.

Se debe dibujar el circuito de la figura 4 en el entorno PSpice empleando un transistor bipolar

NPN BC337-40. Para RC tomar 3 resistencias en paralelo de 680 Ω y para RB una resistencia de
2,2 kΩ. El circuito se alimenta con una tensión continua VCC de +15 V. En este circuito, el
transistor presenta dos estados claramente diferenciados: corte y saturación. En primer lugar se
determina la respuesta estática en cada uno de ellos.

CORTE

Este estado se consigue aplicando a la entrada del circuito una tensión VBB de 0V. Anotar los
valores teóricos previsibles para las tensiones y corrientes de la Tabla 1. Realizar la simulación
y rellenar la tabla con los valores obtenidos por simulación:

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Tabla 1.- Valores de tensiones y corrientes cuando BJT está en corte.

V CE (V)     V CE (V)    

Valores   VBE  (V)     Valores   VBE  (V)    

teóricos   I C (mA)     simulados   I C (mA)    
I B (mA)     I B (mA)    

SATURACIÓN

Este estado se consigue aplicando a la entrada del circuito una tensión VBB de +5V. Anotar los
valores teóricos previsibles para las tensiones y corrientes de la Tabla 2. Realizar la simulación
y rellenar la tabla con los valores obtenidos por simulación:

Tabla 2.- Valores de tensiones y corrientes cuando BJT está en saturación.

V CE (V)     V CE (V)    
Valores   VBE  (V)     Valores   VBE  (V)    
teóricos   I C (mA)     simulados   I C (mA)    
I B (mA)     I B (mA)    

EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR. COMPORTAMIENTO DINÁMICO.

En el circuito de la figura 4 sustituir la fuente DC de entrada VBB por un generador de pulsos

(VPULSE). Ajustar sus parámetros para obtener a la salida del generador una señal cuadrada
unipolar de +5 V de amplitud (señal cuadrada entre +5V y 0V, TTL) y 50 kHz de frecuencia.
Para ello tomar V1=0V, V2=5V, td=0, tr=tf=10ns, PW=10 µs y PER=20 µs. Para el análisis
transitorio tomar Print Step = 20ns, Final Time = 100 µs y Step Ceiling = 20ns.
Observar las formas de onda de entrada (generador de pulsos) y de la tensión entre colector y
emisor. Capturar las formas de onda de VBB*3 y de vCE mostrando dos periodos completos de
dichas señales y pegarlas en la cuadrícula que aparece a continuación.

Fig. 5.- Formas de onda de 3* VBB y vCE para una base de tiempos común.

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Observar las formas de la corriente de base y de la corriente de colector. Capturar las formas de
onda de iB y de iC mostrando dos periodos completos de dichas señales y pegarlas en la
cuadrícula que aparece a continuación. Emplear escalas en Y diferentes para cada forma de
onda.

Fig. 5.- Formas de onda de iB e iC para una base de tiempos común

• Determinar los tiempos de conmutación del transistor:

Recordar que el tiempo de subida tr (en inglés rise time) se mide en la transición ascendente
(flanco de subida) de la corriente iC y es el tiempo que se tarda en pasar del 10 al 90 % de la
corriente de saturación. Con carga resistiva este tiempo corresponde también al tiempo que
tarda la tensión vCE en bajar del 90% (13,5V) al 10% (1,5V) de su valor máximo.

El tiempo de retardo de paso a ON, td, es el tiempo que transcurre desde que la corriente de
base alcanza el 10% de su valor máximo hasta que la corriente de colector alcanza el 10%
de su valor máximo (de saturación) o, para el caso de carga resistiva, que la tensión vCE
descienda al 90% de su valor máximo ( a 13,5V) .

Si la medición se realiza en la transición descendente (flanco de bajada) de la corriente iC, el

intervalo de medida está comprendido entre el 90% y el 10% de la corriente de saturación y
se denomina tiempo de caída tf (en inglés fall time). Con carga resistiva este tiempo
corresponde también al tiempo que tarda la tensión vCE en subir del 10% (1,5V) al 90%
(13,5V) de su valor máximo.
Por otra parte el tiempo de retardo en el paso a OFF, ts, (en inglés, storage time) representa
el tiempo de retardo por almacenamiento, y es el intervalo de tiempo que transcurre entre
que la corriente de base desciende un 10% de su valor máximo hasta que la corriente de
colector baja al 90% de su valor en saturación (vCE hasta el 10% de su valor máximo).
Anota los valores obtenidos en la Tabla 3.
Tabla 3.- Tiempos de conmutación del BJT.

t d   t r   ts   t f  
       

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• Observar la forma de onda de la corriente de base ampliando el tramo en que ésta presenta
valores negativos. Capturar dicha ampliación de la forma de onda de iB y pegarla en la
cuadrícula que aparece a continuación.

Fig. 6.- Ampliación del tramo en que iB muestra valores negativos.

Realizar una medida aproximada de la carga (corriente x tiempo) extraída de la base en el paso
a corte:
Qextraída = ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅ pF

Nota: Recordar que la carga es el área en una representación de corriente frente a tiempo. Suponer que
la forma de onda de iB en dicho tramo es aproximadamente un rectángulo y calcular su área
(base*altura).