Vous êtes sur la page 1sur 2

MOSFET de empobrecimiento

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar


corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede
aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se
consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho terminal
en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de
un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de


enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de
la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenado a través del canal
estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de
potencial VDDaplicada por la fuente, mayor será esta corriente. Como ocurría con
el JFET, la tensión negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el
canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la
corriente de drenador. Aquí se aprecia claramente que, el fenómeno de control se
realiza a través del efecto del campo eléctrico generado por la tensión VGG de la
puerta.
Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión positiva
de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET
en enriquecimiento. Efectivamente, la tensión positiva del graduador provoca un
aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal
forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la corriente de
drenador.

-Construcción (canal N, canal P)


MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta
aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP.
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también
llamada “sílice” o “sílica”) es colocada del lado del semiconductor y una capa de
metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura).

En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al


drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte “P” está conectado a la fuente
(source) y al drenaje (drain)