TECNOLOGÍA DE COMPONENTES 66.

50

Trabajo Práctico N°5

Tira de Problemas sobre Disipadores

1. Considere una barra de aluminio de sección cuadrada como se muestra en la Fig.1 y

de dimensiones h = b = 1 cm. y d = 20 cm. La potencia de calor desarrollada por un
semiconductor en uno de sus extremos es de 3 W. Si la temperatura en el extremo
opuesto alcanza los 40 CEL, cuál es la temperatura en el extremo en donde se
encuentra montado el semiconductor ?.

P h

b
d

Fig.1

2. Un transistor de potencia se encuentra montado sobre una placa de aluminio de

dimensiones h = 3cm.: b = 4 cm. y d = 2 mm. como se muestra en la Fig.2 Si se
tolera una caída de 3 CEL desde una de las superficies a la opuesta, encuentre la
máxima potencia de calor desarrollada por el transistor. Ignore cualquier otra
pérdida de calor debido al aire circundante,

P h

b
d
Fig.2

3. Un transistor de potencia con encapsulado tipo TO-3 disipa 26 W con una

temperatura de juntura de 125 CEL. El fabricante especifica un valor de resistencia
térmica juntura-carcaza de 0,9 CEL/W. Si se utiliza un aislador de mica de 75 m
 de espesor en combinación con grasa siliconada de modo de lograr una resistencia
térmica 0,4 CEL/W y el peor caso de temperatura ambiente dentro del gabinete es
de 55 CEL, seleccione un disipador de los que se muestran en la Fig.3.

Fig.3

4. Cuáles la resistencia térmica de radiación para un cubo de aluminio anodizado

negro de 10 cm. de lado suponiendo que la temperatura de la superficie es de 120
CEL y la ambiente 20 CEL ?.

5. Cuál es la resistencia térmica de convección para una placa de aluminio de 10 cm.

de alto por 30 cm. de ancho por 2 mm. de espesor cuya temperatura es de 120 CEL
si el aire que la rodea esta a 20 CEL ?.

6. Sea el disipador cuyas dimensiones y formato se muestra en la Fig.4. Calcule la

resistencia térmica total por radiación y convección, suponiendo la temperatura de
la superficie del disipador de 120 CEL y la temperatura ambiente de 20 CEL.
Utilícese la curva de la Fig.5 para el cálculo del factor de reducción de superficie.
Fig.4

Fig.5
7. Un transistor MOSFET es utilizado en un convertidor con una pérdida de potencia
térmica estacionaria de 50 W y una potencia térmica de switching de 10-3.fs en W,
donde fs es la frecuencia de switching en Hz. La resistencia térmica juntura-carcaza
es de 1 CEL/W y la máxima temperatura de juntura no supera los 150 CEL.
Asumiendo una temperatura de carcaza de 50 CEL, estime el valor máximo
permitido de la frecuencia de switching.

8. El MOSFET del problema anterior es montado en un disipador con una

temperatura ambiente de 35 CEL. Si la frecuencia de switching es 25 KHz., cuál es
el valor máximo permitido de la resistencia térmica carcaza-ambiente. Asuma los
demás parámetros idénticos a los del problema anterior excepto la temperatura de
carcaza que puede eventualmente cambiar.