Electrónica de Potencia - Introducción

UNIVERSIDAD DE JAÉN
ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR
MASTER INGENIERÍA INDUSTRIAL

Sistemas Electrónicos e Instrumentación
Industrial (SEII)
Tema 1.1. Introducción Electrónica de Potencia
y Sistemas Electrónicos
Juan Domingo Aguilar Peña jaguilar@ujaen.es
Departamento de Ingeniería Electrónica y Automática
Jaén, febrero 2019

Sistemas Electrónicos
Electrónica de Potencia
Resultados aprendizaje
• Adquirir perspectiva de EP y su
desarrollo
• Conocimiento de distintos tipos de
semiconductores de potencia
• Aprender las clases de convertidores
de potencia
• Conocer principales aplicaciones
Rashid; Electrónica de Potencia. Circuitos.

Dispositivos y aplicaciones. 3 ed. Ed.
Prentice Hall.
Sistemas Electrónicos. Máster en Ingeniería Industrial . Universidad Jaén. Profesor Juan D Aguilar 2
Sistemas Electrónicos
• Introducción y conceptos
• Dispositivos semiconductores
• Clasificación convertidores
• Aplicaciones
” Electrónica de Potencia es la parte de la electrónica

encargada del estudio de dispositivos, circuitos y
procedimientos para el procesamiento, control y
conversión de la energía eléctrica.
((Ferreres, A; Proyecto docente 2002) M.H.Rashid, N. Mohan)
Introducción y Conceptos
Bardeen Shockley Brattain 1948

(Transistor bipolar)
tyratrón
1958 de desarrolla General Electric

SCR(npnp) creado por William primer SCR
Shockley en 1950, el cual fue
defendido y desarrollado en los
laboratorios Bell en 1956
Clasificación rango de potencia:
Potencia baja, media y alta
Objetivo: control de transferencia de energía eléctrica con máximo
rendimiento posible.
Trabajo en conmutación: justificado debido

al empleo de elevadas tensiones e
intensidades, que en zona lineal implicarían
gran disipación de calor (pérdidas)
Dispositivos semiconductores
Requisitos del dispositivo electrónico de potencia
Tener dos estados: alta impedancia (bloqueo) y baja

impedancia (conducción).
Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeñas

caídas de tensión en estado de conducción y grandes
tensiones con pequeñas corrientes de fugas en estado de
bloqueo.
Controlabilidad de paso de un estado a otro con facilidad y

poca potencia.
Rapidez de funcionamiento y capacidad de trabajo a

elevadas frecuencias.
De los dispositivos electrónicos que cumplen los requisitos anteriores, los

más importantes son el transistor de potencia y el tiristor. Estos
dispositivos tienen dos electrodos principales y un tercer electrodo de
control.
SCR
A C
(Ánodo) G (Cátodo)
(Puerta)
MOSFET, IGBT
Tiristores: GTO, IGCT
20W TO220
S G D
Tipos de Mosfet.
Mosfet de Deplexión o empobrecimiento.
N+ N+
Existe un canal por el cual circula la corriente P-
aunque no se aplique tensión en la puerta. +
Substrato
Mosfet de Acumulación o enriquecimiento (enhancement).
El canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le

aplica una tensión en la puerta.
Canal N D Canal P
Conducción debida a
G electrones G
S Conducción debida a S
huecos
Los más usados son los MOSFET de canal N
La conducción es debida a los electrones y por tanto, son más rápidos
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TEMA 3: ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
21/02/2019 Universidad Jaén J.D.Aguilar Peña; http://blogs.ujaen.es/jaguilar/ 13

Curvas características del MOSFET
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
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Comportamiento como circuito abierto 14
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor ). Introducción.
Este dispositivo aparece en los años 80 (1200v-400 A)

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente (alta impedancia de entrada)
MOSFET Bipolar
G
E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutación (Bipolar)
No tiene diodo parásito
Ánodo
Estructura A
y característica V-I Puerta VAK
IA Cátodo K
Directo
conducción Polarización directa: una vez
disparado, conduce como un diodo
Polarización directa: si no se
ha disparado, no conduce
Bloqueo inverso
Zona de transición
Bloqueo directo VAK
Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce
Carga resistiva Control de rectificadores controlados
V1
V1
R VR 
Disparo
VR
Cuando el tiristor recibe un pulso de corriente en la puerta comienza a

conducir, siempre y cuando tenga polarización directa entre ánodo y cátodo
Controlando el ángulo de disparo  controlamos la energía que pasa
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Semiconductores: Potencia-frecuencia-Aplicaciones
Un Tiristor Controlado por

Puerta Integrada o
simplemente Tiristor IGCT
(Integrated Gate-
Commutated Thyristor)
compensa los
inconvenientes de los
tiristores GTO e IGBT y
contiene todos los circuitos
necesarios
para asegurar la fiabilidad del
aparato de conmutación, que
puede
emplearse sin problemas en
la gama de tensiones
medias.
Comparación semiconductores
https://library.e.abb.com/pub
lic/803817ef50d6667cc1256d
dd00346ce1/12-17m457.pdf
Clasificación Convertidores
Convertidores electrónicos. Clasificaciones.
Diodos rectificadores
2Vm
Vo ( average ) 

AC-DC controlado
2Vm
Vo ( average )  (1  cos  )

AC-AC
1/ 2
Vm  1  sin 2  
Vo ( rms )         2 
2  
DC-DC
Vo ( average )   VS
Aplicaciones
APLICACIÓN: RENFE
En la Figura se muestra de un modo
simplificado el esquema eléctrico de un
coche motor de la unidad de tren S/446
de Renfe para cercanías como ejemplo
de un sistema de tracción eléctrica que
utiliza choppers. La catenaria tiene una
tensión de 3.000 V respecto al carril. En
cada boje (o bogie) del coche motor
existen dos motores de c.c. de 4 polos
de 300 kW
Aplicaciones
Metropolitano de Madrid
La serie 5.500 del Metro de

Madrid se alimenta por una
catenaria de 600 V de c.c. con
motores de tracción AEG-ABS
3324. con una potencia continua
de 211 kW (a 1.900r.p.m.) . El
chopper de tracción es del tipo
AEG-1.200 A, con frecuencia
nominal o asignada de 250 Hz. .
El freno eléctrico es de
recuperación y está combinado
con frenado reostático. La
velocidad máxima del tren es de
70 km/h, con una aceleración-
deceleración de 1,05 m/s2.
DC-AC
4Vs
Vo1( rms  fundamental )   0.90VS
 2
Aplicaciones
Alta frecuencia
La corriente alterna del inductor

de calentamiento genera un
campo electromagnético que
crea una corriente eléctrica en la
pieza de trabajo. Esta corriente
circulante se mueve en contra
de la resistividad del material y
genera calor.
Aplicaciones
Accionador sin frenado regenerativo para motor
de inducción
Freno
disipativo
Rectificador
sin controlar Inversor con IGBT’s
Aplicaciones
Ejemplo aplicación:
Locomotora S252 de Siemens. Línea de alta velocidad
Madrid-Sevilla (AVE)
Un ejemplo de regulación de
velocidad de motores asincronos
en la tracción eléctrica española
corresponde a la locomotora
S252 de Siemens para la línea de
alta velocidad Madrid-Sevilla
(AVE). Este. La alimentación de la
catenaria es una red de c.a.
monofásica de 25 kV, 50 Hz. un
inversor trifásico se encarga de
convertir esta corriente en c.a.
trifásica de amplitud y frecuencia
variable utilizando PWM
TRANSPORTE Y DISTRIBUCIÓN: HDVC
Aplicaciones
Flexible alternating current transmission systems (FACTS)
Los FACTS, Flexible AC

Transmission Systems,
son aplicaciones
de la electrónica de
potencia que permiten un
uso más intensivo
del sistema de
transmisión
Aplicaciones
GS
CA/CC CC/CA
excitación
Alta frecuencia UNIVER
J.D.Aguilar(Universidad de Jaén)
Fuentes de alimentación reguladas
Fuentes de alimentación conmutadas
. . +
V in -
PWM V0
+ Carga
-
REGULADOR CONMUTADO

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Tener dos estados: alta impedancia (bloqueo) y baja

Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeñas

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El canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le

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Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce

Cuando el tiristor recibe un pulso de corriente en la puerta comienza a

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Un Tiristor Controlado por

La serie 5.500 del Metro de

La corriente alterna del inductor

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Los FACTS, Flexible AC

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